finfet工艺发表论文了吗

bestpaperaward最佳论文奖，含金量还是很高的 近日，IEEE国际可靠性物理会议(IEEE International Reliability Physics Symposium, IRPS)公布了2020年的获奖论文。信息与电子工程学院赵毅教授团队发表的关于超小尺寸FinFET器件自热效应的研究荣获最佳论文奖(Best Paper Award)。论文第一作者为博士研究生曲益明同学。这是来自中国的研究成果首次获此荣誉，也是近年鲜有地以学生为第一作者的论文获此奖项。 59年来，IRPS一直是国际上工程师和科学家在集成电路可靠性领域展示原创工作的首演会议，吸引来自美国、欧洲、亚洲和世界其他地区的参与者，通过对失效物理和应用环境的分析，了解半导体器件、集成电路和微电子系统的可靠性。 赵毅教授团队此次获奖的论文基于其发表在2017年顶级会议国际电子器件大会IEDM上的研究成果，深度开发了超快速亚纳秒测试系统，国际上首次对工作在电路速度下先进FinFET器件的自热效应进行了原位动态监测，并将所提取的瞬态温度应用到了器件可靠性退化行为的评估与模型建立中。自热效应已经成为亚10纳米集成电路先进技术节点中最为严重和最受关注的可靠性问题，赵毅教授团队的此项研究成果不仅对于器件研发有重要意义，也为电路设计者在设计电路时钟和器件布局时提供了参考。 博士研究生曲益明同学入学以来，在课题组内率先开始了器件超快速测试技术的研究工作，从缺乏足够的理论指导和参考文献的情况下，克服重重困难，不断取得突破,屡次在IEDM\IRPS等知名国际会议上发表成果.目前在超快速测试方面浙江大学已经走在国际前列。

FinFET一般指鳍式场效应晶体管，楼主问的不是这个而是这种晶体管带来的革新化工艺制程特性。FinFET闸长已可小于25nm，未来预期可以进一步缩小至7nm，约是人类头发宽度的1万分之1。由于在这种导体技术上的突破，未来芯片设计人员可望能够将超级计算机设计成只有指甲般大小。FinFET源自于传统标准的晶体管—场效晶体管的一项创新设计。在传统晶体管结构中，控制电流通过的闸门，只能在闸门的一侧控制电路的接通与断开，属于平面的架构。在FinFET的架构中，闸门成类似鱼鳍的叉状3D架构，可于电路的两侧控制电路的接通与断开。这种设计可以大幅改善电路控制并减少漏电流，也可以大幅缩短晶体管的闸长。一句话概括FinFET把封装工艺变成了三维的而不是二维的。这是一个巨大的变革。所有大型晶圆代工厂都已宣布FinFET技术为其最先进的工艺。Intel在22 nm节点上采用该晶体管1，TSMC在其16 nm工艺上使用2，而Samsung和GlobalFoundries则将其用于14 nm工艺中。因为专业讨论将涉及大篇幅 这里不再展开 需要了解的可以单聊。FCCSP封装工艺指flip chip chip scale packaged 指代的倒装芯片封装到BGA或者PGA基板上，最早出现在Intel 奔三的CPU封装，优点：封装简单、封装与晶片尺寸相当、成本低、便携、芯片倒装焊减少传统引线的寄生电容，有利于提高频率、改善热特性。缺点：芯片裸露、还需要进行二次封装、二次布线设计复杂。用在手机芯片上比较贴切 缺点就不明显了您说的这两种工艺是封装工艺的两种发展走向 前者从晶体管基本构成结构入手 后者只是晶圆的封装基础工艺。本身没有高下，性能根据华为宣称是一样的 无差别。实际使用下来710、710F除了功耗略低性能近似等于骁龙660芯片。

在半导体设计、制造及封测三大领域中，国内公司最薄弱的环节是半导体制造，目前英特尔、三星、台积电三大公司的制造工艺已经微缩到了14nm、10nm及7nm节点，国内最大的晶圆代工厂中芯国际目前量产的最先进工艺还是28nm，预计今年量产14nm工艺。在中芯国际之外，另一家代工大厂华力微电子也宣布今年底量产28nm HKC+工艺，明年底将会量产14nm FinFET工艺，这将是国内第二家量产14nm工艺的代工厂。 上海华力微电子公司（HLMC）是华虹集团子公司之一，成立于2010年1月，是国家“909”工程升级改造项目承担主体，拥有中国大陆第一条全自动12英寸集成电路芯片制造生产线（华虹五厂），工艺技术覆盖55-40-28纳米各节点，月产能达3.5万片。 2018年10月18日，华力公司第二条12英寸晶圆厂生产线投产，总投资387亿元，经过22个月的工期建设正式投产，月产能为4万片晶圆，工艺技术从28nm起步，目标是具备14nm 3D工艺生产能力，不过最初的月产能是1万片晶圆，14nm工艺目前也没有量产，还需要时间进行产能、技术爬坡。 在今天举行的SEMICON China 2019先进制造论坛上，上海微电子华力微电子研发副总裁邵华发表了主题演讲，介绍了华力微电子半导体制造的新进展。据他透露的消息，今年底华力微电子将量产28nm HKC+工艺，明年底则会量产14nm FinFET工艺。 在制造工艺上，华力微电子去年底宣布量产28nm低功耗工艺，已经为联发科代工28nm低功耗芯片。