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导体与半导体的论文研究

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导体与半导体的论文研究

超导体与半导体的相似之处如下:

当某些条件满足时,可以充当导体。

超导体与半导体的区别如下:

一丶物理性质

1.半导体的电阻比超导体的电阻大。

2.超导体是在一定条件下电阻为0的材料。半导体是一种导体和绝缘体在室温下导电的材料。

二、关于使用

3.半导体需要在室温下使用,超导体一般需要在超低温下使用。

4.不同的功能在实际应用中。

半导体已经使用了很长时间,但是超导体仍然处于发展阶段。

超导体和半导体的作用是:

半导体:电子元件,芯片,晶体管

超导体:远距离传输高压、全超导托卡马克聚变发电机

扩展资料:

超导体的三个基本特性:

1.完全导电性:完全导电性又称零电阻效应,是指温度下降到一定温度以下,电阻突然消失。

2.完全反磁性:完全反磁性也被称为梅斯纳效应。“抗磁性”是指当磁场强度低于临界值时,磁力线不能通过超导体的现象。

完全反磁性的原因是超导体的表面产生一种无损的抗磁超导电流,这种电流产生的磁场抵消了超导体内部的磁场。

3.通量化:量化通量,也称为约瑟夫逊效应,指的是现象,当两层超导体之间的绝缘层薄原子大小,电子对产生隧道电流通过隔热层,也就是说,超导电流可以superconductor-insulator-superconductor结构生成。

参考资料来源:百度百科-半导体

参考资料来源:百度百科-超导体

自己的话导体,一般指金属,其在常温下的金属晶体结构与晶体硅等半导体是大不相同的,虽然名义上金属在非化合态的时候电子轨道最外层也有1-4个电子在围绕原子核高速旋转,看起来是受原子核严密控制的,但实际上金属晶体的结构却十分松散,金属原子之间可以滑动,这就是为什么金属有或多或少的延展性,而电子们的活动就更为自由,当有外电压的作用时,他们就会发生定向移动,形成电流.半导体晶体的内部结构相比之下就牢固得多,特别是体现在原子核对其外层电子的作用力较强,当电子离开原子核的时候,原子核对电子原来的作用力就在原先电子存在处形成了"力量真空",就是我们所说的空穴.而金属的力量相比之下小得多,当失去电子之后就不能认为出现了"力量真空”。所以,只有在描述半导体导电原理是才引入“空穴”这个概念(清华资源)

顾名思义,其区别在于导电能力上:半导体是导电能力在所有物质中处于中等水平的,如硅;导体是导电能力很强的,如金属;超导体就是导电能力比金属还强的,需要在温度极低的情况下才能获得。半导体因为导电能力居中,可以通过其他方法随意的调整其导电能力,所以广泛应用在电子领域,身边的一切电器、手机、电脑等等,都有无数大小半导体芯片组成。

超导体与半导体的相同点为:

在达到特定条件的时候都能作为导体。

超导体与半导体的不同点有:

一、物理性质上

1、半导体的电阻大于超导体的电阻。

2、超导体是在特定条件下电阻为0的材料,半导体是常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。

二、使用上

3、半导体需要在常温条件下使用,超导体一般需要在超低温条件下使用。

4、在实际运用中作用不同。

5、半导体已经投入使用很长时间,但超导体仍在研发阶段。

超导体和半导体的作用分别是:

半导体:电子元件,芯片,晶体管

超导体:远距离传输高压电,全超导托卡马克核聚变发生器

扩展资料

超导体的三个基本特性:

1、完全电导性:完全导电性又称零电阻效应,指温度降低至某一温度以下,电阻突然消失的现象。

2、完全抗磁性:完全抗磁性又称迈斯纳效应,“抗磁性”指在磁场强度低于临界值的情况下,磁力线无法穿过超导体,超导体内部磁场为零的现象,“完全”指降低温度达到超导态、施加磁场两项操作的顺序可以颠倒。

完全抗磁性的原因是,超导体表面能够产生一个无损耗的抗磁超导电流,这一电流产生的磁场,抵消了超导体内部的磁场。

3、通量量子化:通量量子化又称约瑟夫森效应,指当两层超导体之间的绝缘层薄至原子尺寸时,电子对可以穿过绝缘层产生隧道电流的现象,即在超导体—绝缘体—超导体)结构可以产生超导电流。

