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不知道...谢谢
在3月31日之前。对根据武汉理工大学规定研究生，必须送校外企业专家评阅的非全日制硕士学位论文，由各学院自行组织送审。送审时间截止时间于3月31日之前。
盲审不过有再次送审的机会。根据国务院颁布的学位授予管理办法有关规定，一般情况下，毕业论文都要经过盲审程序，第一次盲审不通过可以申请再次盲审，学校不得以任何其他理由拒绝学生提出的盲审申请。
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职称论文答辩综合评语
预答辩通过后，申请人应按预答 论文定稿后印刷，指导教师须填写表格"指导教师对学位论文的学术评语"。 二、将以下武汉理工大学关于硕士学位论文答辩的有关规定1.论文评阅 硕士学位论文除由导师写出详细的评语外，还应在答辩前一个月将论文送出， 论文评阅人应是具有高级职称 研究生学位论文答辩申请书研究生学位论文答辩申请书 申请人_ 论文题目_ 指导教师 (第一导师) (第二导师)学 (自大学填起) 学习或工作单位 职务、职称 获学位情况 在学期间受过何种奖励或处分注 第一指导教师对学位论文的学术评语及对申请人的综合评价 1.对论文的学术评语(论文选中北大学研究生学位论文答辩管理办法(修订版)非学历硕士生的论文应有3位具有副高级及以上专业技术职称的专家评阅(其中1人为本校 如有2名评阅人评语为否定的，则本次申请无效，半年内不能组织答辩。 六、答辩审批手硕士学位(毕业)论文答辩申请流程图至少应有3位副高以上职称的人员参加(含指导教师)。预答辩通过后，申请人应按预答 论文定稿后印刷，
副高职称论文评语
一、毕业论文评阅成绩的标准
根据有关规定，毕业论文的评阅成绩一般可分为优秀、良好、及格、不及格四档。现将中央党校函授学院对毕业论文的具体标准抄录如下，供参考。
(一)优秀
1.能正确地体现党和国家的有关方针政策，能很好地综合运用所学的理论与本专业的有关知识。
2.能密切联系本系统、本部门、本单位的工作实际。分析问题正确、全面，具有一定深度或有所创见，对实际工作有一定的指导意义。
3.中心突出，论据较充足，结构严谨，层次分明，表达能力较强。
4.材料丰富，数据可靠，能运用科学方法进行加工整理。
(二)良好
1.能正确体现党和国家有关政策，能较好地运用所学理论与专业有关的`知识。
2.能较好地联系工作实际，分析问题比较正确、全面，对指导现实工作有一定的参考作用。
3.中心明确，论据较充足，层次较分明，文句通顺，有较好的表达能力。
4.材料比较丰富，数据基本可靠，能较好地进行加工整理。
(三)及格
1.能正确理解党和国家有关方针与政策，在理论上没有原则性的错误，能基本掌握和运用本专业已学的有关知识。
2.尚能联系工作实际，基本上能表达自己的观点，有一定的分析问题与解决问题能力。但分析问题较肤浅，或只能罗列现象，中心不够突出。
3.有一定的论据，主要数据基本可靠，文句尚通顺。
4.有一定的原始材料，进行了一定程度的加工整理。
(四)不及格
凡有以下条款之一者，应评为不及格。
1.违背党和国家的有关方针、政策，或在理论上有原则性错误，掌握已学有关专业知识很差。
2.文章无中心，层次不清，.逻辑混乱，文句不通。
3.材料零乱不全或主要数据失真，加工整理差。
4.主要内容基本抄袭他人成果。
(五)凡属抄袭他人成果或属他人代写的论文，一经发现查实，即取消评阅、答辩资格。
以上评阅标准，一要严格掌握，不可降低标准，拔高分数;二要因时因地制宜，但在同一时间、同一批学员中，应"一碗水端平"，不可对不同的人采用不同的标准。
二、评语的写法
毕业论文的评语有两种：一是指导导师意见，二是答辩委员会意见。
(一)指导导师意见的写法
指导导师意见，主要是从写作角度对全篇论文作出评价。评价要点是：
1.观点是否正确、鲜明;
2.论据是否充分;
3，分析是否全面;
4.结构是否合理;
5.语句是否通顺;
6.有无现实指导意义。
下面是《对制止中小学乱收费现象的几点思考》一文的评语：
本文能理论联系实际，对当前中小学乱收费现象的表现及其产生原因作了较全面的分析，并提出了制止措施，对实际工作有一定的参考作用。文章结构合理，条理分明，论据较充分，语句通顺。
(二)答辩委员会意见的写法
1.答辩态度如何;
2.思路是否清晰;
3.回答是否准确;
4.语言是否流畅;
5.对原文不足方面有无弥补。
