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在冈伦跨越世界线N次拯救真由里后，到了不得不做决定的时候，要么红莉栖死，要么真由理死，红莉栖提出了让真有理活下去的想法，可此时的冈伦已经对她有了深深的感情。
最终，未来的冈伦摇中了金属乌帕并取走。过去的冈伦和真由里只摇到了普通塑料乌帕。
真由里把乌帕弄丢后被红莉栖捡到，后来红莉栖与父亲发生争执而被刺死亡，金属乌帕被父亲捡到并混入了论文中，后来在一场火灾中丢失。最后论文被金属探测器找到。
为了不改变世界线，过去的自己看到倒地流血的红莉栖。冈伦替红莉栖挨了刀子流了很多血，并用电枪电晕了红莉栖，制造了红莉栖被刺死的假象。
后来冈伦被铃羽带走回到未来，在未来的红莉栖在梦中看到了平行时空中所发生的事，半信半疑，询问冈伦，冈伦如实告答并告白，两人最终结合在了一起。
拓展资料：
牧濑红莉栖的性格特点
对于未知事物的好奇心十分强烈，但是研究时不近人情与高傲的态度使得她的朋友很少。只有在亲密的朋友间才会露出真正的姿态。极其不坦率，经常被桥田和真由理吐槽“傲娇”，自己对此也有自知之明。性格要强，一旦与别人展开辩论，就会狠狠地抨击对手，直到将对手彻底驳倒。从不把自己脆弱的一面展示给别人。
参考资料来源：百度百科：牧濑红莉栖
最终结局和冈伦在一起了详情可以去看第25集
使牧濑红莉栖和男主有交集的事件是牧濑红莉栖倒在血泊中的那一幕，所以一定会有这个事件发生的世界线，无论是假象的还是真实发生的，只要让男主看到倒在血泊中的牧濑红莉栖并以为牧濑红莉栖死亡然后去“性骚扰”牧濑红莉栖从而产生交集，不然也就不存在想要救牧濑红莉栖和真由里的男主。。
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半导体射线探测器最初约年研究核射线在晶体上作用, 表明射线的存在引起导电现象。但是, 由于测得的幅度小、存在极化现象以及缺乏合适的材料, 很长时间以来阻碍用晶体作为粒子探测器。就在这个时期, 气体探测器象电离室、正比计数器、盖革计数器广泛地发展起来。年, 范· 希尔顿首先较实际地讨论了“ 传导计数器” 。在晶体上沉积两个电极, 构成一种固体电离室。为分离人射粒子产生的载流子, 须外加电压。许多人试验了各种各样的晶体。范· 希尔顿和霍夫施塔特研究了这类探测器的主要性质, 产生一对电子一空穴对需要的平均能量, 对射线作用的响应以及电荷收集时间。并看出这类探测器有一系列优点由于有高的阻止能力, 人射粒子的射程小硅能吸收质子, 而质子在空气中射程为, 产生一对载流子需要的能量比气体小十倍, 在产生载流子的数目上有小的统计涨落, 又比气体计数器响应快。但是, 尽管霍夫施塔特作了许多实验,使用这种探侧器仍受一些限制, 像内极化效应能减小外加电场和捕捉载流子, 造成电荷收集上的偏差。为了避免捕捉载流子, 需外加一个足够强的电场。结果, 在扩散一结, 或金属半导体接触处形成一空间电荷区。该区称为耗尽层。它具有不捕捉载流子的性质。因而, 核射线人射到该区后, 产生电子一空穴载流子对, 能自由地、迅速向电极移动, 最终被收集。测得的脉冲高度正比于射线在耗尽层里的能量损失。要制成具有这种耗尽层器件是在年以后, 这与制成很纯、长寿命的半导体材料有关。麦克· 凯在贝尔电话实验室, 拉克· 霍罗威茨在普杜厄大学首先发展了这类探测器。年, 麦克· 凯用反偏锗二极管探测“ 。的粒子, 并研究所产生的脉冲高度随所加偏压而变。不久以后, 拉克· 霍罗威茨及其同事者测量一尸结二极管对。的粒子, “ , 的刀粒子的反应。麦克· 凯进行了类似的实验, 得到计数率达, 以及产生一对空穴一电子对需要的能量为土。。麦克· 凯还观察到,加于硅、锗一结二极管的偏压接近击穿电压时, 用一粒子轰击, 有载流子倍增现象。在普杜厄大学, 西蒙注意到用粒子轰击金一锗二极管时产生的脉冲。在此基础上, 迈耶证实脉冲幅度正比于人射粒子的能量, 用有效面积为二“ 的探测器, 测。的粒子, 得到的分辨率为。艾拉佩蒂安茨研究了一结二极管的性质, 载维斯首先制备了金一硅面垒型探测器。年以后, 许多人做了大量工作, 发表了广泛的著作。沃尔特等人讨论金一锗面垒型探测器的制备和性质, 制成有效面积为“ 的探测器, 并用探测器, 工作在,测洲的粒子, 分辨率为。迈耶完成一系列锗、硅面垒型探测器的实验用粒子轰击。年, 联合国和欧洲的一些实验室,制备和研究这类探测器。在华盛顿、加丁林堡、阿什维尔会议上发表一些成果。