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半导体物理学的迅速发展及随之而来的晶体管的发明，使科学家们早在50年代就设想发明半导体激光器，60年代早期，很多小组竞相进行这方面的研究。在理论分析方面，以莫斯科列别捷夫物理研究所的尼古拉·巴索夫的工作最为杰出。在1962年7月召开的固体器件研究国际会议上，美国麻省理工学院林肯实验室的两名学者克耶斯（Keyes）和奎斯特（Quist）报告了砷化镓材料的光发射现象，这引起通用电气研究实验室工程师哈尔（Hall）的极大兴趣，在会后回家的火车上他写下了有关数据。回到家后，哈尔立即制定了研制半导体激光器的计划，并与其他研究人员一道，经数周奋斗，他们的计划获得成功。像晶体二极管一样，半导体激光器也以材料的p-n结特性为敞弗搬煌植号邦铜鲍扩基础，且外观亦与前者类似，因此，半导体激光器常被称为二极管激光器或激光二极管。早期的激光二极管有很多实际限制，例如，只能在77K低温下以微秒脉冲工作，过了8年多时间，才由贝尔实验室和列宁格勒（现在的圣彼得堡）约飞（Ioffe）物理研究所制造出能在室温下工作的连续器件。而足够可靠的半导体激光器则直到70年代中期才出现。半导体激光器体积非常小，最小的只有米粒那样大。工作波长依赖于激光材料，一般为～微米，由于多种应用的需要，更短波长的器件在发展中。据报导，以Ⅱ～Ⅳ价元素的化合物，如ZnSe为工作物质的激光器，低温下已得到微米的输出，而波长～微米的室温连续器件输出功率已达10毫瓦以上。但迄今尚未实现商品化。光纤通信是半导体激光可预见的最重要的应用领域，一方面是世界范围的远距离海底光纤通信，另一方面则是各种地区网。后者包括高速计算机网、航空电子系统、卫生通讯网、高清晰度闭路电视网等。但就目前而言，激光唱机是这类器件的最大市场。其他应用包括高速打印、自由空间光通信、固体激光泵浦源、激光指示，及各种医疗应用等。晶体管利用一种称为半导体的材料的特殊性能。电流由运动的电子承载。普通的金属，如铜是电的好导体，因为它们的电子没有紧密的和原子核相连，很容易被一个正电荷吸引。其它的物体，例如橡胶，是绝缘体 --电的不良导体--因为它们的电子不能自由运动。半导体，正如它们的名字暗示的那样，处于两者之间，它们通常情况下象绝缘体，但是在某种条件下会导电。
我国半导体产业现状及前景分析全球半导体产业向亚太转移，我国半导体产业融入全球产业链全球半导体市场规模06年达到亿美元。主要应用领域包括计算机、消费电子、通信等。在电子制造业转移和成本差异等因素的作用下，全球半导体产业向亚太地区转移趋势明显。我国内地半导体产业发展滞后于先进国家，内地企业多位于全球产业链的中下游环节。我国半导体产业成为全球产业链的组成部分，产量和产值提高迅速，但是产品技术含量和附加值偏低。2007年半导体产业大幅波动，长远发展前景良好半导体产业的硅周期难以消除。2007年上半年，在内存价格上升等因素作用下，全球半导体市场增速明显下滑。至2007年下半年，由于多余库存的降低、资本支出的控制，半导体市场开始回升。预计2008年，半导体产业增速恢复到一个较高的水平。长远来看，支撑半导体产业发展的下游应用领域仍然处在平稳发展阶段，半导体产业的技术更新也不曾停滞。产品更新与需求形成互动，推动半导体产业持续增长。我国半导体市场规模增速远快于全球市场我国半导体市场既受全球市场的影响，也具有自身的运行特点。我国半导体应用产业中，PC等传统领域仍保持平稳增长，消费电子、数字电视、汽车电子、医疗电子等领域处于快速成长期，3G通信等领域处于成长前期。我国集成电路市场规模增速远快于全球市场，是全球市场增长的重要拉动元素。2006年，我国集成电路市场已经成为全球最大市场。我国半导体产业规模迅速扩大，产业结构逐步优化我国半导体产业规模同样快速提高。在封装测试业保持高速增长的同时，设计和制造业的比例逐步提高，产业结构得到优化。在相关管理部门、科研机构和企业的共同努力下，我国系统地开展了标准制定和专利申请工作，有效地保障本土企业从设计、制造等中上游产业链环节分享内地快速增长的电子设备市场。分立器件、半导体材料行业是我国半导体产业的重要组成部分集成电路是半导体产业的最大组成部分。分立器件、半导体材料和封装材料也是半导体产业的重要组成部分。我国内地分立器件和半导体材料市场和产业也处于快速增长之中。上市公司我国内地半导体产业上市公司面对诸多挑战。技术升级和产品更新是企业生存发展的前提。半导体材料生产企业有较强的定价能力，在保持产品换代的前提下，有较大的成长空间；封装测试公司整体状况较好；分立器件企业发展不均。全球半导体产业简况根据WSTS统计，2006年全球半导体市场销售额达2477亿美元，比2005年增长；产量为5192亿颗，比2005年增长；ASP为美元，比2005年下降。从全球范围来看，包括计算机(Computer)、通信(Communication)、消费电子(ConsumerElectronics)在内的3C产业是半导体产品的最大应用领域，其后是汽车电子和工业控制等领域。美、日、欧、韩以及中国台湾是目前半导体产业领先的国家和地区。2006年世界前25位的半导体公司全部位于美国、日本、欧洲、韩国。2005年，美国和日本分别占有48%和23%的市场份额，合计达71%。韩国和台湾的半导体产业进步很快。韩国三星已经位列全球第二；台积电(TSMC)的收入在2007年上半年有了很大的提高，排名快速升至第6，成为2007年上半年进入前20名的唯一一家台湾公司，这从一个侧面反映了台湾代工业非常发达。中国市场简况中国已经成为全球第一大半导体市场，并且保持较高的增长速度。2006年，中国半导体市场规模突破5800亿，其中集成电路市场达4863亿美元，比2005年增长，远高于全球市场的增速。我国市场已经达到全球市场份额的四分之一强。在市场增长的同时，我国半导体产业成长迅速。以集成电路产业为例，2006年国内生产集成电路亿块，同比增长。实现收入亿元，同比增长。我国半导体产业规模占世界比重还比较低，但远高于全球总体水平的增长率让我们看到了希望。中国集成电路的应用领域与国际市场有类似之处。2006年，3C(计算机、通信、消费电子)占了全部应用市场的，高于全球比例。而汽车电子的比例，比起2005年的有所提高，仍明显低于全球市场的。与此相对应的是，我国汽车市场销量呈增长态势，汽车电子国产化比例逐步提高。这说明，在汽车电子等领域，我国集成电路应用仍有较大成长空间。我国在国际半导体产业中所处地位我国半导体市场进口率高，超过80%的半导体器件是进口的。国内半导体产业收入远小于国内市场规模。2006年国内IC市场规模达5800亿，而同期国内IC产业收入是亿。我国有多个电子信息产品产量已经位居全球第一，包括台式机、笔记本电脑、手机、数码相机、电视机、DVD、MP3等。中国已超过美国成为世界上最大的集成电路产品应用国。但目前国内企业只能满足不到20%的集成电路产品需求，其他依赖进口。中国大陆市场的半导体产品前十名的都是跨国公司。这十家公司平均21%的收入来自中国市场。这与中国市场占全球市场规模的比例基本吻合。2006年这十家公司在中国的收入总和占到中国大陆半导体市场规模的。上述两组数字从另一个侧面反映出跨国公司占有国内较高市场份额。国内半导体市场对进口产品依赖性高。虽然我国半导体进口量非常大，但出口比例也非常高。2005年国内半导体产品有64%出口。这种现象被称为“大进大出”，主要是由我国产业链特点造成的。总的来看，我国IC进口远远超过出口。据海关统计，2006年我国集成电路和微电子组件进口额为1035亿美元，出口额为200亿美元，逆差巨大。由于我国具有劳动力竞争优势，国际半导体企业把技术含量相对较低、劳动密集型的产业链环节向我国转移。我国半导体产业逐渐成为国际产业链的一环。产业链调整和转移的结果是，我国半导体产业在低技术、劳动密集型和低附加值的环节得到了优先发展。2006年，我国IC设计、制造和封装测试业所占的比重分别是、和。一般认为比较合理的比例是3:4:3。封装测试在我国先行一步，发展最快，规模也最大，是全球半导体产业向中国转移比较充分的环节。而处于上游的IC设计成为最薄弱的环节。芯片制造业介于前两者之间，目前跨国公司已经开始把芯片制造逐步向我国转移，中芯国际等国内企业发展也比较快。这样的产业结构特点说明，国内的半导体企业多数并未直接面对半导体产品的用户—电子设备制造商和工业、军事设备制造商，甚至多数也没有直接分享国内市场。更多的是充当国际半导体产业链的一个中间环节，间接服务于国际国内电子设备市场。这种结构，利润水平偏低，定价能力不强，客户结构对于企业业绩影响较大。究其原因，还是国内技术水平低，高端核心芯片、关键设备、材料、IP等基本依赖进口，相关标准和专利受制于人。国内企业发展也不够成熟，规模偏小，设计、制造、应用三个环节脱节。与产业链地位相对应，我国大陆的企业多为Foundry(代工)企业，这与台湾的产业特点相类似。国际上大的半导体跨国公司多为IDM形式。2007全球半导体市场波动，未来增长前景良好半导体产业长期具有行业波动性硅周期性依然将长期存在。这是由半导体产业所处的位置决定的。半导体产业本身具有较长的产业链环节。同时，半导体产业本身是电子设备大产业链的一个中间环节。下游需求和价格变动等外在扰动因素、产业技术升级等内在扰动因素必然在整个产业链产生传导作用。