（1）S3C2440 的地址线 ADDR1-19 与 Am29LV800D 的地址线 A0-18 依次武汉理工大学硕士学位论文10相连。由于 NOR Flash 选择的是 512K×16Bit 存储形式，即 NOR Flash 的最小存储单位为 2 字节，而 S3C2440 最小寻址单位为 1 字节，因此需要将地址线的第二位 ADDR1 与 A0 相连，而 ADDR0 不与 NOR Flash 芯片相连。（2）16位数据线依次相连。其中端口DQ15/A-1有两种用途，如果NOR Flash芯片选择的是 1024K×8Bit 存储方式，该端口将作为最低位的地址线，而本文选择的是 512K×16Bit 存储方式，因此该端口用作数据线的最高位 DQ15。（3）CE 是片选信号，由于 NOR Flash 连接到 BANK0，因此需要用到 BANK0的片选信号 nGCS0。读使能 OE，写使能 WE 与 S3C2440 对应引脚相连。（4）RY/BY 表示 NOR Flash 是就绪还是繁忙的状态信息，此处没有使用，所以悬空。RESET 低电平有效，与电路的复位模块相连。（5）BYTE 是 NOR Flash 芯片读写方式的选择，高电平对应 16bit 模式，低电平对应 8bit 模式。本文使用的是 16bit 模式，因此直接接 VDD。（6）OM0，OM1 是 S3C2440 启动方式的选择。当 OM0=1，OM1=0 芯片置为 16bit 方式，并且将 NOR Flash 芯片映射到 BANK0 地址 0x0 处。S3C2440 只有 16bit 和 32bir 两种使用 NOR Flash 启动的方式，因此前面的 Am29LV800D 只能使用 16bit 读写方式，而不能使用 8bit 模式。 NOR Flash 的读写方式基本与内存一样，可以直接在其地址范围内进行读写。因此将启动程序拷贝到 NOR Flash 里面，上电后便可以直接运行。但 NOR Flash价格昂贵，而且 1M 容量也显不足，因此本系统还加上了一块 NAND Flash 芯片作为补充。 NAND Flash 存储器电路设计相对于 NOR Flash 的昂贵，NAND Flash 则要便宜很多，因此更适合作为较大容量的存储介质使用。1989 年东芝公司发表了 NAND Flash 技术（后将该技术无偿转让给韩国三星公司），NAND Flash 技术强调降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。NAND Flash 结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。其缺点在于需要特殊的系统接口，并且 CPU 需要驱动程序才能从 NAND Flash 中读取数据，使用时一般是将数据从 NAND Flash 中拷贝到 SDRAM 中，再供 CPU 顺序执行，这也是大多数嵌入式系统不能从 NAND Flash 中启动的原因。S3C2440 不仅支持从 NOR Flash 启动，而且支持从 NAND Flash 启动。这是武汉理工大学硕士学位论文11因为从 NAND Flash 启动的时候，Flash 中开始 4k 的数据会被 S3C2440 自动地复制到芯片内部一个叫“Steppingstone”的 RAM 中，并把 0x0 设置为内部 RAM的起始地址，然后 CPU 从内部 RAM 的 0x0 位置开始执行。这个过程不需要程序干涉。而程序则可使用这 4k 代码来把更多数据从 NAND Flash 中拷贝到SDRAM 中去，从而实现从 NAND Flash 启动。选择是从 NOR Flash 启动，还是 NAND Flash 启动，需要对 OM0 和 OM1引脚进行不同的设置，如果常常需要切换启动模式，可以将这两个引脚接到跳线柱上，通过跳线夹对其进行设置。本文选用的是三星公司出品的 K9F1208U0B NAND Flash 芯片，该芯片容量为 64M×8bit。由于 S3C2440 已经内置了 NAND Flash 控制器，因此电路设计十分简单，不需要再外加控制芯片。电路图如图 2－4 所示。图 2－4 NAND Flash 电路图电路图说明：（1）由于 NAND Flash 芯片是以字节为单位存储的，因此的数据线 I/O0-7直接与 S3C2440 的数据线 DATA0-7 相连，不需要像 NOR Flash 那样偏移一位进行相连。I/O0-7 是充当地址，命令，数据复用的端口。（2）ALE 地址锁存允许，CLE 命令锁存允许，CE 片选，WE 写使能，RE读使能依次与 S3C2440 的 NAND Flash 控制器的引脚 ALE，CLE，nFCE，nFWE，nFRE 相连。（3）WP 写保护，这里没有用到，直接接到高电平使其无效。VCC 与电源相连，VSS 与地相连。武汉理工大学硕士学位论文12（4）当 OM0，OM1 均接地为 0 时，S3C2440 将会从 NAND Flash 中启动，内部 RAM“Steppingstone”将会被映射到 0x0 位置，取代本来在这个位置的 NOR Flash。上电时 NAND Flash 中的前 4K 数据会被自动拷贝到“Steppingstone”中，从而实现从 NAND Flash 启动。（5）NCON、GPG15 接地；GPG13、14 接电源。