参考资料来源:百度百科-半导体

参考资料来源:百度百科-超导体

半导体的研究与进展论文

AAU3D打印很高兴为您解答本科的时候接触过一段时间微生物燃料电池,给一点个人建议,仅供参考,可能很多表述不够专业,请见谅关键词:半导体、微生物、光催化意思大概是微生物燃料电池中,将光催化与微生物催化耦合在一起,促使微生物光电系统产生电子转移并产氢。针对微生物燃料电池处理废水产电的优点,以及光催化技术在制氢过程中效率低和需要添加牺牲剂的缺点,提出一种新的低成本、无污染的微生物光电化学系统产电制氢技术,阴极光生电子与阳极生物氧化产生的电子在还原制氢中的协同作用机制。

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半导体射线探测器最初约年研究核射线在晶体上作用, 表明射线的存在引起导电现象。但是, 由于测得的幅度小、存在极化现象以及缺乏合适的材料, 很长时间以来阻碍用晶体作为粒子探测器。就在这个时期, 气体探测器象电离室、正比计数器、盖革计数器广泛地发展起来。年, 范· 希尔顿首先较实际地讨论了“ 传导计数器” 。在晶体上沉积两个电极, 构成一种固体电离室。为分离人射粒子产生的载流子, 须外加电压。许多人试验了各种各样的晶体。范· 希尔顿和霍夫施塔特研究了这类探测器的主要性质, 产生一对电子一空穴对需要的平均能量, 对射线作用的响应以及电荷收集时间。并看出这类探测器有一系列优点由于有高的阻止能力, 人射粒子的射程小硅能吸收质子, 而质子在空气中射程为, 产生一对载流子需要的能量比气体小十倍, 在产生载流子的数目上有小的统计涨落, 又比气体计数器响应快。但是, 尽管霍夫施塔特作了许多实验,使用这种探侧器仍受一些限制, 像内极化效应能减小外加电场和捕捉载流子, 造成电荷收集上的偏差。为了避免捕捉载流子, 需外加一个足够强的电场。结果, 在扩散一结, 或金属半导体接触处形成一空间电荷区。该区称为耗尽层。它具有不捕捉载流子的性质。因而, 核射线人射到该区后, 产生电子一空穴载流子对, 能自由地、迅速向电极移动, 最终被收集。测得的脉冲高度正比于射线在耗尽层里的能量损失。要制成具有这种耗尽层器件是在年以后, 这与制成很纯、长寿命的半导体材料有关。麦克· 凯在贝尔电话实验室, 拉克· 霍罗威茨在普杜厄大学首先发展了这类探测器。年, 麦克· 凯用反偏锗二极管探测“ 。的粒子, 并研究所产生的脉冲高度随所加偏压而变。不久以后, 拉克· 霍罗威茨及其同事者测量一尸结二极管对。的粒子, “ , 的刀粒子的反应。麦克· 凯进行了类似的实验, 得到计数率达, 以及产生一对空穴一电子对需要的能量为土。。