李爱珍发表半导体论文

我国半导体研究的功臣4次申请

自从事半导体研究以来，李爱珍先后获得国家发明奖一次，国家科技进步奖四次，国家发明专利21项，国际发明银奖一次，发表论文200 多篇，为中国的半导体行业

美国科学院院士，美国贝尔实验室前半导体研究副总裁评论：李爱珍是中国化合物半导体领域杰出的科学家，她的研究已经达到了国际水准。

但是,在李爱珍的带领之下,她的团队仅仅用了不到7年时间便实现了分子束外延设备的验收应用;而且在量子级联激光器的提出、研发上,李爱珍团队也是积极进取,成果斐然。在几十年

李爱珍作为新中国的半导体先驱，前前后后一共发表了256篇论文，获得国家专利21个。而李爱珍四次申请中科院院士都以失败告终。四次失败不代表李爱珍不够

研究期间李爱珍共发表了250多篇论文，21个发明专利和多个国家级奖项。这些成就书写了李爱珍一路走来的困难与艰辛，但这却并没有让她获得中科院院士的头

这一年，李爱珍53岁。02 李爱珍并未停下脚步，又向尖端科技量子级联激光器发起了挑战。1971年，苏联科学家提出了量子级联激光器的物理设想。它是一种能够发射光谱在中红外和远红外

我国半导体领域杰出女科学家李爱珍,4次落选国家院士。意外获得美国院士后拒绝对方邀请,表示自己能有今天,离不开祖国的培养。如今80多岁仍然奋战在科研一线。李爱珍出生于1936年,

1984年，李爱珍在一次国际会议上，发表了一篇关于半导体研究的论文，在座的世界各国科研人员，无不为之感到震惊。尤其是美国人，他们曾经狂妄的表示：“半