这四个引脚用来对 NAND Flash 进行设置。以上设置表示使用的 Flash 是普通 NAND Flash，一页的大小为512 字 节 ， 需 要 进 行 4 个 周 期 的 地 址 传 输 完 成 一 次 寻 址 操 作 （ 这 是 因 为K9F1208U0B 片内采用 26 位寻址方式，从第 0 位开始分四次通过 I/O0－I/O7 进行传送），数据位宽为 8bit。不同的芯片有不同的设置方式，以上是 K9F1208U0B的设置方式，其它芯片的设置方法需要参考 S3C2440 和具体使用的 NAND Flash芯片的数据手册。NAND Flash 不对应任何 BANK，因此不能对 NAND Flash 进行总线操作，也就无法像 NOR Flash 和 SDRAM 一样通过地址直接进行访问。对 NAND Flash存储芯片进行操作，必须通过 NAND Flash 控制器的专用寄存器才能完成。NAND Flash 的写操作必须以块方式进行，读操作可以按字节读取。对 K9F1208U0B 的操作是通过向命令寄存器（对于 S3C2440 来说此寄存器为 NFCMMD，内存映射地址为 0x4e000004）发送命令队列实现的，命令队列一般是连续几条命令或是一条命令加几个参数，具体的命令可以参考 K9F1208U0B的数据手册。地址寄存器把一个完整的 NAND Flash 地址分解成 Column Address与 Page Address 进行寻址。Column Address 是列地址，用来指定 Page 上的具体某个字节。Page Address 是页地址，用来确定读写操作是在 Flash 上的哪个页进行的，由于页地址总是以 512 字节对齐的，所以它的低 9 位总是 0。一个 26 位地址中的 A0~A7 是它的列地址，A9~A25 是它的页地址。当发送完命令后（例如读命令 00h 或 01h），地址将分 4 个周期发送。第一个周期是发送列地址。之后 3 个周期则是指定页地址。当发送完地址后，就可以通过数据寄存器对 NAND Flash 进行数据的读写。以上只是 S3C2440 的 NAND Flash 控制器的大致操作流程，具体操作方式需要参考数据手册。 SDRAM 存储器电路设计从 Flash 中读取数据的速度相对较慢，而 S3C2440 运行的速度却很快，其执行指令的速度远高于从 Flash 中读取指令的速度。如果仅按照数据从 Flash 读取，武汉理工大学硕士学位论文13然后再到芯片处理的方式设计系统，那么即使芯片的运算能力再强，在没有指令执行的情况下，它也只能等待。因此系统中还需要加入 SDRAM。SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory）是同步动态随机存取存储器，同步是指工作时需要同步时钟，内部命令的发送与数据的传输都以它为基准，动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失，随机是指数据不是线性依次存储，而是由指定地址进行数据读写。SDRAM 是与系统时钟同步工作的动态存储器，它具有数据吞吐量大，速度快，价格便宜等特点。SDRAM 在系统中的主要作用是作为程序代码的运行空间。当系统启动时，CPU 首先从复位地址处读取启动代码，在完成系统的初始化后，将程序代码调入 SDRAM 中运行，以提高系统的运行速度。同时，系统和用户堆栈、操作数据也存放在 SDRAM 中。由于 SDRAM 自身结构的特点，它需要定时刷新，这就要求硬件电路要有定时刷新的功能，S3C2440 芯片在片内集成了独立的 SDRAM 控制电路，可以很方便的与 SDRAM 连接，使系统得以稳定的运行。本设计使用的 SDRAM 芯片型号是 HY57V561620，存储容量为 4Bank×4M×l6bit，每个 Bank 为 8M 字节，总共大小为 32M。本系统通过两片 HY57V561620构建了 64MB 的 SDRAM 存储器系统，能满足嵌入式操作系统及较复杂算法的运行要求。电路图如图 2－5 所示。图 2－5 SDRAM 电路图电路图说明：（1）本系统使用两块 HY57V561620 芯片组成容量 64M 的 SDRAM。两片SDRAM 都是以 2 字节为单位进行存储，因此一次存储的最小容量为 4 字节。将一块芯片的数据线 DQ0-DQ15 与 S3C2440 的数据线低位 DATA0-DATA15 相连，武汉理工大学硕士学位论文14而另一块则与数据线的高位 DATA16-DATA31 相连。（2）两块 SDRAM 芯片地址线均与 S3C2440 地址线 ADDR2-ADDR14 依次相连。SDRAM 的内部是一个存储阵列，阵列就如同表格一样，将数据“填”进去，和表格的检索原理一样，先指定一个行（Row），再指定一个列（Column），就可以准确地找到所需要的单元格，这就是内存芯片寻址的基本原理。