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针对Science创刊125周年之际公布的125个最具挑战性的科学问题之一＂是否可能制造出室温下的磁性半导体？＂进行了解读.主要从传统电子学面临的严峻挑战出发,介绍了磁性半导体的基本概念、与普通半导体的区别以及在信息技术中可能发挥的重要作用.本文以磁性元素掺杂的Zn O和Ga N为例介绍了实验中 ...
ZnO：Mn稀磁半导体及P型ZnO：N薄膜的制备、结构和物性研究. 李敏. 【摘要】： 氧化锌 (ZnO),一种新型Ⅱ—Ⅵ族半导体材料,具有禁带宽、激子束缚能高和近紫外光发射强等优点,在半导体器件等方面有着广泛的应用前景。. 为了实现ZnO的实际应用,必须通过掺杂技术来 ...
16.Mn 掺杂 SiC 基稀磁半导体薄膜的结构和磁性研究，表面技术，2015,44(7). (CSCD) 17. 电弧离子镀制备 TiSiN 纳米复合涂层，表面技术，2015,44(8). (CSCD) 18. 化学势在热力学与统计物理学中的作用. 周口师范学院学报，2015，33(2). （ CN ）
一种新的量子材料--拓扑绝缘体. 按照导电性质的不同，材料可分为“金属”和“绝缘体”两大类；而更进一步，根据电子态的拓扑性质的不同，“绝缘体”和“金属”还可以进行更细致的划分。. 拓扑绝缘体就是根据这样的新标准而划分的区别于其他普通绝缘体 ...
石墨价带结构及其与过渡金属镍的相互作用. 罗春平 齐上雪 李楠 林彰达. 【摘要】： 用XPS和UPS技术细致地研究了石墨的价带结构,并与Painter等人计算的结果相比较。. 在石墨上蒸镀镍后,碳原子与镍原子相互作用,在石墨表面形成一层碳化镍。. 从镀镍后的AES谱可 ...
稀磁半导体zns掺杂mn薄膜的研究[本文62页] 低维锗基纳米材料掺杂改性的第一性原[本文140页] 半金属材料的第一性原理研究[本文72页] m-n-h系储氢材料团簇结构与性质的第一[本文194页] 掺杂ti的naalh_4相关系和缺陷热力学的[本文158页] graphene功能分子及自 ...
首先,介绍稀磁半导体和半金属的研究现状,阐述了密度理论及所用软件包等基本内容。 其次,计算自旋相关的闪锌矿(zinc-blende, ZB) ScM(M=C, Si, Ge, Sn)。通过对它们的态密度、能带和磁矩的分析。 结果表明,闪锌矿ScM (M=C, Si, Ge, Sn)是磁矩为1.0μB的真实 ...
多铁材料BiFeO_3的元素掺杂研究进展. 张子阳 何彬. 【摘要】： BiFeO3是一种在室温下同时存在铁电性,铁磁性的材料,在一定条件下可以产生磁电耦合效应。. 这种磁和电的相互作用提供了很多应用领域,包括数据存储器件,自旋电子学,磁电感应设备和多状态记忆领域 ...
“目前国内外文献报道的新型稀磁半导体，还没有超过室温的！”毋志民略微有些自豪地说。一方面，他是重庆师范大学物理与电子工程学院教授，硕士生导师，要教书育人；一方面他也是光电功能材料重庆市重点实验室副主任，要带领团队突破新型磁电功能材料等方面的研究。
现在正在调研关于自旋电子学方面的东西，发现稀磁半导体可应用于“自旋发光二极管”等领域，请教高人自旋发光二极管和普通的发光二极管有什么区别吗？
针对Science创刊125周年之际公布的125个最具挑战性的科学问题之一＂是否可能制造出室温下的磁性半导体？＂进行了解读.主要从传统电子学面临的严峻挑战出发,介绍了磁性半导体的基本概念、与普通半导体的区别以及在信息技术中可能发挥的重要作用.本文以磁性元素掺杂的Zn O和Ga N为例介绍了实验中 ...
ZnO：Mn稀磁半导体及P型ZnO：N薄膜的制备、结构和物性研究. 李敏. 【摘要】： 氧化锌 (ZnO),一种新型Ⅱ—Ⅵ族半导体材料,具有禁带宽、激子束缚能高和近紫外光发射强等优点,在半导体器件等方面有着广泛的应用前景。. 为了实现ZnO的实际应用,必须通过掺杂技术来 ...
16.Mn 掺杂 SiC 基稀磁半导体薄膜的结构和磁性研究，表面技术，2015,44(7). (CSCD) 17. 电弧离子镀制备 TiSiN 纳米复合涂层，表面技术，2015,44(8). (CSCD) 18. 化学势在热力学与统计物理学中的作用. 周口师范学院学报，2015，33(2). （ CN ）
一种新的量子材料--拓扑绝缘体. 按照导电性质的不同，材料可分为“金属”和“绝缘体”两大类；而更进一步，根据电子态的拓扑性质的不同，“绝缘体”和“金属”还可以进行更细致的划分。. 拓扑绝缘体就是根据这样的新标准而划分的区别于其他普通绝缘体 ...
石墨价带结构及其与过渡金属镍的相互作用. 罗春平 齐上雪 李楠 林彰达. 【摘要】： 用XPS和UPS技术细致地研究了石墨的价带结构,并与Painter等人计算的结果相比较。. 在石墨上蒸镀镍后,碳原子与镍原子相互作用,在石墨表面形成一层碳化镍。. 从镀镍后的AES谱可 ...
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首先,介绍稀磁半导体和半金属的研究现状,阐述了密度理论及所用软件包等基本内容。 其次,计算自旋相关的闪锌矿(zinc-blende, ZB) ScM(M=C, Si, Ge, Sn)。通过对它们的态密度、能带和磁矩的分析。 结果表明,闪锌矿ScM (M=C, Si, Ge, Sn)是磁矩为1.0μB的真实 ...
多铁材料BiFeO_3的元素掺杂研究进展. 张子阳 何彬. 【摘要】： BiFeO3是一种在室温下同时存在铁电性,铁磁性的材料,在一定条件下可以产生磁电耦合效应。. 这种磁和电的相互作用提供了很多应用领域,包括数据存储器件,自旋电子学,磁电感应设备和多状态记忆领域 ...
“目前国内外文献报道的新型稀磁半导体，还没有超过室温的！”毋志民略微有些自豪地说。一方面，他是重庆师范大学物理与电子工程学院教授，硕士生导师，要教书育人；一方面他也是光电功能材料重庆市重点实验室副主任，要带领团队突破新型磁电功能材料等方面的研究。
现在正在调研关于自旋电子学方面的东西，发现稀磁半导体可应用于“自旋发光二极管”等领域，请教高人自旋发光二极管和普通的发光二极管有什么区别吗？
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