传导过程存在延时，从而导致半导体公司的反应滞后。半导体产业只有提高自身的下游需求预见性，及早对价格、需求和库存等变动做出预测，从而尽量减小波动的幅度。但是，半导体产业的波动性将长期存在。2006年全球手机销售量增加21%2006年全球手机销售量为亿部，同比增长21%，其中，2006年四季度售出亿部，占全年。Gartner预测2007年手机销量为12亿部，比2006年增加2亿部。手机市场增长平稳。手机作为个人移 动终端，除了通信和已经得到初步普及的音乐播放功能外，将集成越来越多的功能，包括GPS、手机电视等等。3G的逐渐部署也极大促进手机市场的增长。手机用芯片包括信号处理、内存和电源管理等。图9反映了手机用内存需求的增加情况。2006至2011年全球数字电视机市场将增长一倍iSuppli预测，从2006年至2011年全球数字电视机半导体市场将增长一倍，从71亿美元增至142亿美元。数字电视机的芯片应用包括输入/输出电路、驱动电路、电源管理等方面。带动数字电视机增长的因素有多种，包括平板电视价格下降，新一代DVD播放机普及，高清电视推广等。此外，许多国家的政府都宣布了从模拟电视切换到数字电视广播系统的计划。例如，2009年2月17日，全美模拟电视将停播，全部切换为数字电视广播。中国内地半导体产业的“生态”环境中国大陆半导体产业作为国际产业链的一个环节，企业形态以代工型企业(foundry)为主，产业结构偏重封装测试环节，半导体制造快速发展，未来我国半导体产业与国际产业大环境的联系将愈发密切。总的来看，国内企业规模和市场份额相对较小，产品单一，企业发展和技术水平还不够成熟稳定，行业处于成长期。下游通信、消费电子、汽车电子等产业同样是正在上升的市场，发展程度低于国际先进水平，发展速度快于国际平均水平。各种因素共同作用，使得我国半导体产业发展并非完全与国际同步，具备自身的产业“生态环境”，具有不同的发展特点。2007年上半年，虽然全球市场增速只有2%，但我国内地依然保持了较高的增长速度。上半年中国集成电路总产量同比增长，达到亿块。共实现销售收入总额亿元，同比增长。收入增长与2006上半年的48%相比有所回落，部分是受国际市场的影响，但相当大的程度还是国内产业收入基数增大等因素及内在发展规律所致。我国半导体市场和产业规模增长远快于全球整体增速受益于国际电子制造业向我国内地转移，以及国内计算机、通信、电子消费等需求的拉动，我国内地半导体市场规模的增长远快于全球市场的增长速度，已经成为全球半导体市场增长的重要推动区域。作为半导体产业的重要组成部分，国内集成电路产业规模也是全球增长最快的。上世纪90年代初，我国IC产业规模仅有10亿元，至2000年突破百亿元，用了近10年时间；而从2000年的百亿元增至2006年的千亿元，只用了6年时间。今年年底，中国集成电路产业收入总额有望超过全球8%，提前实现我国“十一五”规划提出的“到2010年国内集成电路产业规模占全球8%份额”的目标。我国半导体应用产业处在高速发展阶段PC、手机等传统领域发展依然平稳，同时多媒体播放GPS和手机电视为手机等移 动终端带来了新的增长点。我国数字电视、3G、汽车电子、医疗电子等领域发展进程有别于国际水平，未来几年内将进入高速发展阶段，有力促进国内半导体需求。抢占标准制高点，充分利用国内市场资源其实，从目前的角度来看，我国市场规模的快速增长，国内企业在某种程度的程度还不是直接受益者。这是由国内半导体产业在国际产业链中所处的位置所决定的。这一情况在逐步改善，其中最重要的一点，就是我国在标准和专利方面取得突破。国内的管理部门、专家团队、科研机构和企业已经具有了产业发展的规划能力和前瞻性。在国内相关发展规划的指导下，产业管理部门、科研机构和企业的共同努力，促使3G通信标准TD-SCDMA、数字音视频编解码标准AVS标准、数字电视地面传输国家标准DTMB等系列国内标准出台；手机电视标准虽然尚未明确，但CMMB等国内标准已经打下了良好的基础。这些国有标准虽然未必使国内公司独享这些领域的半导体设计和制造市场，但是标准的制定主要是依靠国内科研机构和企业。在标准制定的过程之中，这些科研机构和企业已经系统地实现了相关技术，研发出了验证产品，取得先入优势。标准制定的同时，国内科研机构已经开展专利池的建设。这样，国内半导体产业就具备了分享这些领域的国内市场的有利条件。我们有理由相信，国内数字电视、消费电子等产业进一步发展，已经对国内半导体产业等上游产业具有了昔日不可比拟的带动能力，本土半导体公司可以更加直接的“触摸”到国内半导体应用产业了。产业链结构缓慢向上游迁移自有标准体系的建立，使国内半导体产业的发展具备了一定的优势。身处有利的“生态环境”内，我国半导体产业发展前景良好。目前，我国半导体产业结构已经在逐渐发生变化。2002年，中国IC设计、制造和封装测试业所占的比重分别为、、和，2006年，这一数字变为、和。设计、制造、封装测试三业并举，我国半导体产业才能产生更好的协同作用，国际公认的合理比例是3:4:3。我国半导体产业比例的改变，说明我国集成电路产业在向中上游延伸，但距离理想的比例还有差距。设计和制造业需要更快的提高。芯片设计水平和收入逐步提高从集成电路产业链的角度来看，只有掌握了设计，使产业链结构趋于合理，才能掌握我国IC产业的主动权，才能进入IC产业的高附加值领域。近年来，我国集成电路的设计水平不断提高。20%的设计企业能够进行微米、100万门的IC设计，最高设计水平已达90纳米、5000万门。虽然我国半导体产业很多没有直接分享国内3G、消费电子等领域的高成长。但是，这些领域确实对我国IC设计业的发展提供了良好的发展契机。例如，鼎芯承担了中国3G“TD-SCDMA产业化”国家专项，并在2006年成为中国TD产业联盟第一家射频成员；展讯通信(上海)有限公司是一家致力于手机芯片研发的半导体企业，2006年的销售额达亿元。内地排名第一的芯片设计企业是珠海炬力集成电路设计有限公司(晶门科技总部位于香港)，MP3芯片产品做的比较成功，去年的销售额达到了亿美元。中星微电子和展讯通信公司先后获得国家科技最高奖—国家科技进步一等奖。芯片生产线快速增长我国新建IC芯片生产线增长很快。从2006年至今增加了10条线，平均每年增加6条。已经达到最高90纳米、主流技术微米的技术水平。12英寸和8英寸芯片生产线产能在国内晶圆总产能中所占的比重则已经超过60%。跨国企业加快了把芯片制造环节向国内转移的速度，Intel也将在大连投资25亿兴建一座芯片生产厂。建成投产后形成月产12英寸、90纳米集成电路芯片52000片的生产能力，主要产品为CPU芯片组。目前我国大尺寸线比例仍然偏小，生产线的总数占全世界的比例也还小于10%。“十一五”期间我国IC生产线有望保持快速增加。
半导体射线探测器最初约年研究核射线在晶体上作用, 表明射线的存在引起导电现象。但是, 由于测得的幅度小、存在极化现象以及缺乏合适的材料, 很长时间以来阻碍用晶体作为粒子探测器。就在这个时期, 气体探测器象电离室、正比计数器、盖革计数器广泛地发展起来。年, 范· 希尔顿首先较实际地讨论了“ 传导计数器” 。在晶体上沉积两个电极, 构成一种固体电离室。为分离人射粒子产生的载流子, 须外加电压。许多人试验了各种各样的晶体。范· 希尔顿和霍夫施塔特研究了这类探测器的主要性质, 产生一对电子一空穴对需要的平均能量, 对射线作用的响应以及电荷收集时间。并看出这类探测器有一系列优点由于有高的阻止能力, 人射粒子的射程小硅能吸收质子, 而质子在空气中射程为, 产生一对载流子需要的能量比气体小十倍, 在产生载流子的数目上有小的统计涨落, 又比气体计数器响应快。但是, 尽管霍夫施塔特作了许多实验,使用这种探侧器仍受一些限制, 像内极化效应能减小外加电场和捕捉载流子, 造成电荷收集上的偏差。为了避免捕捉载流子, 需外加一个足够强的电场。结果, 在扩散一结, 或金属半导体接触处形成一空间电荷区。该区称为耗尽层。它具有不捕捉载流子的性质。因而, 核射线人射到该区后, 产生电子一空穴载流子对, 能自由地、迅速向电极移动, 最终被收集。测得的脉冲高度正比于射线在耗尽层里的能量损失。要制成具有这种耗尽层器件是在年以后, 这与制成很纯、长寿命的半导体材料有关。麦克· 凯在贝尔电话实验室, 拉克· 霍罗威茨在普杜厄大学首先发展了这类探测器。年, 麦克· 凯用反偏锗二极管探测“ 。的粒子, 并研究所产生的脉冲高度随所加偏压而变。不久以后, 拉克· 霍罗威茨及其同事者测量一尸结二极管对。的粒子, “ , 的刀粒子的反应。麦克· 凯进行了类似的实验, 得到计数率达, 以及产生一对空穴一电子对需要的能量为土。。麦克· 凯还观察到,加于硅、锗一结二极管的偏压接近击穿电压时, 用一粒子轰击, 有载流子倍增现象。在普杜厄大学, 西蒙注意到用粒子轰击金一锗二极管时产生的脉冲。在此基础上, 迈耶证实脉冲幅度正比于人射粒子的能量, 用有效面积为二“ 的探测器, 测。的粒子, 得到的分辨率为。艾拉佩蒂安茨研究了一结二极管的性质, 载维斯首先制备了金一硅面垒型探测器。年以后, 许多人做了大量工作, 发表了广泛的著作。沃尔特等人讨论金一锗面垒型探测器的制备和性质, 制成有效面积为“ 的探测器, 并用探测器, 工作在,测洲的粒子, 分辨率为。迈耶完成一系列锗、硅面垒型探测器的实验用粒子轰击。