正因为如此 ， 地 址 是 通 过 将 存 储 单 元 的 列 地 址 和 行 地 址 分 开 进 行 传 送 的 ， 因 此HY57V561620 只用了 13 根地址线便完成了一个 BANK（8M 大小）的寻址。否则按照正常情况 8M 大小的地址空间，按照字节传输，需要用到 24 根地址线。由于本系统由两块 16bit 的芯片组成，一次最小的存储单位为 4 字节，也就是说寻址的间隔应该为 4（22）字节。ADDR0 的间隔对应为 1 字节，ADDR1 为 2 字节，ADDR2 为 4 字节。因此 HY57V561620 需要从 ADDR2 开始连接，从而达到一次寻址的间隔为 4 字节的目的。（3）HY57V561620由 4个BANK组成，每个BANK大小为8M（4M×16bit）。因此在不同的 BANK 之间也需要寻址。由于一个 BANK 的大小为 8M=223，因此对间隔为 8M 的 BANK 空间寻址，需要使用从 ADDR24 开始的两根地址线。所以 BA0，BA1 分别接到 ADDR24，ADDR25。（4）LDQM，UDQM 为数据输入输出屏蔽，由 S3C2440 的 SDRAM 控制器使用，这里连接到低位数据线的芯片连接到 DQM0，DQM1；而连接到高位数据线的芯片连接到 DQM2，DQM3。具体连接方法可以查看 S3C2440 的数据手册。（5）片选信号 CS 连接到 SDRAM 的片选信号 nSCS0，两块芯片对应同一片选信号。这是因为两块芯片是按照高位，低位的方式连接的，他们处于同一地址空间。（6）RAS 行地址选通信号，CAS 列地址选通信号，WE 写使能，分别与S3C2440 相应的控制引脚 nSRAS、nSCAS、nWE 相连。CLK 时钟信号，CKE时钟使能信号分别连接到 SCKE、SCLK。使用程序读写 SDRAM 前，需要初始化 SDRAM，对一些配置寄存器进行设置。这里只使用了 BANK6，并未用到 BANK7。初始化的代码大致如下： void memsetup(void) { rBWSCON = 0x22111110; 武汉理工大学硕士学位论文15 rBANKCON0 = 0x700; rBANKCON1 = 0x700; rBANKCON2 = 0x700; rBANKCON3 = 0x700; rBANKCON4 = 0x700; rBANKCON5 = 0x700; rBANKCON6 = 0x18005; rBANKCON7 = 0x18005; rREFRESH = 0x8e07a3; rBANKSIZE = 0xb2; rMRSRB6 = 0x30; rMRSRB7 = 0x30; } BWSCON 寄存器这里主要用来设置位宽，其中每 4 位描述一个 BANK，对于本系统，使用的是两片容量为 32Mbyte、位宽为 16 的 SDRAM，组成了容量为 64Mbyte、位宽为 32 的存储器，因此要将 BANK6 设置为 32 位。BANKCON0-5没有用到，使用默认值 0x700 即可。BANKCON6-7 是用来设置 SDRAM，设成0x18005 意味着外接的是 SDRAM，且列地址位数为 9。REFRESH 寄存器用于设置SDRAM的刷新周期，查阅HY57V561620数据手册即可知道刷新周期的取值。BANKSIZE 设置 BANK6 与 BANK7 的大小。BANK6、BANK7 对应的地址空间与 BANK0~5 不同。BANK0~5 的地址空间大小都是固定的 128M，BANK7 的起始地址是可变的，本系统仅使用 BANK6 的 64M 空间，因此可以令该寄存器的位[2:0]＝010（128M/128M）或 001（64M/64M），多出来的空间会被检测出来，不会发生使用不存在内存的情况，因为Bootloader和Linux内核都会作内存检测。 触摸屏电路设计使用触摸屏 TSP（Touch Screen Panel）进行输入，是指用手指或其它物体触摸安装在显示器前端的触摸屏，将所触摸的位置（以坐标形式）由触摸屏控制器检测，并通过接口送到 CPU，从而确定输入的相应信息。触摸屏通过一定的物理机制，使用户直接在加载触摸屏的显示器上，通过触摸控制方式而非传统的鼠标键盘控制方式向计算机输入信息[14]。武汉理工大学硕士学位论文16根据其技术原理，触摸屏可分为矢量压力传感式、电阻式、电容式、红外式和表面声波式等五类，当前电阻式触摸屏在嵌入式系统中用的较多。电阻触摸屏是一个多层的复合膜，由一层玻璃或有机玻璃作为基层，表面涂有一层透明的导电层，上面盖有一层塑料层，它的内表面也涂有一层透明的导电层，在两层导电层之间有许多细小的透明隔离点把它们隔开绝缘。工业中常用 ITO（Indium Tin Oxide 氧化锡）作为导电层。电阻式触摸屏根据信号线数又分为四线、五线、六线……等类型。信号线数量越多，技术越复杂，坐标定位也越精确。