半导体材料发表博士论文

《自然物理评论》(Nature Reviews Physics)于2月21日在线发表了题为“Thermal conductivity of materials underpressure”的 长篇综述，系统介绍和总结了气态、液态和固态材料在高压下的热导率测量方法和研究结果，以及相关的热输运机制，并对未来研究方向进行了展望。 北京高压科学研究中心是论文的第一作者单位，中心博士后周岩和博士生董作院为论文的第一、二作者，陈晓嘉研究员为论文的通讯作者。这项工作是与台湾中央研究院地质科学研究所的谢文斌研究员和美国华盛顿卡内基研究院地球与行星实验室的Alexander F. Goncharov共同完成的。

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压力作为一个物理维度和窗口以调节材料的物理和化学性质，带来了丰富多彩和前所未有的现象和结果，极大地促进了人们对压缩条件下特殊性质的认知，不仅用以检验难以在常规条件下获取的技术参数和理论，更将高压下实现的卓越特性在常规压力条件下俘获和重现。 尽管高压技术在过去一个世纪中在材料性能的表征和研究方面取得了突破性的进展，然而高压下材料热导率的准确测量长期以来一直是高压研究的难题， 至上世纪末热导率的测量仍受限于几个GPa的范围，远比同期其他技术表征落后将近2个数量级。极大地限制了材料高压下热传导、热扩散和热管理的研究，制约了材料热性质的理解和发展。大的技术瓶颈突破来源于光谱测量手段的引入，超过10 GPa热导率数据的获取也只是近15年的事情，由于论文作者主要参与了这些技术的发展和推动，在这篇综述中他们提供了详实的技术细节和应用场景。

在这篇文章中，他们总结了近年来高压热导率研究进展，着重介绍了热电材料、地球内部的矿物材料以及半导体材料在高压下的热导率研究成果，总结了压力对这些材料热导率改变的行为和物理机理，以及隐含和潜在的科学意义 。对于热电材料，研究表明压力可以有效调制热电材料的热电优值，发现当压力到某个临界值时，所研究的热电材料会发生拓扑相变，从而导致热电性能增强，这些发现为提高了材料的热电表现提供了一条新途径。对于地学材料，他们指出可以通过两种光学表征方法结合理论计算对地球深部矿物的热输运机制进行多方面 探索 ，从而了解地球内部的热力学活动。而对于许多半导体材料来说，高压下的热导率研究主要还是依赖于理论计算，并且半导体材料的热导率表现出复杂的各向异性，实验技术方面还需要更进一步的改进。最后，他们对高压下热导率的研究所面临的机遇与挑战进行了展望。

示意图: (a) 产生高压的金刚石对顶砧装置；(b) 高压下热导率的光谱表征方法；(c)热导率随压力的演化。

*感谢论文作者团队对本文的大力支持。

她对科学研究做出贡献，并发表了很多论文，是支持科学进步人物。

瞿晓铧，江苏常熟人。于1964年1月生于北京。1981年7月考入北京清华大学物理系，1986年7月毕业并获得清华大学物理学学士学位，其后即赴加拿大留学进一步深造，并先后于1990年获得加拿大曼尼托巴大学固体物理学硕士学位，1995年获得多伦多大学半导体材料科学博士学位，之后他作为博士后研究员在多伦多大学从事半导体光学设备和太阳能电池的研究，先后在国际一流杂志和国际会议上发表论文10余篇。瞿晓铧博士于2001年在加拿大创办阿特斯阳光电力，致力于为全世界提供绿色、环保的清洁能源。2006年公司在美国纳斯达克成功上市(纳斯达克代码：CSIQ)，是中国首家登陆美国纳斯达克的光伏一体化企业， 阿特斯董事长/首席执行官CEO。

真名90后的少女博导是通过努力做到的，毕竟人家年纪轻轻就是当之无愧的学霸，各种奖项头衔拿到手软，妥妥的人生赢家。

90后少女博导获得的是阿里青橙奖，奖金是直接100万现金，据说这名90后的少女博导和另外9位青年科学家入选了2020年阿里巴巴达摩院青橙奖，而这位90后的少女博导也是10个获奖青年科学家里面唯一女性，这10位获奖青年科学家获得了阿里集团达摩院的1,000万奖金。

这位90后少女博导的学术成就极为的硬核，虽然年纪不大，但是各种头衔一堆，据说，赵保丹先后获得南京大学物理学院理学学士，英国剑桥大学卡文迪许实验室物理学博士、博士后、副研究员，从 2019 年至今担任浙江大学光电科学与工程学院研究员、博士生导师。

看到这名90后少女波导的人生成就后，笔者酸了，从头酸到脚那种，果然是别人家的孩子，同为90后这差距也太大了，让笔者先找个厕所哭一会儿。

我想广大网友也估计会和我一样发出这样的感叹，这么年轻就当博导了，而且光得个奖就有100万，为什么笔者得过的最大的奖也就是100快呢？零头都比不上，这完美诠释了什么叫货比货得扔，人比人得气死。

当然这个也是羡慕不来的，毕竟人家的成绩是靠实力赢得的，谁叫笔者当初没有好好读书呢！

最后对于这起事件，大家如何看待，欢迎留言探讨哦。

获国家教委（教育部）科技进步一等奖和二等奖各一次和中科院自然科学奖二等奖一次。获物理学会2000-2001年度叶企孙奖。在国内外重要期刊上发表论文180余篇，其中SCI论文130余篇。秦国刚院士，半导体材料物理专家，现任北京大学物理学院教授、博士生导师，为我国半导体材料物理事业做出了突出的贡献。他1956年7月毕业于北京大学物理系，1961年2月研究生毕业于该系（固体物理方向），2001年当选为中国科学院(技术科学部)院士。他长期从事半导体材料物理研究，他和他带领的研究组在半导体杂质与缺陷和多孔硅与纳米硅氧化硅体系发光领域做出系统的和创造性的成果。秦国刚院士获得国家教委（教育部）科技进步一等奖和二等奖各一次和中科院自然科学奖二等奖一次。获物理学会2000-2001年度叶企孙奖。在国内外重要期刊上发表论文250余篇，其中SCI论文200余篇。获得2005年北京市科技进步一等奖，2007年获得国家自然科学二等奖。