麦克· 凯还观察到,加于硅、锗一结二极管的偏压接近击穿电压时, 用一粒子轰击, 有载流子倍增现象。在普杜厄大学, 西蒙注意到用粒子轰击金一锗二极管时产生的脉冲。在此基础上, 迈耶证实脉冲幅度正比于人射粒子的能量, 用有效面积为二“ 的探测器, 测。的粒子, 得到的分辨率为。艾拉佩蒂安茨研究了一结二极管的性质, 载维斯首先制备了金一硅面垒型探测器。年以后, 许多人做了大量工作, 发表了广泛的著作。沃尔特等人讨论金一锗面垒型探测器的制备和性质, 制成有效面积为“ 的探测器, 并用探测器, 工作在,测洲的粒子, 分辨率为。迈耶完成一系列锗、硅面垒型探测器的实验用粒子轰击。年, 联合国和欧洲的一些实验室,制备和研究这类探测器。在华盛顿、加丁林堡、阿什维尔会议上发表一些成果。如一结和面垒探测器的电学性质, 表面状态的影响, 减少漏电流, 脉冲上升时间以及核物理应用等等。这种探测器的发展还与相连的电子器件有很大关系。因为, 要避免探测器的输出脉冲高度随所加偏压而变, 需一种带电容反馈的电荷灵敏放大器。加之, 探测器输出信号幅度很小, 必需使用低噪声前置放大器, 以提高信噪比。为一一满足上述两个条件, 一般用电子管或晶体管握尔曼放大器, 线幅贡献为。在使用场效应晶体管后, 进一步改善了分辨率。为了扩大这种探测器的应用, 需增大有效体积如吸收电子需厚硅。采用一般工艺限制有效厚度, 用高阻硅、高反偏压获得有效厚度约, 远远满足不了要求。因此, 年, 佩尔提出一种新方法, 大大推动这种探测器的发展。即在型半导体里用施主杂质补偿受主杂质, 能获得一种电阻率很高的材料虽然不是本征半导体。因为铿容易电离, 铿离子又有高的迁移率, 就选铿作为施主杂质。制备的工艺过程大致如下先把铿扩散到型硅表面, 构成一结构, 加上反向偏压, 并升温, 锉离一子向区漂移, 形成一一结构, 有效厚度可达。这种探测器很适于作转换电子分光器, 和多道幅度分析器组合, 可研究短寿命发射, 但对卜射线的效率低, 因硅的原子序数低。为克服这一点, 采用锉漂移入锗的方法锗的原子序数为。年, 弗莱克首先用型锗口,按照佩尔方法, 制成半导体探测器,铿漂移长度为, 测‘“ 、的的射线, 得到半峰值宽度为直到年以前, 所有的探测器都是平面型, 有效体积受铿通过晶体截面积到“和补偿厚度的限制获得补偿厚度约, 漂移时间要个月, 因此, 有效体积大于到” 是困难的。为克服这种缺点, 进一步发展了同轴型探测器。年, 制成高分辨率大体积同轴探测器。之后, 随着电子工业的发展而迅速发展。有效体积一般可达几十“ , 最大可达一百多“ , 很适于一、一射线的探测。年以后广泛地用于各个部门。最近几年, 半导体探测器在理论研究和实际应用上都有很大发展。