年, 联合国和欧洲的一些实验室,制备和研究这类探测器。在华盛顿、加丁林堡、阿什维尔会议上发表一些成果。如一结和面垒探测器的电学性质, 表面状态的影响, 减少漏电流, 脉冲上升时间以及核物理应用等等。这种探测器的发展还与相连的电子器件有很大关系。因为, 要避免探测器的输出脉冲高度随所加偏压而变, 需一种带电容反馈的电荷灵敏放大器。加之, 探测器输出信号幅度很小, 必需使用低噪声前置放大器, 以提高信噪比。为一一满足上述两个条件, 一般用电子管或晶体管握尔曼放大器, 线幅贡献为。在使用场效应晶体管后, 进一步改善了分辨率。为了扩大这种探测器的应用, 需增大有效体积如吸收电子需厚硅。采用一般工艺限制有效厚度, 用高阻硅、高反偏压获得有效厚度约, 远远满足不了要求。因此, 年, 佩尔提出一种新方法, 大大推动这种探测器的发展。即在型半导体里用施主杂质补偿受主杂质, 能获得一种电阻率很高的材料虽然不是本征半导体。因为铿容易电离, 铿离子又有高的迁移率, 就选铿作为施主杂质。制备的工艺过程大致如下先把铿扩散到型硅表面, 构成一结构, 加上反向偏压, 并升温, 锉离一子向区漂移, 形成一一结构, 有效厚度可达。这种探测器很适于作转换电子分光器, 和多道幅度分析器组合, 可研究短寿命发射, 但对卜射线的效率低, 因硅的原子序数低。为克服这一点, 采用锉漂移入锗的方法锗的原子序数为。年, 弗莱克首先用型锗口,按照佩尔方法, 制成半导体探测器,铿漂移长度为, 测‘“ 、的的射线, 得到半峰值宽度为直到年以前, 所有的探测器都是平面型, 有效体积受铿通过晶体截面积到“和补偿厚度的限制获得补偿厚度约, 漂移时间要个月, 因此, 有效体积大于到” 是困难的。为克服这种缺点, 进一步发展了同轴型探测器。年, 制成高分辨率大体积同轴探测器。之后, 随着电子工业的发展而迅速发展。有效体积一般可达几十“ , 最大可达一百多“ , 很适于一、一射线的探测。年以后广泛地用于各个部门。最近几年, 半导体探测器在理论研究和实际应用上都有很大发展。
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“计算机组成原理”课程论文摘要：《计算机组成原理》是计算机科学与技术专业的一门核心的专业必修课程。本门课程采用从计算机的整体知识框架入手，逐步展开说明。详细讲述了计算机组成原理，计算机是一台由许多独立部件构成的机器，它的功能可由其各个独立部件的功能来描述，而每个独立部件又可以由其内部更精细的结构和功能来描述。根据计算机组成原理的结构，本门课程把课程内容分为四大模块：（1）计算机的概论；（2）计算机系统的硬件结构；（3）中央处理器；（4）控制单元；四个模块一次递进，逐步进入计算机的内核部分。计算机系统由“硬件”和“软件”两大部分组成。计算机的软件由可以分为“系统软件”和“应用软件”两种。系统软件用来管理计算机；应用软件用来实现各项用户功能。计算机软件实现这些功能的基础是硬件的支持。在一定程度上硬件的功能和软件的功能可以相互替代，硬件的功能是速度快，但实现起来难度大，电路复杂，可移植性查；软件更加灵活，但是运行的素的并硬件慢很多。一、本书主要知识点第一篇 概论1、第一章 计算机系统概论（1）主要知识点本章重点突出计算机组成的概貌和框架，由此简洁明了地了解计算机内部的工作过程实际上是指令流和数据流在此框架内由I/O→存储器→CPU→存储器→I/O 的过程，是通过逐条取指令、分析指令和执行指令来运行程序的。同时要了解到当今计算机尽管发展到千变万化的程度，但其最根本的组成原理还是基于冯诺依曼的结构。（2）内容掌握情况本章介绍了计算机硬件的基本组成、计算机体系结构、以及计算机系统层次结构。通过本章的学习对于计算机的宏观结构有了一个总体的概念，明白了计算机是由运算器、存储器、控制器、输入设备和输出设备五大部件组成计算机系统，并规定了这五部分的基本功能。通过没个基本部件实现相关的功能，从而形成一个完整的计算机框架结构。图1 计算机的结构冯诺依曼计算机的特点是本章学习的重点内容，事先将程序(包含指令和数据)存入主存储器中，计算机在运行程序时就能自动地、连续地从存储器中依次取出指令且执行。这是计算机能高速自动运行的基础。计算机的工作体现为执行程序，计算机功能。如果程序现在是顺序执行的，每取出一条指令后PC内容加l，指示下一条指令该从何处取得.如果程序将转移到某处，就将转移的目标地址送入PC，以便按新地址读取后继指令。所以，PC就像一个指针，一直指示着程序的执行进程，也就是指示控制流的形成。虽然程序与数据都采用二进制代码，仍可按照PC的内容作为地址读取指令，再按照指令给出的操作数地址去读取数据。 通过第一章的学习，从宏观上引入了计算机的组成原理和工作原理，本书就是围绕计算机的这种结构，展开说明计算的组成以及如何工作的。2、第二章 计算机的发展及应用第二章作为自学内容，讲述了计算机的发展史，通过历史来展示现在计算机所处的发展阶段。从1946 年ENIAC 诞生到二十世纪五、六十年代，由于构成计算机的元器件发展变化（由电子管→晶体管→集成电路），使计算机的性能有了很大提高，每隔6 至7 年，计算机便更新换代一次，运算速度约提高一个数量级。而到了二十世纪七十年代，自从Intel 公司生产了第一个微处理器芯片后，随着集成度成倍的提高，以每隔18 个月表1 计算机的发展历程芯片上的晶体管数就翻一番的速度使计算机得到极为广泛的应用，以至整个社会从制造时代进入到信息时代，出现了知识大爆炸。第二篇 计算机系统的硬件结构3、第三章 系统总线图2 总线实现结构示意图总线是计算机中一个非常重要的部件，在计算机中，各个部件之间是相对独立工作的。但是各个部件之间的联系又是非常紧密的，彼此之间需要大量的数据交换。为此引出了总线这个部件。计算机系统的五大部件之间互联方式有两种，一种是各个部件之间使用单独的连线，称为分散链接；另一种是将各部件连到一组公共信息传输线上，称为总线连接。本章重点研究总线的连接方式。总线是连接多个部件的信息传输线，是各个部件共享的传输介质。总线按照传输方式可以分为并行传输总线和串行传输总线；总线按照连接部件的不同可以分为片内总线、系统总线和通信总线。总线的特性和性能指标，根据总线的不同分别研究了总线的特性、性能标准和总线的行业标准。总线的用处不同则有单总线结构和多总线结构。由于总线是多个部件同时使用，因此存在总线的判优逻辑。4、第四章 存储器存储器是计算机系统中的记忆设备，用来存放程序和数据。随着计算机发展，存储器在系统中的地步越来越重要。图3 存储器的分类存储器在计算机中可实现如下功能：输入设备输入程序和数据,存储器写操作；CPU读取指令,存储器读操作；CPU执行指令时需读取操作数,存储器读操作；CPU将处理的结果存入存储器 ,存储器写操作；输出设备输出结果, 存储器读操作；对于一个存储器来说需要明白以下概念：存储元：存储器的最小组成单位，用以存储1位二进制代码。存储单元：是CPU访问存储器基本单位，由若干个具有相同操作属性的存储元组成。单元地址：在存储器中用以标识存储单元的唯一编号，CPU通过该编号访问相应的存储单元。字存储单元：存放一个字的存储单元，相应的单元地址叫字地址。字节存储单元：存放一个字节的存储单元，相应的单元地址叫字节地址按字寻址计算机：可编址的最小单位是字存储单元的计算机。按字节寻址计算机：可编址的最小单位是字节的计算机。存储体：存储单元的集合，是存放二进制信息的地方。本章运用以前学过的电路知识和本章所学的半导体存储芯片，设计存储器和CPU 的连接电路。注意要合理选用芯片，以及CPU 和存储器芯片之间的地址线、数据线和控制线的连接。5、第五章 输入输出系统输入输出系统是计算机中一个非常重要的逻辑部件。随着计算机系统的不断发展，应用范围不断扩大，I/O设备的数量和种类也越来越多，它们与主机的联络方式及信息的交换方式也不相同。由于输入输出设备工作速度与计算机主机的工作速度极不匹配.为此，既要考虑到输入输出设备工作的准确可靠，又要充分挖掘主机的工作效率。本章重点分析I/O设备与主机交换信息的三种控制方式（程序查询、中断和DMA）及其相应的接口功能和组成，对记住几种常用的I/O设备也进行简单介绍。（1）程序中断方式 中断：计算机在执行正常程序的过程中，出现某些异常事件或某种请求时，处理器暂停执行当前程序，转而执行更紧急的程序，并在执行结束后,自动恢复执行原先程序的过程。 特点： 硬件结构较查询方式复杂些、服务开销时间较大、主程序与设备并行运行,CPU效率较高，具有实时响应的能力。 （2）中断处理过程。中断处理过程为：中断请求→中断源识别判优→中断响应→中断处理→中断返回中断源： 引起中断事件的来源。判优： 找出优先级最高的中断源给予响应。中断源识别：采用的方法有： 软件查询法；硬件排队法； 矢量中断。CPU响应中断的条件：至少有一个中断源请求中断； CPU允许中断；当前指令执行完。中断响应的工作--由硬件自动完成：关中断；保留断点信息；转到中断处理程序入口。中断处理--由软件（中断处理程序）完成。 （3）DMA传送方式特点：解决与CPU共享主存的矛盾；停止CPU访问内存CPU效率低；周期挪用，适用于外设读取周期大于内存存取周期；DMA与CPU交替访问。 适用于CPU工作周期比内存存取周期长得多的情况。