如一结和面垒探测器的电学性质, 表面状态的影响, 减少漏电流, 脉冲上升时间以及核物理应用等等。这种探测器的发展还与相连的电子器件有很大关系。因为, 要避免探测器的输出脉冲高度随所加偏压而变, 需一种带电容反馈的电荷灵敏放大器。加之, 探测器输出信号幅度很小, 必需使用低噪声前置放大器, 以提高信噪比。为一一满足上述两个条件, 一般用电子管或晶体管握尔曼放大器, 线幅贡献为。在使用场效应晶体管后, 进一步改善了分辨率。为了扩大这种探测器的应用, 需增大有效体积如吸收电子需厚硅。采用一般工艺限制有效厚度, 用高阻硅、高反偏压获得有效厚度约, 远远满足不了要求。因此, 年, 佩尔提出一种新方法, 大大推动这种探测器的发展。即在型半导体里用施主杂质补偿受主杂质, 能获得一种电阻率很高的材料虽然不是本征半导体。因为铿容易电离, 铿离子又有高的迁移率, 就选铿作为施主杂质。制备的工艺过程大致如下先把铿扩散到型硅表面, 构成一结构, 加上反向偏压, 并升温, 锉离一子向区漂移, 形成一一结构, 有效厚度可达。这种探测器很适于作转换电子分光器, 和多道幅度分析器组合, 可研究短寿命发射, 但对卜射线的效率低, 因硅的原子序数低。为克服这一点, 采用锉漂移入锗的方法锗的原子序数为。年, 弗莱克首先用型锗口,按照佩尔方法, 制成半导体探测器,铿漂移长度为, 测‘“ 、的的射线, 得到半峰值宽度为直到年以前, 所有的探测器都是平面型, 有效体积受铿通过晶体截面积到“和补偿厚度的限制获得补偿厚度约, 漂移时间要个月, 因此, 有效体积大于到” 是困难的。为克服这种缺点, 进一步发展了同轴型探测器。年, 制成高分辨率大体积同轴探测器。之后, 随着电子工业的发展而迅速发展。有效体积一般可达几十“ , 最大可达一百多“ , 很适于一、一射线的探测。年以后广泛地用于各个部门。最近几年, 半导体探测器在理论研究和实际应用上都有很大发展。
Si光电探测器（PDs）作为器件最常用的基础组分，以其宽频带光谱响应、超高响应率、以及低成本制造工艺等特点而被广泛应用于光电器件中。然而，受到高反射系数和紫外辐射的浅穿透深度的限制，Si PDs对紫外(UV)光响应很低（200−300 nm范围内，外量子效率接近0%）。 尽管广大研究者已经 探索 了各种改进策略，但如何获得与可见光到近红外波段响应相媲美的高性能仍然具有很大的挑战。
近日，吉林大学电子科学与工程学院，集成光电子学国家重点实验室宋宏伟教授（通讯作者）课题组报道了一种利用高温热注入法合成的三种元素（Cr3+，Yb3+和Ce3+）共掺杂CsPbCl3钙钛矿量子点（PeQDs），并将其涂覆在Si表面，实现了紫外波段与可见到近红外波段响应相当的高性能。相关论文以题为“Extremely efficient quantum-cutting Cr3+, Ce3+, Yb3+ tridoped perovskite quantum dots for highly enhancing the ultraviolet response of Silicon photodetectors with external quantum efficiency exceeding 70%”发表于Nano Energy上。
论文链接：
研究结果表明，当掺杂浓度为8.2%的Cr3+离子掺杂CsPbCl3之后，CsPbCl3的量子产率从8%提高到82%，同时表现出优异的稳定性。在放置250天之后，掺杂后的PL强度基本保持不变；而未掺杂的PeQDs在放置五天后，PL强度衰减了52%。这一特性主要来自：（1）掺杂后缺陷态密度大幅度降低；（2）通过DFT计算，掺杂前的主要缺陷Cl空位在掺杂后消失。
图1. （a）晶体结构；（b）掺杂前后的TEM图像；掺杂前后（c）晶面间距的变化与（d）XRD衍射峰的变化；（e）掺杂后的XPS图像。
图2. 不同Cr3+掺杂量的（a）吸收图像，（b）PL图像以及（c）量子产率变化；（d）未掺杂与Cr3+-8.2%掺杂的长时间PL强度对比；（e）不同Cr3+掺杂量的缺陷密度及荧光寿命对比；（f）掺杂前后的缺陷水平计算结果。
图3（a）吸收光谱表明在加入稀土离子Ce3+后，紫外波段尤其是深紫外波段的吸收大幅度增强。这主要是由于Ce3+离子的5d高能态。而增强的量子产率是由于Ce3+的发射能级提供了PeQDs与Yb3+离子之间带隙匹配的通道，使得Yb3+离子的量子剪裁量子产率大大提高至175%。三离子掺杂后的CsPbCl3: Cr3+、Yb3+、Ce3+PeQDs涂覆在Si表面，实现了在200−400 nm范围内70%以上的外量子效率，与可见光、近红外波段相当。（量子剪裁是指荧光材料每吸收一个大能量光子就会放出两个小能量光子的物理现象，其理论量子产率为200%。）