半导体论文课题研究

半导体射线探测器最初约年研究核射线在晶体上作用, 表明射线的存在引起导电现象。但是, 由于测得的幅度小、存在极化现象以及缺乏合适的材料, 很长时间以来阻碍用晶体作为粒子探测器。就在这个时期, 气体探测器象电离室、正比计数器、盖革计数器广泛地发展起来。年, 范· 希尔顿首先较实际地讨论了“ 传导计数器” 。在晶体上沉积两个电极, 构成一种固体电离室。为分离人射粒子产生的载流子, 须外加电压。许多人试验了各种各样的晶体。范· 希尔顿和霍夫施塔特研究了这类探测器的主要性质, 产生一对电子一空穴对需要的平均能量, 对射线作用的响应以及电荷收集时间。并看出这类探测器有一系列优点由于有高的阻止能力, 人射粒子的射程小硅能吸收质子, 而质子在空气中射程为, 产生一对载流子需要的能量比气体小十倍, 在产生载流子的数目上有小的统计涨落, 又比气体计数器响应快。但是, 尽管霍夫施塔特作了许多实验,使用这种探侧器仍受一些限制, 像内极化效应能减小外加电场和捕捉载流子, 造成电荷收集上的偏差。为了避免捕捉载流子, 需外加一个足够强的电场。结果, 在扩散一结, 或金属半导体接触处形成一空间电荷区。该区称为耗尽层。它具有不捕捉载流子的性质。因而, 核射线人射到该区后, 产生电子一空穴载流子对, 能自由地、迅速向电极移动, 最终被收集。测得的脉冲高度正比于射线在耗尽层里的能量损失。要制成具有这种耗尽层器件是在年以后, 这与制成很纯、长寿命的半导体材料有关。麦克· 凯在贝尔电话实验室, 拉克· 霍罗威茨在普杜厄大学首先发展了这类探测器。年, 麦克· 凯用反偏锗二极管探测“ 。的粒子, 并研究所产生的脉冲高度随所加偏压而变。不久以后, 拉克· 霍罗威茨及其同事者测量一尸结二极管对。的粒子, “ , 的刀粒子的反应。麦克· 凯进行了类似的实验, 得到计数率达, 以及产生一对空穴一电子对需要的能量为土。。麦克· 凯还观察到,加于硅、锗一结二极管的偏压接近击穿电压时, 用一粒子轰击, 有载流子倍增现象。在普杜厄大学, 西蒙注意到用粒子轰击金一锗二极管时产生的脉冲。在此基础上, 迈耶证实脉冲幅度正比于人射粒子的能量, 用有效面积为二“ 的探测器, 测。的粒子, 得到的分辨率为。艾拉佩蒂安茨研究了一结二极管的性质, 载维斯首先制备了金一硅面垒型探测器。年以后, 许多人做了大量工作, 发表了广泛的著作。沃尔特等人讨论金一锗面垒型探测器的制备和性质, 制成有效面积为“ 的探测器, 并用探测器, 工作在,测洲的粒子, 分辨率为。迈耶完成一系列锗、硅面垒型探测器的实验用粒子轰击。年, 联合国和欧洲的一些实验室,制备和研究这类探测器。在华盛顿、加丁林堡、阿什维尔会议上发表一些成果。如一结和面垒探测器的电学性质, 表面状态的影响, 减少漏电流, 脉冲上升时间以及核物理应用等等。这种探测器的发展还与相连的电子器件有很大关系。因为, 要避免探测器的输出脉冲高度随所加偏压而变, 需一种带电容反馈的电荷灵敏放大器。加之, 探测器输出信号幅度很小, 必需使用低噪声前置放大器, 以提高信噪比。为一一满足上述两个条件, 一般用电子管或晶体管握尔曼放大器, 线幅贡献为。在使用场效应晶体管后, 进一步改善了分辨率。为了扩大这种探测器的应用, 需增大有效体积如吸收电子需厚硅。采用一般工艺限制有效厚度, 用高阻硅、高反偏压获得有效厚度约, 远远满足不了要求。因此, 年, 佩尔提出一种新方法, 大大推动这种探测器的发展。即在型半导体里用施主杂质补偿受主杂质, 能获得一种电阻率很高的材料虽然不是本征半导体。因为铿容易电离, 铿离子又有高的迁移率, 就选铿作为施主杂质。制备的工艺过程大致如下先把铿扩散到型硅表面, 构成一结构, 加上反向偏压, 并升温, 锉离一子向区漂移, 形成一一结构, 有效厚度可达。这种探测器很适于作转换电子分光器, 和多道幅度分析器组合, 可研究短寿命发射, 但对卜射线的效率低, 因硅的原子序数低。为克服这一点, 采用锉漂移入锗的方法锗的原子序数为。年, 弗莱克首先用型锗口,按照佩尔方法, 制成半导体探测器,铿漂移长度为, 测‘“ 、的的射线, 得到半峰值宽度为直到年以前, 所有的探测器都是平面型, 有效体积受铿通过晶体截面积到“和补偿厚度的限制获得补偿厚度约, 漂移时间要个月, 因此, 有效体积大于到” 是困难的。为克服这种缺点, 进一步发展了同轴型探测器。年, 制成高分辨率大体积同轴探测器。之后, 随着电子工业的发展而迅速发展。有效体积一般可达几十“ , 最大可达一百多“ , 很适于一、一射线的探测。年以后广泛地用于各个部门。最近几年, 半导体探测器在理论研究和实际应用上都有很大发展。