第三篇 中央处理器6、第六章 计算机的运算方法计算机的应用领域极其广泛，但不论其应用在什么地方，信息在机器内部的形式都是一致的，即为0和1组成的各种编码。本章主要介绍参与运算的各类数据，以及它们在计算机中的算术运算方法。计算机中有符号数、无符号数、定点数和浮点数的各种表示，以及移位、定点补码加减运算、定点原码一位乘和两位乘及补码Booth 算法、定点原码和补码加减交替除法，以及浮点补码加减运算。本章的知识难度较大，首先研究数据的表示方法，有无符号数和有符号数。数的表示存在顶点表示和浮点表示。本章的难点在于计算机中数据的运算，定点运算、浮点四则运算。本章还研究了计算机的计算部件——算术逻辑单元。图4 ALU电路7、第七章 指令系统本章主要介绍及其指令系统的分类、常见的寻址方式、指令格式以及设计指令系统时应考虑的问题。了解机器的指令系统决定了一台计算机的功能，而一旦计算机的指令系统确定以后，计算机的硬件必须给予支持。指令系统主要体现在它的操作类型、数据类型、地址格式和寻址方法等方面。要求掌握不同的寻址方式对操作数寻址范围以及对编程的影响，掌握不同的寻址方式所要求的硬件和信息的加工过程。用计算机解题时，一般都要编制程序，程序既可用高级语言编写，亦可用机器语言编写；但计算机只能够识别和执行用机器语言编写的程序；各种高级语言编写的应用程序，最终都要翻译成机器语言来执行。机器语言是由一系列的指令（语句）组成的；指令的格式就是机器语言的语法；每条指令规定机器完成一定的功能。一台计算机的所有的指令集合称为该机的指令系统或指令集。它是程序工作者编制程序的基本依据，也是进行计算机逻辑设计的基本依据。本章中提出了对于机器指令的格式要求以及操作数和操作类型。通过本章的学习认识了指令的寻址方式，并初步了解RISC技术的产生和发展。本章的难点在于指令的寻址方式、操作数寻址方式；形成指令地址的方式，称为 指令寻址方式 。有顺序寻址和跳跃寻址两种，由指令计数器来跟踪。形成操作数地址的方式，称为 数据寻址方式 。操作数可放在专用寄存器、通用寄存器、内存和指令中。数据寻址方式有隐含寻址、立即寻址、直接寻址、间接寻址、寄存器寻址、寄存器间接寻址、相对寻址、基址寻址、变址寻址、块寻址、段寻址等多种。 8、第八章 CPU的结构和功能通过本章的学习CPU的功能和基本组成， CPU的基本部分由 运算器、cache 和 控制器 三大部分组成。 CPU需具有四方面的基本功能： 指令控制 、操作控制 、 时间控制 、数据加工。 数据通路 是许多寄存器之间传送信息的通路。图5 CPU的内部结构指令的周期和指令的流水式本章研究的又一个重点内容。CPU从存储器取出一条指令并执行这条指令的时间和称为指令周期。由于各种指令的操作功能不同，各种指令的指令周期是不尽相同的。划分指令周期，是设计操作控制器的重要依据 。第四篇 控制单元9、第九章 控制单元的设计根据指令周期的4个阶段，控制单元为完成不同指令所发出的各种操作命令控制计算机的所有部件有次序地完成相应的操作，以达到执行程序的目的。计算机的功能就是执行程序。在执行程序的过程中，控制单元要发出各种微操作命令，而且不同的指令对应不同的命令。完成不同指令的过程中，有些操作时相同或相似的，如取指令、取操作数地址以及中断周期。10、第十章 控制单元的设计本章介绍控制单元的两种设计方法，要求初步掌握控制单元的两种设计方法，从而进一步理解组合逻辑控制器和微程序控制器在设计思想、硬件组成及其工作原理方面的不同。结合时序系统的概念，学会按不同指令要求，写出其相应的微操作命令及节拍安排。操作控制器设计方法硬布线控制器:组合逻辑型，采用组合逻辑技术实现；微程序控制器 存储逻辑型，以微程序解释执行机器指令，采用存储逻辑技术实现；门阵列控制器 组合逻辑与存储逻辑结合型，采用可编程逻辑器件实现。微命令是指控制部件通过控制线向执行部件发出的各种控制命令，是构成控制信号序列的最小单位。微操作是执行部件接受微命令后所进行的操作，是计算机硬件结构中最基本的操作。微周期是从控存中读取一条微指令并执行相应的一步操作所需的时间。微指令是由每个微周期的操作所需的控制命令构成一条微指令。微指令包含了若干微命令信息。微程序即一系列微指令的有序集合，可以控制实现一条机器指令。二、学习体会“计算机组成原理”是本学期的一门重点课程，通过本学期的学习发现该课程的学习难度较大，知识点很多，而且各个知识点之间的联系并不多。因此对于该课程的学习显得十分吃力。通过一个学期的学习使我逐渐理解计算机系统的层次结构。本门课程主要是学习计算机的组成结构，例如计算机是由哪些部件组成的，各个部件之间存在什么样的关系，这些关系是如何联系的，以及这些部件内部是如何工作的。在指令系统中体现了机器的属性，但指令的实现，即如何取指令、分析指令、取操作数、运算、送结果等，这些都是计算机组成原理所研究的范围。该课程向我们展示了一台计算机从宏观上是如何工作的，同时又对计算机的组成部件分开进行演示。我们从大一开始学习了程序设计课程（C语言和C++程序程序设计语言），通过这两门的课的学习，使我们初步了解了软件的工作方式，但是对于计算机在机器层面上的功过模式感到很陌生，之前学习的程序设计课程是基于高级程序设计语言，更加接近自然语言，而计算机只能处理有0和1组成的二进制代码。高级程序所描绘的语言如何通过计算机硬件转换成为计算机能够识别的二进制代买。由二进制代码组成的指令在机器中是如何运行的。本课程在“数字逻辑”的基础之上展开对计算机的描述。本门课程的学习所要把握的一个重点关键词是“数据通路”，计算机处理的始终是数字信号，计算机中的所有功能都是通过数字所表示的信息来是实现的。在计算机中，数据是如何从外部进入计算中的，这就引入了输入输出系统（I/O），I/O系统将外界的物理信号或者模拟信号转换成计算机能够识别的数字信号，通过总线系统输入计算机中，并将计算机处理后的数字信号转换成相应的模拟信号在某些外设中输出。计算机需要处理大量数据，因此需要在计算机中设立相应的存储设备用来存储信号。计算机中的存储设备分为主存和外村，它们之间可以通过总线相互交换数据。CPU是计算机汇总的核心部件，CPU包含运算器和控制器两大部分，根据冯诺依曼结构，计算机可自动完成取指令和执行指令的过程，控制器就是完成此项工作的，它负责协调并控制计算机各部件执行程序的指令序列，其基本功能是取指令、分析指令和执行指令。由于计算机中存在着五大部件，并通过这些部件的协调配合工作，使计算机能够完成各种各样的功能。
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半导体技术一般会很快被收录，因为它是技术发展中的一个重要领域，而且已经受到了各个行业的高度关注。半导体技术涉及到电子产品的制造、研究和应用，而且由于它的重要性，它在技术发展中扮演着重要的角色。
集成电路芯片封装技术浅谈 自从美国Intel公司1971年设计制造出4位微处a理器芯片以来，在20多年时间内，CPU从Intel4004、80286、80386、80486发展到Pentium和PentiumⅡ，数位从4位、8位、16位、32位发展到64位;主频从几兆到今天的400MHz以上，接近GHz;CPU芯片里集成的晶体管数由2000个跃升到500万个以上;半导体制造技术的规模由SSI、MSI、LSI、VLSI达到 ULSI。封装的输入/输出（I/O）引脚从几十根，逐渐增加到几百根，下世纪初可能达2千根。这一切真是一个翻天覆地的变化。 对于CPU，读者已经很熟悉了，286、386、486、Pentium、Pentium Ⅱ、Celeron、K6、K6-2 ……相信您可以如数家珍似地列出一长串。但谈到CPU和其他大规模集成电路的封装，知道的人未必很多。所谓封装是指安装半导体集成电路芯片用的外壳，它不仅起着安放、固定、密封、保护芯片和增强电热性能的作用，而且还是沟通芯片内部世界与外部电路的桥梁--芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印制板上的导线与其他器件建立连接。因此，封装对CPU和其他LSI集成电路都起着重要的作用。新一代CPU的出现常常伴随着新的封装形式的使用。 芯片的封装技术已经历了好几代的变迁，从DIP、QFP、PGA、BGA到CSP再到MCM，技术指标一代比一代先进，包括芯片面积与封装面积之比越来越接近于1，适用频率越来越高，耐温性能越来越好，引脚数增多，引脚间距减小，重量减小，可靠性提高，使用更加方便等等。 下面将对具体的封装形式作详细说明。 一、DIP封装 70年代流行的是双列直插封装，简称DIP(Dual In-line Package)。DIP封装结构具有以下特点: 1.适合PCB的穿孔安装; 2.比TO型封装(图1)易于对PCB布线; 3.操作方便。 DIP封装结构形式有:多层陶瓷双列直插式DIP，单层陶瓷双列直插式DIP，引线框架式DIP(含玻璃陶瓷封接式，塑料包封结构式，陶瓷低熔玻璃封装式)，如图2所示。 衡量一个芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比，这个比值越接近1越好。以采用40根I/O引脚塑料包封双列直插式封装(PDIP)的CPU为例，其芯片面积/封装面积=3×3/×50=1：86,离1相差很远。不难看出，这种封装尺寸远比芯片大，说明封装效率很低，占去了很多有效安装面积。 