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《半导体学报》是中国电子学会和中国科学院半导体研究所主办的学术刊物。它报道半导体物理学、半导体科学技术和相关科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，内容包括半导体超晶格和微结构物理，半导体材料物理，包括量子点和量子线等材料在内的新型半导体材料的生长及性质测试，半导体器件物理，新型半导体器件，集成电路的CAD设计和研制，新工艺，半导体光电子器件和光电集成，与半导体器件相关的薄膜生长工艺，性质和应用等等。本刊与物理类期刊和电子类期刊不同，是以半导体和相关材料为中心的，从物理，材料，器件到应用的，从研究到技术开发的，跨越物理和信息两个学科的综合性学术刊物。《半导体学报》发表中、英文稿件。《半导体学报》被世界四大检索系统（美国工程索引(EI)，化学文摘(CA)，英国科学文摘(SA)，俄罗斯文摘杂志(РЖ)）收录。《半导体学报》1980年创刊。现为月刊，每期190页左右，国内外公开发行。每期均有英文目次，每篇中文论文均有英文摘要。《半导体学报》主编为王守武院士。国内定价为35元。主要读者对象是从事半导体科学研究、技术开发、生产及相关学科的科技人员、管理人员和大专院校的师生。国内读者可直接到全国各地邮局订阅。
本刊与物理类期刊和电子类期刊不同，是以半导体和相关材料为中心的，从物理，材料，器件到应用的，从研究到技术开发的，跨越物理和信息两个学科的综合性学术刊物。《半导体学报》发表中、英文稿件。《半导体学报》被世界四大检索系统（美国工程索引(EI)，化学文摘(CA)，英国科学文摘(SA)，俄罗斯文摘杂志(РЖ)）收录。属于4区
发表论文的话一般看期刊类别，按高级等级分为1类，2类到5类。一般发表在3类以上就不错了。像这样的期刊很多，我仅就三类的列出来，当然只是自然科学版的，(社科版的如果需要再说):ISTP收录、国外刊物，自然科学进展，天津大学学报（原名为：天津大学学报.自然科学与工程技术版），华东师范大学学报（自然科学版），东北大学学报（自然科学版），四川大学学报（自然科学版），中南大学学报.自然科学版（原名为：中南工业大学学报. 自然科学版） ，同济大学学报（自然科学版），北京理工大学学报，华南理工大学学报（自然科学版），北京工业大学学报，西北工业大学学报，南京大学学报（自然科学版），武汉大学学报（工学版），重庆大学学报（自然科学版），东南大学学报（自然科学版），北方交通大学学报，内蒙古大学学报（自然科学版），北京师范大学学报（自然科学版），中山大学学报（自然科学版），陕西师范大学学报（自然科学版），南京理工大学学报（自然科学版），太原理工大学学报，厦门大学学报（自然科学版），空军工程大学学报（自然科学版），海军工程大学学报，吉林工业大学学报.工学版，武汉理工大学学报，上海理工大学学报，合肥工业大学学报. 自然科学版，甘肃工业大学学报（改名为：兰州理工大学学报），桂林工学院学报，广西师范大学学报（自然科学版），四川大学学报（工学科学版），郑州大学学报（自然科学版），苏州大学学报（工科版），高技术通讯，云南大学学报（自然科学版），东北师范大学学报（自然科学版），上海大学学报，中国科学基金，兰州大学学报（自然科学版），西北大学学报（自然科学版），南京师范大学学报（自然科学版），中国科学技术大学学报，福建师范大学学报（自然科学版），湖南师范大学学报（自然科学版），江西师范大学学报（自然科学版），复旦学报（自然科学版），福州大学学报（自然科学版），湖南大学学报（自然科学版），山东大学学报（自然科学版），应用科学学报，华侨大学学报（自然科学版），吉林大学学报（理学版），宁夏大学学报（自然科学版），西南师范大学学报（自然科学版），湖北大学学报（自然科学版），河北大学学报（自然科学版），河南大学学报（自然科学版），南昌大学学报（理学版），四川师范大学学报（自然科学版），辽宁师范大学学报（自然科学版），山西大学学报（自然科学版），安徽大学学报（自然科学