所有电阻式触摸屏的基本原理都是类似的，当触摸屏幕时，平常绝缘的两层导电层在触摸点位置就有了一个接触，控制器检测到这个接通后，由于其中一面导电层接通 Y 轴方向的 5V 均匀电压，另一导电层将接触点的电压引至控制电路进行 A/D 转换，得到电压值后与 5V 相比，即可得触摸点的 Y 轴坐标，同理得出 X 轴的坐标[15]。本文使用是四线电阻式触摸屏。S3C2440 提供 8 路 A/D 模拟输入，其中有 4 路是与触摸屏复用的，如果 XP、XM、YP、YM 这 4 根引脚不用做触摸屏输入的时候可以作为普通的 A/D 转换使用。S3C2440 的触摸屏接口有四种工作模式：（1）正常转换模式：此模式与通用的 A/D 转换模式相似。此模式可在ADCCON（ADC 控制寄存器）中设置，在 ADCDAT0（数据寄存器 0）中完成数据读写。（2）X/Y 坐标各自转换：触摸屏控制器支持两种转换模式，X/Y 坐标各自转换与 X/Y 坐标自动转换。各自转换是在 X 模式下，将 X 坐标写入 ADCDAT0然后产生中断；在 Y 模式下，将 Y 坐标写入 ADCDAT1 然后产生中断。（3）X/Y 坐标自动转换：在此模式下，触摸屏控制器先后转换触摸点的 X坐标与 Y 坐标。当 X 坐标与 Y 坐标都转换完成时，会向中断控制器产生中断。（4）等待中断模式：当触摸笔按下时，触摸屏产生中断（INT_TC）。等待中断模式必须将寄存器 rADCTSC 设置为 0xd3；在触摸屏控制器产生中断以后，必须将此模式清除。本设计采用的触摸屏是由广州友善之臂公司提供的，并且已经加在 LCD 屏AA084VC03 之上，与 LCD 一起提供了一个对外接口。AA084VC03 是日本三菱公司的 寸 TFT-LCD，分辨率为 640x480，262K 色。本款触摸屏为四线电阻式触摸屏，使用 S3C2440 的触摸屏控制单元可以大大简化电路设计。具体电路图见下一小节中的图 2－6。AM29LV800D 看看对你有没有用
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武汉理工大学工学博士毕业条件（1）已获得硕士学位，并在获得硕士学位后工作5年以上；（2）在教学、科研、专门技术领域做出成绩，其科研成果获得省部级以上奖励（含副省级城市、部分社会力量设立的科技奖励），并持有获奖证书（原件）；（3）拟申请的学科一般应与所获硕士学位的学科相同或相近；（4）在本学科或相关学科的国内外学术期刊或国际学术会议上以第一作者或第二作者（导师为第一作者），且以武汉理工大学的名义公开发表属博士学位论文内容的学术论文4篇，其中至少有2篇发表在本学科四大检索系统（EI、SCI、ISTP、SSCI）收录的期刊，同时至少有1篇发表在外文学术刊物上（或外文出版的国际学术会议论文集）（5）在导师指导下完成博士学位论文，并按规定通过论文评审、答辩和校院两级学位委员会的审定；（6）学校规定的其它条件。
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武汉大学教务管理系统网站入口： 江城多山，珞珈独秀；山上有黉，武汉大学。 武汉大学是国家教育部直属重点综合性大学，是国家“985工程”和“211工程”重点建设高校，是首批“双一流”建设高校。 武汉大学溯源于1893年清末湖广总督张之洞奏请清政府创办的自强学堂，历经传承演变，1928年定名为国立武汉大学，是近代中国第一批国立大学。1946年，学校已形成文、法、理、工、农、医6大学院并驾齐驱的办学格局。新中国成立后，武汉大学受到党和政府的高度重视。1958年，毛泽东主席亲临武大视察。1993年，武汉大学百年校庆之际，江泽民等党和国家领导人题词祝贺。改革开放以来，武汉大学在国内高校中率先进行教育教学改革，各项事业蓬勃发展，整体实力明显上升。1999年，世界权威期刊《Science》杂志将武汉大学列为“中国最杰出的大学之一”。2000年，武汉大学与武汉水利电力大学、武汉测绘科技大学、湖北医科大学合并组建新的武汉大学，揭开了学校改革发展的崭新一页。合校十多年来，学校综合实力和核心竞争力不断提升。2020年，学校在软科世界大学学术排名（ARWU）中位列第199位，国际教育研究机构QS世界 大学排名 中位列第246位，泰晤士高等教育(THE)世界 大学排名 中位列351-400位。 回眸过去，筚路蓝缕，励精图治，玉汝于成。珞珈山上风云际会，周恩来、董必武、陈潭秋、罗荣桓曾在这里指点江山；辜鸿铭、竺可桢、李四光、闻一多、郁达夫、叶圣陶、李达等曾在这里激扬文字。一百多年来，武汉大学汇集了中华民族近现代史上众多的精彩华章，形成了优良的革命传统，积淀了厚重的人文底蕴，培育了“自强、弘毅、求是、拓新”的大学精神。 武汉大学环绕东湖水，坐拥珞珈山，校园环境优美，风景如画，被誉为“中国最美丽的大学”。学校占地面积5195亩，建筑面积272万平方米。