Intel公司这期间的CPU如8086、80286都采用PDIP封装。 二、芯片载体封装 80年代出现了芯片载体封装，其中有陶瓷无引线芯片载体LCCC(Leadless Ceramic Chip Carrier)、塑料有引线芯片载体PLCC(Plastic Leaded Chip Carrier)、小尺寸封装SOP(Small Outline Package)、塑料四边引出扁平封装PQFP(Plastic Quad Flat Package)，封装结构形式如图3、图4和图5所示。 以焊区中心距，208根I/O引脚的QFP封装的CPU为例，外形尺寸28×28mm，芯片尺寸10×10mm，则芯片面积/封装面积=10×10/28×28=1：，由此可见QFP比DIP的封装尺寸大大减小。QFP的特点是: 1.适合用SMT表面安装技术在PCB上安装布线; 2.封装外形尺寸小，寄生参数减小，适合高频应用; 3.操作方便; 4.可靠性高。 在这期间，Intel公司的CPU，如Intel 80386就采用塑料四边引出扁平封装PQFP。 三、BGA封装 90年代随着集成技术的进步、设备的改进和深亚微米技术的使用，LSI、VLSI、ULSI相继出现，硅单芯片集成度不断提高，对集成电路封装要求更加严格，I/O引脚数急剧增加，功耗也随之增大。为满足发展的需要，在原有封装品种基础上，又增添了新的品种--球栅阵列封装，简称BGA(Ball Grid Array Package)。如图6所示。 BGA一出现便成为CPU、南北桥等VLSI芯片的高密度、高性能、多功能及高I/O引脚封装的最佳选择。其特点有: 引脚数虽然增多，但引脚间距远大于QFP，从而提高了组装成品率; 2.虽然它的功耗增加，但BGA能用可控塌陷芯片法焊接，简称C4焊接，从而可以改善它的电热性能: 3.厚度比QFP减少1/2以上，重量减轻3/4以上; 4.寄生参数减小，信号传输延迟小，使用频率大大提高; 5.组装可用共面焊接，可靠性高; 封装仍与QFP、PGA一样，占用基板面积过大; Intel公司对这种集成度很高(单芯片里达300万只以上晶体管)，功耗很大的CPU芯片，如Pentium、Pentium Pro、Pentium Ⅱ采用陶瓷针栅阵列封装CPGA和陶瓷球栅阵列封装CBGA，并在外壳上安装微型排风扇散热，从而达到电路的稳定可靠工作。 四、面向未来的新的封装技术 BGA封装比QFP先进，更比PGA好，但它的芯片面积/封装面积的比值仍很低。 Tessera公司在BGA基础上做了改进，研制出另一种称为μBGA的封装技术，按焊区中心距，芯片面积/封装面积的比为1:4，比BGA前进了一大步。 1994年9月日本三菱电气研究出一种芯片面积/封装面积=1:的封装结构，其封装外形尺寸只比裸芯片大一点点。也就是说，单个IC芯片有多大，封装尺寸就有多大，从而诞生了一种新的封装形式，命名为芯片尺寸封装，简称CSP(Chip Size Package或Chip Scale Package)。CSP封装具有以下特点: 1.满足了LSI芯片引出脚不断增加的需要; 2.解决了IC裸芯片不能进行交流参数测试和老化筛选的问题; 3.封装面积缩小到BGA的1/4至1/10，延迟时间缩小到极短。 曾有人想，当单芯片一时还达不到多种芯片的集成度时，能否将高集成度、高性能、高可靠的CSP芯片(用LSI或IC)和专用集成电路芯片(ASIC)在高密度多层互联基板上用表面安装技术(SMT)组装成为多种多样电子组件、子系统或系统。由这种想法产生出多芯片组件MCM(Multi Chip Model)。它将对现代化的计算机、自动化、通讯业等领域产生重大影响。MCM的特点有: 1.封装延迟时间缩小，易于实现组件高速化; 2.缩小整机/组件封装尺寸和重量，一般体积减小1/4，重量减轻1/3; 3.可靠性大大提高。 随着LSI设计技术和工艺的进步及深亚微米技术和微细化缩小芯片尺寸等技术的使用，人们产生了将多个LSI芯片组装在一个精密多层布线的外壳内形成MCM产品的想法。进一步又产生另一种想法:把多种芯片的电路集成在一个大圆片上，从而又导致了封装由单个小芯片级转向硅圆片级(wafer level)封装的变革，由此引出系统级芯片SOC(System On Chip)和电脑级芯片PCOC(PC On Chip)。 随着CPU和其他ULSI电路的进步，集成电路的封装形式也将有相应的发展，而封装形式的进步又将反过来促成芯片技术向前发展。
半导体技术涉及到电子工程、材料科学等复杂的学科和领域，近年来发展迅速。因此，半导体技术方面的研究成果和新技术发现的数量非常大，每年都有一大批相关的论文被发表在学术期刊上。目前，包括IEEE Transactions on Electron Devices、Applied Physics Letters、Journal of Applied Physics、Journal of Vacuum Science and Technology B等专业领域刊物都能够收录到先进的半导体技术相关的研究文章。此外，一些学术会议和国际半导体展览会也是重要的信息交流平台，这些会议和展会的论文集和展示资料也能够收录到很多最新的半导体技术成果。总体来说，随着半导体技术应用领域以及应用市场的不断扩大，对于半导体技术相关研究的需求也越来越高，因此相关的研究和成果也有较快的发展和收录速度。
锗、硅、硒、砷化镓及许多金属氧化物和金属硫化物等物体，它们的导电能力介于导体和绝缘体之间，叫做半导体。半导体具有一些特殊性质。如利用半导体的电阻率与温度的关系可制成自动控制用的热敏元件（热敏电阻）；利用它的光敏特性可制成自动控制用的光敏元件，像光电池、光电管和光敏电阻等。半导体还有一个最重要的性质，如果在纯净的半导体物质中适当地掺入微量杂质测其导电能力将会成百万倍地增加。利用这一特性可制造各种不同用途的半导体器件，如半导体二极管、三极管等。把一块半导体的一边制成P型区，另一边制成N型区，则在交界处附近形成一个具有特殊性能的薄层，一般称此薄层为PN结。图中上部分为P型半导体和N型半导体界面两边载流子的扩散作用（用黑色箭头表示）。中间部分为PN结的形成过程，示意载流子的扩散作用大于漂移作用（用蓝色箭头表示，红色箭头表示内建电场的方向）。下边部分为PN结的形成。表示扩散作用和漂移作用的动态平衡。
下面都是材料学的刊物,很多哟。序号 杂志全名 中译名1 NATURE 自然2 SCIENCE 科学3 SURFACE SCIENCE REPORTS 表面科学报告4 PROGRESS IN MATERIALS SCIENCE 材料科学进展5 PROGRESS IN SURFACE SCIENCE 表面科学进展6 PHYSICAL REVIEW LETTERS 物理评论快报7 MATERIALS SCIENCE & ENGINEERING R-REPORTS 材料科学与工程报告8 ADVANCES IN POLYMER SCIENCE 聚合物科学发展9 ADVANCED MATERIALS 先进材料10 ANNUAL REVIEW OF MATERIALS SCIENCE 材料科学年度评论11 APPLIED PHYSICS LETTERS 应用物理快报12 PROGRESS IN POLYMER SCIENCE 聚合物科学进展13 CHEMISTRY OF MATERIALS 材料化学14 PHYSICAL REVIEW B 物理评论B15 ADVANCES IN CHEMICAL PHYSICS 物理化学发展16 JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY 材料化学杂志17 ACTA MATERIALIA 材料学报18 MRS BULLETIN 材料研究学会（美国）公告19 BIOMATERIALS 生物材料20 CARBON 碳21 SURFACE SCIENCE 表面科学22 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 应用物理杂志23 CHEMICAL VAPOR DEPOSITION 化学气相沉积24 JOURNAL OF BIOMEDICAL MATERIALS RESEARCH 生物医学材料研究25 IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS IEEE量子电子学杂志26 CURRENT OPINION IN SOLID STATE & MATERIALS SCIENCE 固态和材料科学的动态27 DIAMOND AND RELATED MATERIALS 金刚石及相关材料28 ULTRAMICROSCOPY 超显微术29 EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL B 欧洲物理杂志 B30 JOURNAL OF THE AMERICAN CERAMIC SOCIETY 美国陶瓷学会杂志31 APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING 应用物理A－材料科学和进展32 NANOTECHNOLOGY 纳米技术33 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 