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半导体物理迅速发展及随晶体管发明使科家早50代设想发明半导体激光器60代早期组竞相进行面研究理论析面莫斯科列别捷夫物理研究所尼古拉·巴索夫工作杰19627月召固体器件研究际议美麻省理工院林肯实验室两名者克耶斯(Keyes)奎斯特(Quist)报告砷化镓材料光发射现象引起通用电气研究实验室工程师哈尔(Hall)极兴趣家火车写关数据家哈尔立即制定研制半导体激光器计划并与其研究员道经数周奋斗计划获功像晶体二极管半导体激光器材料p-n结特性敞弗搬煌植号邦铜鲍扩基础且外观亦与前者类似半导体激光器称二极管激光器或激光二极管早期激光二极管实际限制例能77K低温微秒脉冲工作8间才由贝尔实验室列宁格勒(现圣彼堡)约飞(Ioffe)物理研究所制造能室温工作连续器件足够靠半导体激光器则直70代期才现半导体激光器体积非米粒工作波依赖于激光材料般~微米由于种应用需要更短波器件发展据报导Ⅱ~Ⅳ价元素化合物ZnSe工作物质激光器低温已微米输波~微米室温连续器件输功率已达10毫瓦迄今尚未实现商品化光纤通信半导体激光预见重要应用领域面世界范围远距离海底光纤通信另面则各种区网者包括高速计算机网、航空电系统、卫通讯网、高清晰度闭路电视网等目前言激光唱机类器件市场其应用包括高速打印、自由空间光通信、固体激光泵浦源、激光指示及各种医疗应用等晶体管利用种称半导体材料特殊性能电流由运电承载普通金属铜电导体电没紧密原核相连容易电荷吸引其物体例橡胶绝缘体 --电良导体--电能自由运半导体名字暗示处于两者间通情况象绝缘体某种条件导电

最新半导体研究论文

研究硅和锗的电子结构。研究硅和锗的电子结构:可以揭示半导体材料的性质,为硅和锗的应用提供理论指导,研究硅和锗的局域密度泛函理论:通过对硅和锗的局域密度泛函理论的研究,可以提出更加准确的性质模型。硅和锗是一种半导体材料,具有重要的应用价值,第一性原理计算是研究半导体材料性质的基础理论,因此,硅和锗的第一性原理论文具有重要的研究价值。

第一作者:Pin-Chun Shen, Cong Su, Yuxuan Lin, Ang-Sheng Chou

通讯作者:Pin-Chun Shen, Lain-Jong Li,Jing Kong

通讯单位: 麻省理工学院(MIT),台湾积体电路制造公司(TSMC)

先进的超越硅电子技术既需要通道材料,也需要发现超低电阻接触。原子薄的二维半导体具有实现高性能电子器件的巨大潜力。但是,到目前为止,由于金属引起的间隙态(MIGS),金属-半导体界面处的能垒(从根本上导致高接触电阻和较差的电流传输能力)限制了二维半导体晶体管。最近, 麻省理工学院(MIT)Pin-Chun Shen和Jing Kong,台湾积体电路制造公司(TSMC)Lain-Jong Li 等人 在国际知名期刊 “Nature” 发表题为 “Ultralow contact resistance between semimetal and monolayer semiconductors” 的研究论文。他们报道了半金属铋与半导体单层过渡金属硫化合物(TMDs)之间的欧姆接触,其中MIGS被充分抑制,TMD中的简并态与铋接触形成。通过这种方法,他们在单层MoS2上实现了零肖特基势垒高度,接触电阻为123欧姆微米,通态电流密度为1135微安/微米。就他们所知,这两个值分别是尚未记录的最低和最高值。他们还证明了可以在包括MoS2、WS2和WSe2在内的各种单层半导体上形成出色的欧姆接触。他们报道的接触电阻是对二维半导体的实质性改进,并接近量子极限。这项技术揭示了与最新的三维半导体相媲美的高性能单层晶体管的潜力,从而可以进一步缩小器件尺寸并扩展摩尔定律。