中西合璧的宫殿式建筑群古朴典雅，巍峨壮观，26栋早期建筑被列为“全国重点文物保护单位”。 武汉大学学科门类齐全、综合性强、特色明显，涵盖了哲、经、法、教育、文、史、理、工、农、医、管理、艺术等12个学科门类。学校设有人文科学、社会科学、理学、工学、信息科学和医学六大学部34个学院（系）以及3所三级甲等附属医院。有123个本科专业。18个学科进入ESI全球排名前1%，5个一级学科、17个二级学科被认定为国家重点学科，6个学科为国家重点（培育）学科，有10个一流建设学科。58个一级学科具有硕士学位授予权。47个一级学科具有博士学位授予权。有42个博士后流动站。 武汉大学名师荟萃，英才云集。学校现有专任教师3771人，其中正副教授2930余人，有8位中国科学院院士、6位中国工程院院士、3位欧亚科学院院士、7位人文社科资深教授、22人次“973项目”（含国家重大基础研究计划）首席科学家、6位“863项目”计划领域专家、4个国家创新研究群体、65位国家杰出青年科学基金获得者、15位国家级教学名师、23位国家新世纪“百千万人才工程”入选者。 武汉大学科研实力雄厚，成就卓著。学校有4个国家重点实验室、2个国家工程技术研究中心、2个国家野外科学观测研究站、2个2011协同创新中心、2个国家高端智库、2个国家科技基础条件共享平台、8个教育部重点实验室和5个教育部工程研究中心；还拥有7个教育部人文社会科学重点研究基地、10个国家基础科学研究与人才培养基地、10个国家级实验教学示范中心、3个国家级虚拟仿真实验教学中心和1个国家大学生文化素质教育基地。定期公开出版36种专业刊物。 2000年以来，学校获得国家自然科学奖、国家发明奖和国家科技进步奖三大奖75项，SCI论文数和国家自然科学基金项目数均位列全国高校前列，在教育部人文社会科学优秀成果奖评选中获奖数居全国高校前三位，国家社科基金课题、教育部社科课题均居全国高校前列，并有数十项成果获得国家“五个一”工程奖、国家图书奖、中国图书奖。学校连续十余次荣获深圳国际高新技术成果交易会优秀产品奖（成交奖）和优秀组织奖。 ;
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分子合成及金属离子性能研究，提升Co3O4储锂性能的研究。在武汉理工大学官网发布的公告中可以得知，该学院的资环学院在2022年的本科生毕业论文中，拥有多篇优秀论文，其中就包括双水杨醛基ESIPT荧光分子的合成及金属离子光响应性能研究，整合中空和多孔碳提升Co3O4储锂性能的研究等科研论文。
摘要：黑龙江省作为全国的煤炭资源大省，为国家经济建设做出了重要贡献。然而，随着时间的推移，煤炭资源逐渐枯竭。如何提高煤炭的利用率成了煤炭企业必须考虑的问题。煤炭深加工是煤炭资源综合利用的一个体现，是煤炭企业发展的一个重要途径。在当代，每个企业都充分利用人力、物力、财力资源，其中又以人力资源的应用最为重要。在人力资源管理中，又以怎样激励人为核心。但是，黑龙江省有相当一部分煤炭深加工企业没有合理的激励机制，这使得企业人员激励问题日益突出。本文对激励的相关理论进行了较为系统地阐述，从煤炭深加工企业人员激励过程中存在的问题出发，同时，对影响人员激励的因素进行分析；此外，将激励和影响激励效果的因素进行分类，利用数学函数的方法对其建立相应的函数方程，借鉴经济学的无差异曲线、能力约束曲线、均衡组合等方法，在综合管理学的激励效果和影响因素的基础上，建立激励组合模型，进一步分析模型不同变量的变化对模型的影响，然后，给出了黑龙江省煤炭深加工企业人员激励方法。本研究旨在对黑龙江省煤炭深加工企业激励机制的建立与完善提供一些参考。最后，以黑龙江省七台河市煤炭深加工企业为综合应用案例进行探讨和说明。关键词：煤炭深加工；人员激励；激励组合模型目录：摘要 IAbstract II第一章 绪论 论文的选题背景 国内外研究概况和发展趋势 论文的研究内容和思路 本章小结 6第二章 激励理论概述 管理学激励理论 经济学激励理论 本章小结 14第三章 黑龙江省煤炭深加工企业人员激励问题 黑龙江省煤炭深加工企业人员的特点 黑龙江省煤炭深加工企业人员激励问题 本章小结 20第四章 黑龙江省煤炭深加工企业人员激励因素分析 外界因素分析 个人因素分析 本章小结 27第五章 黑龙江省煤炭深加工企业人员激励模型 激励函数 激励组合模型 黑龙江省煤炭深加工企业人员激励组合模型的策略分析 本章小结 41第六章 黑龙江省煤炭深加工企业人员激励方法 针对高层管理人员的激励 中层管理人员的激励 科技人员的激励 一般员工的激励 其他人员的激励 本章小结 49第七章 综合应用：黑龙江省七台河市煤炭深加工企业人员激励研究 七台河市煤炭深加工企业概况 七台河市煤炭深加工企业人员现状 七台河市煤炭深加工企业人员激励组合分析 七台河市煤炭深加工企业人员激励方法 本章小结 59结论 60致谢 61参考文献 1 刘宝庵．组织行为学[M]．北京：中国商业出版社，2003．