真空科学与技术杂志B34 JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH 材料研究杂志35 PHILOSOPHICAL MAGAZINE A-PHYSICS OF CONDENSED MATTER STRUCTURE DEFECTS AND MECHANICAL PROPERTIES 哲学杂志A凝聚态物质结构缺陷和机械性能物理36 INTERNATIONAL JOURNAL OF NON-EQUILIBRIUM PROCESSING 非平衡加工技术国际杂志37 JOURNAL OF NEW MATERIALS FOR ELECTROCHEMICAL SYSTEMS 电化学系统新材料杂志38 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A-VACUUM SURFACES AND FILMS 真空科学与技术A真空表面和薄膜39 DENTAL MATERIALS 牙齿材料40 JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS 电子材料杂志41 JOURNAL OF NUCLEAR MATERIALS 核材料杂志42 INTERNATIONAL MATERIALS REVIEWS 国际材料评论43 JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS 非晶固体杂志44 JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS 磁学与磁性材料杂志45 OPTICAL MATERIALS 光学材料46 IEEE TRANSACTIONS ON APPLIED SUPERCONDUCTIVITY IEEE应用超导性会刊47 METALLURGICAL AND MATERIALS TRANSACTIONS A-PHYSICAL METALLURGY AND MATERIAL 冶金与材料会刊A——物理冶金和材料48 THIN SOLID FILMS 固体薄膜49 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS 物理杂志D——应用物理50 INTERMETALLICS 金属间化合物51 PHILOSOPHICAL MAGAZINE B-PHYSICS OF CONDENSED MATTER STATISTICAL MECHANICS 哲学杂志B－凝聚态物质统计力学52 SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY 表面与涂层技术53 JOURNAL OF BIOMATERIALS SCIENCE-POLYMER EDITION 生物材料科学—聚合物版54 MATERIALS RESEARCH INNOVATIONS 材料研究创新55 BIOMETALS 生物金属56 INTERNATIONAL JOURNAL OF PLASTICITY 塑性国际杂志57 SMART MATERIALS & STRUCTURES 智能材料与结构58 ADVANCES IN IMAGING AND ELECTRON PHYSICS 成像和电子物理发展59 SYNTHETIC METALS 合成金属60 JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN MEDICINE 材料科学杂志—医用材料61 SCRIPTA MATERIALIA 材料快报62 COMPOSITES PART A-APPLIED SCIENCE AND MANUFACTURING 复合材料 A应用科学与制备63 MODERN PHYSICS LETTERS A 现代物理快报A64 SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY 半导体科学与技术65 JOURNAL OF THE EUROPEAN CERAMIC SOCIETY 欧洲陶瓷学会杂志66 APPLIED SURFACE SCIENCE 应用表面科学67 MATERIALS TRANSACTIONS JIM 日本金属学会材料会刊68 PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH 固态物理A——应用研究69 MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECH 材料科学与工程B—先进技术用固体材料70 CORROSION SCIENCE 腐蚀科学71 JOURNAL OF PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLIDS 固体物理与化学杂志72 JOURNAL OF ADHESION SCIENCE AND TECHNOLOGY 粘着科学与技术杂志73 INTERNATIONAL JOURNAL OF REFRACTORY METALS & HARD MATERIALS 耐火金属和硬质材料国际杂志74 SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS 表面与界面分析75 INTERNATIONAL JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS 无机材料国际杂志76 SURFACE REVIEW AND LETTERS 表面评论与快报77 MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING A-STRUCTURAL MATERIALS PROPERTIES MICROST 材料科学和工程A—结构材料的性能、组织与加工78 NANOSTRUCTURED MATERIALS 纳米结构材料79 IEEE TRANSACTIONS ON ADVANCED PACKAGING IEEE高级封装会刊80 INTERNATIONAL JOURNAL OF FATIGUE 疲劳国际杂志81 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS 合金和化合物杂志82 JOURNAL OF NONDESTRUCTIVE EVALUATION 无损检测杂志83 MATERIALS SCIENCE & ENGINEERING C-BIOMIMETIC AND SUPRAMOLECULAR SYSTEMS 材料科学与工程C—仿生与超分子系统84 JOURNAL OF ELECTROCERAMICS 电子陶瓷杂志85 ADVANCED ENGINEERING MATERIALS 先进工程材料86 IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS IEEE磁学会刊87 PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH 固态物理B—基础研究88 JOURNAL OF THERMAL SPRAY TECHNOLOGY 热喷涂技术杂志89 MECHANICS OF COHESIVE-FRICTIONAL MATERIALS 粘着磨损材料力学90 ATOMIZATION AND SPRAYS 雾化和喷涂91 COMPOSITES SCIENCE AND TECHNOLOGY 复合材料科学与技术92 NEW DIAMOND AND FRONTIER CARBON TECHNOLOGY 新型金刚石和前沿碳技术93 MODELLING AND SIMULATION IN MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING 材料科学与工程中的建模与模拟94 INTERNATIONAL JOURNAL OF THERMOPHYSICS 热物理学国际杂志95 JOURNAL OF SOL-GEL SCIENCE AND TECHNOLOGY 溶胶凝胶科学与技术杂志96 HIGH PERFORMANCE POLYMERS 高性能聚合物97 MATERIALS CHEMISTRY AND PHYSICS 材料化学与物理98 METALLURGICAL AND MATERIALS TRANSACTIONS B-PROCESS METALLURGY AND MATERIALS 冶金和材料会刊B—制备冶金和材料制备科学99 COMPOSITES PART B-ENGINEERING 复合材料B工程100 CEMENT AND CONCRETE RESEARCH 水泥与混凝土研究101 JOURNAL OF COMPOSITE MATERIALS 复合材料杂志102 JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE 材料科学杂志103 