图1:半金属-半导体接触的间隙态饱和的概念

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半导体sci论文

下面都是材料学的刊物,很多哟。序号 杂志全名 中译名1 NATURE 自然2 SCIENCE 科学3 SURFACE SCIENCE REPORTS 表面科学报告4 PROGRESS IN MATERIALS SCIENCE 材料科学进展5 PROGRESS IN SURFACE SCIENCE 表面科学进展6 PHYSICAL REVIEW LETTERS 物理评论快报7 MATERIALS SCIENCE & ENGINEERING R-REPORTS 材料科学与工程报告8 ADVANCES IN POLYMER SCIENCE 聚合物科学发展9 ADVANCED MATERIALS 先进材料10 ANNUAL REVIEW OF MATERIALS SCIENCE 材料科学年度评论11 APPLIED PHYSICS LETTERS 应用物理快报12 PROGRESS IN POLYMER SCIENCE 聚合物科学进展13 CHEMISTRY OF MATERIALS 材料化学14 PHYSICAL REVIEW B 物理评论B15 ADVANCES IN CHEMICAL PHYSICS 物理化学发展16 JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY 材料化学杂志17 ACTA MATERIALIA 材料学报18 MRS BULLETIN 材料研究学会(美国)公告19 BIOMATERIALS 生物材料20 CARBON 碳21 SURFACE SCIENCE 表面科学22 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 应用物理杂志23 CHEMICAL VAPOR DEPOSITION 化学气相沉积24 JOURNAL OF BIOMEDICAL MATERIALS RESEARCH 生物医学材料研究25 IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS IEEE量子电子学杂志26 CURRENT OPINION IN SOLID STATE & MATERIALS SCIENCE 固态和材料科学的动态27 DIAMOND AND RELATED MATERIALS 金刚石及相关材料28 ULTRAMICROSCOPY 超显微术29 EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL B 欧洲物理杂志 B30 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纸质投稿一般需要将稿件打印几份,邮寄给期刊编辑部,有的期刊还要求需要论文的软盘或光盘;EMAIL投稿就是将论文以附件形式发给编辑;网上投稿就是期刊有网上投稿系统,将论文在网上提交。一般国内期刊要求纸质投稿的比较多,而且还有一些国内期刊在纸质投稿后,同时还要将稿件EMAIL给编辑,国外期刊也有要求纸质投稿的,但似乎越来越少,毕竟航空信件来往费时费钱,所以逐渐被网上投稿所取代。EMAIL投稿国内国外期刊都有,但考虑到网络安全和技术的发展,EMAIL投稿也会逐渐被网上投稿所取代。网上投稿是国外期刊所采用的主要形式,有直观、迅速和方便的特点,但在网上投稿前需要在网站注册一大堆信息,第一次使用网上投稿会感到麻烦,但可以将你第一次注册的信息保存到WORD文件,以后再网上投稿时大部分信息复制粘贴就可以了,一定要记住注册的帐户名和密码,否则耽误你的投稿计划哦。纸质投稿的期刊国内比如有《微电子学报》、《上海交通大学学报》,国外的没遇到过,有知道的请告诉我。EMAIL投稿的期刊国内比如有《微细加工技术》,国外期刊比如有IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS。 网上投稿的期刊国内还比较少,如《半导体学报》、《物理学报》、《中国物理》等一些比较有影响的期刊,国外就比较多了,这里就不举例了。国内邮寄纸质文章用什么方式寄好呢?我以前用平信邮过的,没丢过,挂号和EMS当然安全迅速了,不在乎费用可以挂号和EMS的。有很多水友问自己该如何投稿,其实大概是这些水友第一次投稿吧?如何投稿主要从四个方面来着想:一是稿件内容和质量;二是找到适合的期刊;三是熟悉投稿要求和流程;四是经验的积累。稿件的内容自然和你研究方向有关了,这个不能去强求改变,但与稿件质量相关联的似乎分为好几种,比如研究方向冷与热、实验结果成与败、文章表达优与劣、图形处理好与坏,当中有些我们还是可有作为的,这在以后如何写好论文中进行阐述。作者首先要根据自己的文章进行自我评价,或者请导师或别人评价,也可以将自己的文章和与文章相关的文献进行对比,看自己文章质量怎样,然后再决定适合投哪个期刊。有的作者受影响因子影响,不能正确评价自己的文章,好高骛远,喜欢投本研究领域影响因子高的期刊,这当然会导致后来的拒稿,拒稿是件痛苦的事,一是浪费了那么久的时间,二是打击了自信心,投稿热情受挫。在正确评价自己的文章后,那又如何找到合适的期刊去投稿呢?有几个比较好的方法:在自己查找的与文章内容有关的文献中找期刊;在数据库中寻找;询问同院的XDJM。如何寻找期刊介绍,后文将说明。

这个不属于二次元如果你要认证的话,不要选择这个。

半导体学报事实上应该是sci。

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