137-1602 关培兰．组织行为学[M]．北京：中国人民大学出版社，2003．128-1703 斯蒂芬．P．罗宾斯(Stephen P．Robbins)著．管理学原理[M]．第7版．孙键敏等译．北京：中国人民大学出版社，2004．453-4674 A．Maslow．Motivation and Personality．New York：McGraw-Hill，1954．231-2925 ，，and ．The Motivation to Work，John Wiley，1959(6)：45-476 姜宝钧.实用组织行为学[M]．北京：高等教育出版社，2005．727 B．F．Skinner．Science and Human Behavior．New York：Free Press，1953：181-1968 卢 江.组织行为学[M]．北京：中国商业出版社，2004．2819 V．H．Vroom．Work and Motivation，John Wiley，1964(6)：75-8310 L．S．Adams．Inequity in Social Exchanges．New York：Academic Press 1965．267-30011 E．A．Locke，E．Frederick，C．Lee，and P．Bobko．Effect of Self-Efficacy，Goals，and Task Strategies on Task Performance，Journal of Applied Psychology，1984：241-25112 杨秀君．目标设置理论研究综述[J]．心理科学，2004，27(1)：153-15513 M．Siegall．The Simplistic Five：An Integrative Framework for Teaching Motivation，The Organizational Behavior Teaching Review，1987，12(4)：141-14314龙君伟．校本人事开发与管理[M]．广州：广东高等教育出版社，2003．117-12515 王祖成．世界上最有效的管理：激励[M]．北京：中国统计出版社，2002．8-2916 王福新．人力资源管理[M]．北京：石油工业出版社，2001．228-26017 陆国泰．人力资源管理[M]．北京：高等教育出版社，2001．212-21618陈国富．委托—代理与机制设计：激励理论前沿专题[M]．天津：南开大学出版社，2003．30-3919 杜遵海．关于煤炭企业实施人才兴企战略的思考[J]．煤炭企业管理，2005(4)：59-6020 王振生．解决煤炭行业人才短缺问题之我见[J]．煤炭高等教育，2004，22(2)：104-10621 刘衍杰，李铁，杨立军．实施煤炭深加工战略的思考[J]．煤炭经济研究，2005(1)：13-1422 江建华．浅谈煤炭企业人力资源的开发[J]．煤炭经济研究，2005(3)：72-7323 刘 伟，刘金明．煤炭企业人力资源利用的现状及对策[J]．江西煤炭科技，2005(1)：68-6924 张海娟．国有企业激励机制存在的问题及对策初探[J]．边疆经济与文化，2005，15(3)：21-2425 王廷弼．问题与对策：关于煤炭行业人才队伍建设的思考[J]．煤炭高等教育，2004(2)：48-5026 夏泽育．谈煤炭行业人才队伍现状及对策[J]．中国科技信息，2005(15)：24-2827 高鸿业．西方经济学 [M]．北京：中国人民大学出版社，2003．78-8828 黎诣远．西方经济学[M]．北京：高等教育出版社，1999．79-8429 李善民．西方经济学原理[M]．广州：中山大学出版社，2003．67-7530 贺家铁，曾德明，姚艳红．公司高级管理层激励组合模型设计与分析（J）．系统工程，2005(12)：52-5431 朱清香，胡望斌．浅谈人力资源管理中的激励模型设计[J]．东方论坛，2003(3)：121-12532 李 垣，张完定．管理者激励组合的理论探讨（J）．管理工程学报，2002(3)：54-5633 张望军，彭剑锋．中国企业知识型员工激励机制实证分析[J]．科研管理，2001，22(6)：90-9634 解东辉．浅析煤炭企业战略性人力资源管理[J]．煤炭经济研究，2005(5)：43 -4435 颜爱民，宋夏伟，袁凌．人力资源管理理论与实务[M]．武汉：中南大学出版社，2004．301-30636 王福新．人力资源管理[M]．北京：石油工业出版社，2005．258-26537 王建香．论企业人力资源的开发与利用[J]．大众标准化，2005(1)：10-1738 黄 雯．湖北建筑业高层次人才激励研究[D] ：〔硕士学位论文〕．武汉：武汉理工大学文法学院，2005 39 汤 睿．济钢科技人员激励研究[D] ：〔硕士学位论文〕．