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在微电子器件领域标志性国际会议 IEDM、VLSI 和标志性期刊 EDL、TED 上发表 70 余篇论文（自 2007 年以来连续 10 年在 IEDM 上发表论文 25 篇）；多项研究成果连续 3 次被列入国际半导体技术发展路线图 ITRS；应邀做国际会议大会和特邀报告 30 余次；获
IEEE Electron Device Letters. IEEE Electron Device Letters publishes original and significant contributions relating to the theory, modeling, design
课题组简介：本课题组主要研究工作集中在第三代半导体（GaN，SiC）功率器件方向，包括器件工艺与制备，材料表征，器件物理分析和可靠性、稳定性研究。课题负责人在国际主流会议（如IEDM，ISPSD等）和高水平期刊（IEEEEDL，IEEETED等）发表论文40余 ...
小木虫论坛-SCI期刊点评专栏：拥有来自国内各大院校、科研院所的博硕士研究生和企业研发人员对期刊的专业点评，覆盖了8000+ SCI期刊杂志的专业点评信息，为国内外学术科研人员论文投稿、期刊选择等提供了专业的建议。小木虫论坛秉承“为中国学术科研免费提供动力”宗旨，已成为千万硕博 ...
目前已在IEEE EDL、IEEE TED、IEEE MWCL等本领域顶级期刊和IEDM、ISPSD等国际顶级会议共发表论文31篇（期刊论文均被SCI检索）。研究成果被功率半导体世界最著名学者J. B. Baliga (IEEE fellow, 2010年美国国家科学技术奖获得者)发表于Semicond.
这些半导体器件包括电阻开关，闪存器件，选择器器件，硅基，锗基和III-V族CMOS器件以及GaN HEMT器件。他的工作主要发表在国际知名期刊和顶级会议上，包括应用物理快报（APL），IEEE电子器件快报（EDL），IEEE电子器件期刊（TED）。
在EDL、APL、SST等国内外学术期刊发表论文40余篇，申请国内发明专利50余项、国际发明专利10项。 代表性学术论著 1、Ru Huang, Xia An, Junhua Liu, Xing Zhang, “New device technologies for green micro/nano …
作为第三代宽禁带半导体材料的代表，氮化镓以其独特的光学及电学性质已经广泛地应用于固态照明领域，并将在功率半导体、智能照明、可见光通讯等细分领域占据重要地位。半导体功率器件可以用来控制电路通断，从而实现电力的整流、逆变、变 …
效果立竿见影，至少在半导体的国际研究，中国学者的能见度已大增。刘明表示，该领域最权威的两个期刊：EDL(Electron Device Letters)、TED(Transactions On Electron Devices)，过去30年全中国累计发不到两百篇。但2017年，中国学者已经占到这两个期刊
已在IEEE EDL、IEEE TED、IEEE MWCL等本领域顶级期刊和IEDM、ISPSD等国际顶级会议共发表论文43篇。研究成果被功率半导体世界最著名学者J. B. Baliga (IEEE fellow, 2010年美国国家科学技术奖获得者)发表于Semicond.
在微电子器件领域标志性国际会议 IEDM、VLSI 和标志性期刊 EDL、TED 上发表 70 余篇论文（自 2007 年以来连续 10 年在 IEDM 上发表论文 25 篇）；多项研究成果连续 3 次被列入国际半导体技术发展路线图 ITRS；应邀做国际会议大会和特邀报告 30 余次；获
IEEE Electron Device Letters. IEEE Electron Device Letters publishes original and significant contributions relating to the theory, modeling, design
课题组简介：本课题组主要研究工作集中在第三代半导体（GaN，SiC）功率器件方向，包括器件工艺与制备，材料表征，器件物理分析和可靠性、稳定性研究。课题负责人在国际主流会议（如IEDM，ISPSD等）和高水平期刊（IEEEEDL，IEEETED等）发表论文40余 ...
小木虫论坛-SCI期刊点评专栏：拥有来自国内各大院校、科研院所的博硕士研究生和企业研发人员对期刊的专业点评，覆盖了8000+ SCI期刊杂志的专业点评信息，为国内外学术科研人员论文投稿、期刊选择等提供了专业的建议。小木虫论坛秉承“为中国学术科研免费提供动力”宗旨，已成为千万硕博 ...
目前已在IEEE EDL、IEEE TED、IEEE MWCL等本领域顶级期刊和IEDM、ISPSD等国际顶级会议共发表论文31篇（期刊论文均被SCI检索）。研究成果被功率半导体世界最著名学者J. B. Baliga (IEEE fellow, 2010年美国国家科学技术奖获得者)发表于Semicond.
这些半导体器件包括电阻开关，闪存器件，选择器器件，硅基，锗基和III-V族CMOS器件以及GaN HEMT器件。他的工作主要发表在国际知名期刊和顶级会议上，包括应用物理快报（APL），IEEE电子器件快报（EDL），IEEE电子器件期刊（TED）。
在EDL、APL、SST等国内外学术期刊发表论文40余篇，申请国内发明专利50余项、国际发明专利10项。 代表性学术论著 1、Ru Huang, Xia An, Junhua Liu, Xing Zhang, “New device technologies for green micro/nano …
作为第三代宽禁带半导体材料的代表，氮化镓以其独特的光学及电学性质已经广泛地应用于固态照明领域，并将在功率半导体、智能照明、可见光通讯等细分领域占据重要地位。半导体功率器件可以用来控制电路通断，从而实现电力的整流、逆变、变 …
效果立竿见影，至少在半导体的国际研究，中国学者的能见度已大增。刘明表示，该领域最权威的两个期刊：EDL(Electron Device Letters)、TED(Transactions On Electron Devices)，过去30年全中国累计发不到两百篇。但2017年，中国学者已经占到这两个期刊
已在IEEE EDL、IEEE TED、IEEE MWCL等本领域顶级期刊和IEDM、ISPSD等国际顶级会议共发表论文43篇。研究成果被功率半导体世界最著名学者J. B. Baliga (IEEE fellow, 2010年美国国家科学技术奖获得者)发表于Semicond.
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