JOURNAL OF ENGINEERING MATERIALS AND TECHNOLOGY-TRANSACTIONS OF THE ASME 工程材料与技术杂志—美国机械工程师学会会刊104 MATERIALS RESEARCH BULLETIN 材料研究公告105 JOM-JOURNAL OF THE MINERALS METALS & MATERIALS SOCIETY 矿物、金属和材料学会杂志106 JOURNAL OF BIOMATERIALS APPLICATIONS 生物材料应用杂志107 FATIGUE & FRACTURE OF ENGINEERING MATERIALS & STRUCTURES 工程材料与结构的疲劳与断裂108 JOURNAL OF ADHESION 粘着杂志109 COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE 计算材料科学110 IEEE TRANSACTIONS ON SEMICONDUCTOR MANUFACTURING IEEE半导体制造会刊111 MECHANICS OF COMPOSITE MATERIALS AND STRUCTURES 复合材料和结构力学112 PHASE TRANSITIONS 相变113 MATERIALS LETTERS 材料快报114 EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL-APPLIED PHYSICS 欧洲物理杂志—应用物理115 PHYSICA B 物理B116 ADVANCED COMPOSITES LETTERS 先进复合材料快报117 POLYMER COMPOSITES 聚合物复合材料118 CORROSION 腐蚀119 PHYSICS AND CHEMISTRY OF GLASSES 玻璃物理与化学120 JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS 材料科学杂志—电子材料121 COMPOSITE INTERFACES 复合材料界面122 AMERICAN CERAMIC SOCIETY BULLETIN 美国陶瓷学会公告123 APPLIED COMPOSITE MATERIALS 应用复合材料124 RESEARCH IN NONDESTRUCTIVE EVALUATION 无损检测研究125 PROGRESS IN CRYSTAL GROWTH AND CHARACTERIZATION OF MATERIALS 晶体生长和材料表征进展126 JOURNAL OF COMPUTER-AIDED MATERIALS DESIGN 计算机辅助材料设计杂志127 CERAMICS INTERNATIONAL 国际陶瓷128 POLYMER TESTING 聚合物测试129 ADVANCED PERFORMANCE MATERIALS 先进性能材料 130 SEMICONDUCTORS 半导体131 URNAL OF BIOACTIVE AND COMPATIBLE POLYMERSJO 生物活性与兼容性聚合物杂志132 HIGH TEMPERATURE MATERIALS AND PROCESSES 高温材料和加工133 ADVANCES IN POLYMER TECHNOLOGY 聚合物技术发展134 COMPOSITE STRUCTURES 复合材料结构135 JOURNAL OF THE CERAMIC SOCIETY OF JAPAN 日本陶瓷学会杂志136 BIO-MEDICAL MATERIALS AND ENGINEERING 生物医用材料与工程137 INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B 现代物理国际杂志B138 INTERNATIONAL JOURNAL OF THEORETICAL PHYSICS 理论物理国际杂志139 INTEGRATED FERROELECTRICS 集成铁电材料140 MAGAZINE OF CONCRETE RESEARCH 混凝土研究杂志141 ACI MATERIALS JOURNAL 美国混凝土学会材料杂志142 JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE LETTERS 材料科学杂志快报143 FERROELECTRICS 铁电材料144 BULLETIN OF MATERIALS SCIENCE 材料科学公告145 MATERIALS SCIENCE FORUM 材料科学论坛146 JSME INTERNATIONAL JOURNAL SERIES A-SOLID MECHANICS AND MATERIAL ENGINEERIN 日本机械工程学会国际杂志系列A－固体力学与材料工程147 MATERIALS CHARACTERIZATION 材料表征148 SYNTHESIS AND REACTIVITY IN INORGANIC AND METAL-ORGANIC CHEMISTRY 无机物及金属—有机物化学的合成和反应149 MATERIALS AT HIGH TEMPERATURES 高温材料150 HIGH TEMPERATURES-HIGH PRESSURES 高温—高压151 JOURNAL OF COMPOSITES TECHNOLOGY & RESEARCH 复合材料技术与研究杂志152 ACI STRUCTURAL JOURNAL 美国混凝土学会结构杂志153 MATERIALS & DESIGN 材料与设计154 MATERIALS AND STRUCTURES 材料与结构155 MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING 半导体加工的材料科学156 BRITISH CERAMIC TRANSACTIONS 英国陶瓷会刊157 MECHANICS OF COMPOSITE MATERIALS 复合材料力学158 JOURNAL OF COATINGS TECHNOLOGY 涂层技术杂志159 JOURNAL OF REINFORCED PLASTICS AND COMPOSITES 增强塑料和复合材料杂志160 MATERIALS AND CORROSION-WERKSTOFFE UND KORROSION 材料与腐蚀161 SCIENCE IN CHINA SERIES E-TECHNOLOGICAL SCIENCES 中国科学E技术科学162 CEMENT & CONCRETE COMPOSITES 水泥与混凝土复合材料163 MATERIALS EVALUATION 材料评价164 POLYMERS & POLYMER COMPOSITES 聚合物与聚合物复合材料165 JOURNAL OF MATERIALS SYNTHESIS AND PROCESSING 料合成与加工杂志166 ADVANCED COMPOSITE MATERIALS 先进复合材料167 INTERNATIONAL JOURNAL OF MATERIALS & PRODUCT TECHNOLOGY 材料与生产技术国际杂志168 JOURNAL OF MATERIALS IN CIVIL ENGINEERING 土木工程材料杂志169 HIGH TEMPERATURE MATERIAL PROCESSES 高温材料加工170 CONSTRUCTION AND BUILDING MATERIALS 结构与建筑材料171 HIGH TEMPERATURE 高温172 RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERING 稀有金属材料与工程173 INORGANIC MATERIALS 无机材料174 SCIENCE AND TECHNOLOGY OF WELDING AND JOINING 焊接科学与技术175 MATERIALS AND MANUFACTURING PROCESSES 材料与制造工艺176 FERROELECTRICS LETTERS SECTION 铁电材料快报177 JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE & TECHNOLOGY 材料科学与技术杂志178 JOURNAL OF MATERIALS ENGINEERING AND PERFORMANCE 材料工程与性能杂志179 METALS AND MATERIALS INTERNATIONAL 国际金属及材料180 GLASS TECHNOLOGY 玻璃技术181 JOURNAL OF MATERIALS PROCESSING TECHNOLOGY 材料加工技术杂志182 JOURNAL OF POLYMER MATERIALS 聚合物材料杂志183 ADVANCED POWDER TECHNOLOGY 先进粉末技术184 JOURNAL OF ADVANCED MATERIALS 