图3. 单元素、双元素以及三元素掺杂的光学表征以及能带解释。
图4. （a）全光谱照明下SiPDs与量子剪裁PeQDs集成器件的原理图。（b）Si PDs、CsPbCl3: Cr3+、Yb3+ PeQDs涂覆Si PDs以及CsPbCl3: Cr3+、Yb3+、Ce3+PeQDs涂覆Si PDs在240 nm、360 nm、980 nm光照下的光电流。（c，d）三种器件的响应度和外量子效率。（e）PDs在360 nm光照下的时间分辨光电流。（f）CsPbCl3:Cr3+、Yb3+、Ce3+ PeQDs涂覆Si PDs的光电流随时间的变化。
总的来说，这项研究提出了一种提高PeQDs量子产率和改善Si PDs在紫外波段响应差的新策略。对合成其他的高量子产率的量子点或纳米晶材料提供了思路；同时利用稀土离子Ce3+掺杂对紫外波段的吸收提升策略，也有望增强其他紫外光电探测器的性能。（文：无计）
(a)偏振光探测器原理结构。(b)平行于和垂直于界面的光电导率。(c)光电导各向异性与激发功率。(d)零偏置下在405 nm处测量的角度分辨光电流与偏振角的关系。(e)一些已报道的偏振光探测器的实验偏振比。(f)本器件在不同温度下测量的角度相关的光电流。来源:中国科学出版社 基于各向异性半导体的偏振敏感光电探测器在天文学、遥感和偏振分复用等特殊应用中具有广泛的优势。对于偏振敏感光电探测器的活性层，最近的研究主要集中在二维(2D)有机-无机杂化钙钛矿，其中无机板和有机间隔层交替排列成平行层状结构。与无机二维材料相比，重要的是，杂化钙钛矿的可溶性使其以低成本获得大晶体成为可能，为将晶体面外各向异性纳入偏振敏感光检测提供了令人兴奋的机会。然而，由于材料结构的吸收各向异性的限制，这种器件的偏振灵敏度仍然很低。因此，迫切需要一种新的策略来设计具有大各向异性的二维杂化钙钛矿用于偏振敏感的光检测。 异质结构为解决这一挑战提供了线索。一方面，异质结构的构建可以提高复合材料的光学吸收和自由载流子密度。另一方面，异质结处的内建电场可以使光生电子-空穴对在空间上分离，显著降低了复合率，进一步提高了偏光敏感光电探测器的灵敏度。因此，构建各向异性二维杂化钙钛矿单晶异质结构可以实现高极化灵敏度的器件。 在北京《国家科学评论》上发表的一篇新的研究文章中，中国科学院福建物质结构研究所的科学家们创造了一种2D/3D异质结构晶体，将2D杂化钙钛矿与其3D对应物结合起来;并实现了超高性能的偏振敏感光检测。不同于以往的工作，基于异质结构晶体的器件故意利用二维钙钛矿的各向异性和异质结构的内置电场，允许首次展示不需要外部能量供应的基于钙钛矿异质结构的偏振敏感光电探测器。值得注意的是，该器件的极化灵敏度超过了所有报道的基于钙钛矿的器件;并且可以与传统的无机异质结构光电探测器竞争。进一步的研究表明，异质结处形成的内建电场可以有效地分离这些光致激子，降低它们的复合率，从而提高由此产生的偏振敏感光电探测器的性能。 “基于单晶2D/3D混合钙钛矿异质结构的自驱动偏振敏感光电探测器成功实现了高偏振灵敏度，该异质结构是通过一种精细的溶液方法生长的，”作者声称，“这项创新研究拓宽了可用于高性能偏振敏感光电探测器的材料选择，相应地，也拓宽了设计策略。”
这是一个发明专利，目前的法律状态是：有效名称：光电探测器耦合并快速固定的方法及其PCB板申请号：200810148099.4公告号：101448368申请日：2008-12-30授权日：2009-12-09申请人：成都优博创技术有限公司，即，专利权人摘要：本发明公开的一种光电探测器耦合并快速固定的方法及其PCB板,该方法包括:将光电探测器插入PCB板的插座;光电探测器在示波器监控下进行耦合;当耦合到达最大峰值时,在光电探测器与基体金属件之间的环形缝隙中间隔点UV胶;用蓝光LED灯对UV胶进行照干。为实施上述方法所使用的PCB板主要包括:一光电探测器插座;四个蓝光LED灯端口,分别位于光电探测器插座的四周;四个蓝光LED灯,于蓝光LED灯端口处与PCB板电连接。本发明降低了设备成本,提高了生产效率并对生产者人体健康无害,可快速照干光电探测器在耦合时预固定使用的UV胶,并快速固定光电探测器,且固化操作可靠性高。
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