大连：大连理工大学经济管理学院，200240 朱先奇，刘庆玲．国有企业人力资源管理存在的问题及对策分析[J]．山西高等学校社会科学学报，2005，17(1)：49-5141 王 莉．黑龙江省煤炭资源型工业及第振兴策略研究[D] ：〔硕士学位论文〕．哈尔滨：哈尔滨工程大学经济管理学院，200442 马桂兰．黑龙江省国有重点煤炭企业改制问题研究[D] ：〔硕士学位论文〕．哈尔滨：哈尔滨工程大学经济管理学院，200343 胡 静．激励机制的研究及其在中国的实践[D] ：〔硕士学位论文〕．武汉：武汉理工大学经济学院，200444 李 霞．论我国国企人力资本激励机制[D] ：〔硕士学位论文〕．武汉：华中农业大学管理学院，200445丁 琦．浅析煤炭企业人才队伍现状[J]．山东煤炭科技，2005(1)：7846 王振生．解决煤炭行业人才短缺问题之我见[J]．煤炭高等教育，2004(2)：35-3747 李伟昌．企业激励方法研究[D] ：〔硕士学位论文〕．哈尔滨：哈尔滨工程大学经济管理学院，200448黄玉春．人力资本定价及激励[D] ：〔硕士学位论文〕．西安：西北大学经济管理学院，2004
职称论文答辩综合评语
预答辩通过后，申请人应按预答 论文定稿后印刷，指导教师须填写表格"指导教师对学位论文的学术评语"。 二、将以下武汉理工大学关于硕士学位论文答辩的有关规定1.论文评阅 硕士学位论文除由导师写出详细的评语外，还应在答辩前一个月将论文送出， 论文评阅人应是具有高级职称 研究生学位论文答辩申请书研究生学位论文答辩申请书 申请人_ 论文题目_ 指导教师 (第一导师) (第二导师)学 (自大学填起) 学习或工作单位 职务、职称 获学位情况 在学期间受过何种奖励或处分注 第一指导教师对学位论文的学术评语及对申请人的综合评价 1.对论文的学术评语(论文选中北大学研究生学位论文答辩管理办法(修订版)非学历硕士生的论文应有3位具有副高级及以上专业技术职称的专家评阅(其中1人为本校 如有2名评阅人评语为否定的，则本次申请无效，半年内不能组织答辩。 六、答辩审批手硕士学位(毕业)论文答辩申请流程图至少应有3位副高以上职称的人员参加(含指导教师)。预答辩通过后，申请人应按预答 论文定稿后印刷，
副高职称论文评语
一、毕业论文评阅成绩的标准
根据有关规定，毕业论文的评阅成绩一般可分为优秀、良好、及格、不及格四档。现将中央党校函授学院对毕业论文的具体标准抄录如下，供参考。
(一)优秀
1.能正确地体现党和国家的有关方针政策，能很好地综合运用所学的理论与本专业的有关知识。
2.能密切联系本系统、本部门、本单位的工作实际。分析问题正确、全面，具有一定深度或有所创见，对实际工作有一定的指导意义。
3.中心突出，论据较充足，结构严谨，层次分明，表达能力较强。
4.材料丰富，数据可靠，能运用科学方法进行加工整理。
(二)良好
1.能正确体现党和国家有关政策，能较好地运用所学理论与专业有关的`知识。
2.能较好地联系工作实际，分析问题比较正确、全面，对指导现实工作有一定的参考作用。
3.中心明确，论据较充足，层次较分明，文句通顺，有较好的表达能力。
4.材料比较丰富，数据基本可靠，能较好地进行加工整理。
(三)及格
1.能正确理解党和国家有关方针与政策，在理论上没有原则性的错误，能基本掌握和运用本专业已学的有关知识。
2.尚能联系工作实际，基本上能表达自己的观点，有一定的分析问题与解决问题能力。但分析问题较肤浅，或只能罗列现象，中心不够突出。
3.有一定的论据，主要数据基本可靠，文句尚通顺。
4.有一定的原始材料，进行了一定程度的加工整理。
(四)不及格
凡有以下条款之一者，应评为不及格。
1.违背党和国家的有关方针、政策，或在理论上有原则性错误，掌握已学有关专业知识很差。
2.文章无中心，层次不清，.逻辑混乱，文句不通。
3.材料零乱不全或主要数据失真，加工整理差。
4.主要内容基本抄袭他人成果。
(五)凡属抄袭他人成果或属他人代写的论文，一经发现查实，即取消评阅、答辩资格。
以上评阅标准，一要严格掌握，不可降低标准，拔高分数;二要因时因地制宜，但在同一时间、同一批学员中，应"一碗水端平"，不可对不同的人采用不同的标准。
二、评语的写法
毕业论文的评语有两种：一是指导导师意见，二是答辩委员会意见。
(一)指导导师意见的写法
指导导师意见，主要是从写作角度对全篇论文作出评价。评价要点是：
1.观点是否正确、鲜明;
2.论据是否充分;
3，分析是否全面;
4.结构是否合理;
5.语句是否通顺;
6.有无现实指导意义。
下面是《对制止中小学乱收费现象的几点思考》一文的评语：
本文能理论联系实际，对当前中小学乱收费现象的表现及其产生原因作了较全面的分析，并提出了制止措施，对实际工作有一定的参考作用。文章结构合理，条理分明，论据较充分，语句通顺。
(二)答辩委员会意见的写法
1.答辩态度如何;
2.思路是否清晰;
3.回答是否准确;
4.语言是否流畅;
5.对原文不足方面有无弥补。