先进材料杂志185 SYNTHESE 合成186 GLASS SCIENCE AND TECHNOLOGY-GLASTECHNISCHE BERICHTE 玻璃科学与技术187 JOURNAL OF TESTING AND EVALUATION 测试及评价杂志188 MATERIALS SCIENCE AND TECHNOLOGY 材料科学与技术189 POWDER METALLURGY AND METAL CERAMICS 粉末冶金及金属陶瓷190 MATERIALS SCIENCE 材料科学191 MATERIALS TECHNOLOGY 材料技术192 ADVANCED MATERIALS & PROCESSES 先进材料及工艺193 RARE METALS 稀有金属194 JOURNAL OF WUHAN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY-MATERIALS SCIENCE EDITION 武汉理工大学学报-材料科学版195 PLATING AND SURFACE FINISHING 电镀和表面修整196 JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS 无机材料杂志197 MATERIALS WORLD 材料世界198 METAL SCIENCE AND HEAT TREATMENT 金属科学及热处理199 METALL 金属200 MATERIALS PERFORMANCE 材料性能 201 JOURNAL OF MATERIALS PROCESSING & MANUFACTURING SCIENCE 材料加工与制造科学杂志202 SCIENCE AND ENGINEERING OF COMPOSITE MATERIALS 复合材料科学与工程203 IEEE TRANSACTIONS ON COMPONENTS AND PACKAGING TECHNOLOGIES IEEE元件及封装技术会刊204 JOCCA-SURFACE COATINGS INTERNATIONAL JOCCA—国际表面涂层205 ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS 先进功能材料 206 ANNUAL REVIEW OF MATERIALS RESEARCH 材料研究年度评论207 MATERIALS TRANSACTIONS 材料会刊
纸质投稿一般需要将稿件打印几份，邮寄给期刊编辑部，有的期刊还要求需要论文的软盘或光盘；EMAIL投稿就是将论文以附件形式发给编辑；网上投稿就是期刊有网上投稿系统，将论文在网上提交。一般国内期刊要求纸质投稿的比较多，而且还有一些国内期刊在纸质投稿后，同时还要将稿件EMAIL给编辑，国外期刊也有要求纸质投稿的，但似乎越来越少，毕竟航空信件来往费时费钱，所以逐渐被网上投稿所取代。EMAIL投稿国内国外期刊都有，但考虑到网络安全和技术的发展，EMAIL投稿也会逐渐被网上投稿所取代。网上投稿是国外期刊所采用的主要形式，有直观、迅速和方便的特点，但在网上投稿前需要在网站注册一大堆信息，第一次使用网上投稿会感到麻烦，但可以将你第一次注册的信息保存到WORD文件，以后再网上投稿时大部分信息复制粘贴就可以了，一定要记住注册的帐户名和密码，否则耽误你的投稿计划哦。纸质投稿的期刊国内比如有《微电子学报》、《上海交通大学学报》，国外的没遇到过，有知道的请告诉我。EMAIL投稿的期刊国内比如有《微细加工技术》，国外期刊比如有IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS。 网上投稿的期刊国内还比较少，如《半导体学报》、《物理学报》、《中国物理》等一些比较有影响的期刊，国外就比较多了，这里就不举例了。国内邮寄纸质文章用什么方式寄好呢？我以前用平信邮过的，没丢过，挂号和EMS当然安全迅速了，不在乎费用可以挂号和EMS的。有很多水友问自己该如何投稿，其实大概是这些水友第一次投稿吧？如何投稿主要从四个方面来着想：一是稿件内容和质量；二是找到适合的期刊；三是熟悉投稿要求和流程；四是经验的积累。稿件的内容自然和你研究方向有关了，这个不能去强求改变，但与稿件质量相关联的似乎分为好几种，比如研究方向冷与热、实验结果成与败、文章表达优与劣、图形处理好与坏，当中有些我们还是可有作为的，这在以后如何写好论文中进行阐述。作者首先要根据自己的文章进行自我评价，或者请导师或别人评价，也可以将自己的文章和与文章相关的文献进行对比，看自己文章质量怎样，然后再决定适合投哪个期刊。有的作者受影响因子影响，不能正确评价自己的文章，好高骛远，喜欢投本研究领域影响因子高的期刊，这当然会导致后来的拒稿，拒稿是件痛苦的事，一是浪费了那么久的时间，二是打击了自信心，投稿热情受挫。在正确评价自己的文章后，那又如何找到合适的期刊去投稿呢？有几个比较好的方法：在自己查找的与文章内容有关的文献中找期刊；在数据库中寻找；询问同院的XDJM。如何寻找期刊介绍，后文将说明。
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半导体学报事实上应该是sci。
超导体与半导体的相似之处如下：
当某些条件满足时，可以充当导体。
超导体与半导体的区别如下：
一丶物理性质
1．半导体的电阻比超导体的电阻大。
2．超导体是在一定条件下电阻为0的材料。半导体是一种导体和绝缘体在室温下导电的材料。
二、关于使用
3．半导体需要在室温下使用，超导体一般需要在超低温下使用。
4．不同的功能在实际应用中。
半导体已经使用了很长时间，但是超导体仍然处于发展阶段。
超导体和半导体的作用是：
半导体：电子元件，芯片，晶体管
超导体：远距离传输高压、全超导托卡马克聚变发电机
扩展资料：
超导体的三个基本特性：
1．完全导电性：完全导电性又称零电阻效应，是指温度下降到一定温度以下，电阻突然消失。
2．完全反磁性：完全反磁性也被称为梅斯纳效应。“抗磁性”是指当磁场强度低于临界值时，磁力线不能通过超导体的现象。
完全反磁性的原因是超导体的表面产生一种无损的抗磁超导电流，这种电流产生的磁场抵消了超导体内部的磁场。
3．通量化：量化通量，也称为约瑟夫逊效应，指的是现象，当两层超导体之间的绝缘层薄原子大小，电子对产生隧道电流通过隔热层，也就是说，超导电流可以superconductor－insulator－superconductor结构生成。
参考资料来源：百度百科-半导体
参考资料来源：百度百科-超导体
自己的话导体,一般指金属,其在常温下的金属晶体结构与晶体硅等半导体是大不相同的,虽然名义上金属在非化合态的时候电子轨道最外层也有1-4个电子在围绕原子核高速旋转,看起来是受原子核严密控制的,但实际上金属晶体的结构却十分松散,金属原子之间可以滑动,这就是为什么金属有或多或少的延展性,而电子们的活动就更为自由,当有外电压的作用时,他们就会发生定向移动,形成电流.半导体晶体的内部结构相比之下就牢固得多,特别是体现在原子核对其外层电子的作用力较强,当电子离开原子核的时候,原子核对电子原来的作用力就在原先电子存在处形成了"力量真空",就是我们所说的空穴.而金属的力量相比之下小得多,当失去电子之后就不能认为出现了"力量真空”。所以，只有在描述半导体导电原理是才引入“空穴”这个概念（清华资源）
顾名思义，其区别在于导电能力上：半导体是导电能力在所有物质中处于中等水平的，如硅;导体是导电能力很强的，如金属；超导体就是导电能力比金属还强的，需要在温度极低的情况下才能获得。半导体因为导电能力居中，可以通过其他方法随意的调整其导电能力，所以广泛应用在电子领域，身边的一切电器、手机、电脑等等，都有无数大小半导体芯片组成。
超导体与半导体的相同点为：
在达到特定条件的时候都能作为导体。
超导体与半导体的不同点有：
一、物理性质上
1、半导体的电阻大于超导体的电阻。
2、超导体是在特定条件下电阻为0的材料，半导体是常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。
二、使用上
3、半导体需要在常温条件下使用，超导体一般需要在超低温条件下使用。
4、在实际运用中作用不同。
5、半导体已经投入使用很长时间，但超导体仍在研发阶段。
超导体和半导体的作用分别是：
半导体：电子元件，芯片，晶体管
超导体：远距离传输高压电，全超导托卡马克核聚变发生器
扩展资料
超导体的三个基本特性：
1、完全电导性：完全导电性又称零电阻效应，指温度降低至某一温度以下，电阻突然消失的现象。
2、完全抗磁性：完全抗磁性又称迈斯纳效应，“抗磁性”指在磁场强度低于临界值的情况下，磁力线无法穿过超导体，超导体内部磁场为零的现象，“完全”指降低温度达到超导态、施加磁场两项操作的顺序可以颠倒。
完全抗磁性的原因是，超导体表面能够产生一个无损耗的抗磁超导电流，这一电流产生的磁场，抵消了超导体内部的磁场。
3、通量量子化：通量量子化又称约瑟夫森效应，指当两层超导体之间的绝缘层薄至原子尺寸时，电子对可以穿过绝缘层产生隧道电流的现象，即在超导体—绝缘体—超导体）结构可以产生超导电流。
参考资料来源：百度百科-半导体
参考资料来源：百度百科-超导体