版），黑龙江大学（自然科学版），暨南大学学报（自然科学与医学版），河北师范大学学报（自然科学版），河南师范大学学报（自然科学版），湘潭大学学报（自然科学版），应用数学和力学，应用概率统计，工程数学学报，运筹学学报，数学的实践与认识，高校应用数学学报A辑，应用数学，数学杂志，生物数学学报，数学研究与评论，高等学校计算数学学报，固体力学学报，力学与实践，应用力学学报，实验力学，力学季刊，模糊系统与数学，系统工程，系统工程理论方法应用，系统科学与数学，量子光学学报，高能物理与核物理，强激光与粒子束，物理，工程热物理学报，核聚变与等离子体物理，量子电子学报，液晶与显示，波谱学杂志，应用声学，计算物理，原子核物理评论，原子与分子物理学报，红外与毫米波学报，高压物理学报，低温与超导，低温物理学报，声学技术，质谱学报，噪声与振动控制，光子学报，光谱学与光谱分析，环境化学，分析试验室，化学通报，色谱，分子催化，功能高分子学报，物理化学学报，催化学报，燃料化学学报，电化学，有机化学，分析测试学报，化学试剂，无机化学学报，煤炭转化，化学研究与应用，结构化学，生物多样性，昆虫学报，中国生物化学与分子生物学报，动物学研究，遗传，水生生物学报，应用与环境生物学报，兽类学报，人类学学报，植物生理学通讯，实验生物学报，植物学通报，植物研究 ，菌物系统（改名为：菌物学报），生物化学与生物物理进展，微生物学通报，武汉植物学研究，西北植物学报，广西植物，生命的化学，植物分类学报，动物学杂志，云南植物研究，昆虫分类学报 ，植物生理学报，四川动物，动物分类学报，新型炭材料，复合材料学报，中国腐蚀与防护学报，玻璃钢/复合材料，稀有金属材料与工程，材料导报，稀土，材料热处理学报，材料工程，材料科学与工艺，稀有金属，腐蚀科学与防护技术，宇航材料工艺，材料保护，兵器材料科学与工程，机械工程材料，耐火材料，功能材料与器件学报，煤炭学报，中国矿业大学学报，湘潭矿业学院学报，中国钨业 ，煤田地质与勘探，金属矿山，矿山机械，煤炭科学技术，铀矿冶，煤矿自动化，矿业研究与开发，理化检验——化学分册，钢铁，粉末冶金工业，北京科技大学学报，钢铁研究学报，矿冶工程，硬质合金，冶金自动化，冶金能源，铁合金，焊接学报，特种铸造及有色金属，机械科学与技术，铸造，机械设计，金属热处理，机械传动，振动与冲击，无损检测，制造技术与机床，真空，机械设计与研究，机械强度，传感技术学报，真空科学与技术学报，光学技术，金刚石与磨料磨具工程，润滑与密封，液压与气动，铸造技术，工具技术，低温工程，继电器，热加工工艺，机床与液压，流体机械，机械设计与制造，锻压技术，模具工业，压力容器，变压器，焊接，起重运输机械，轴承，工程机械，仪表技术与传感器，内燃机学报，电网技术，电池，电力自动化设备，微特电机，华北电力大学学报，中国电力，动力工程，电力电子技术，电气传动，高电压技术，小型内燃机与摩托车，燃烧科学与技术，微电机，水力发电学报，电气自动化，高压电器，电机与控制学报，车用发电机，中小型电机，热能动力工程，低压电器，电工技术杂志，汽轮机技术，水力发电，大电机技术，机器人，制造业自动化，光电子•激光，武汉大学学报（信息科学版），电子科技大学学报，电波科学学报，探测与控制学报，激光杂志，西安电子科技大学学报，信号处理，压电与声光，应用激光，电子技术应用 ，数据采集与处理，系统工程与电子技术，红外技术，光电工程，电子元件与材料，光通信技术，微波学报，弹箭与制导学报，激光技术，现代雷达，红外与激光工程，电力系统及其自动化学报，北京邮电大学学报，自动化学报，半导体技术，半导体光电，通信技术，微电子学，固体电子学研究与进展，武汉理工大学学报（信息管理版），微电子学与计算机，模式识别与人工智能，计算机应用，中文信息学报，计算机与应用化学，计算机集成制造系统（CIMS），计算机工程与应用，计算机应用研究，小型微型计算机系统，计算机工程与设计，计算机工程，微型机与应用，计算机应用与软件，中国塑料，塑料工业，合成树脂及塑料，塑料，现代化工，膜科学与技术，合成纤维，合成纤维工业，化学工程，天然气化工.C1.化学与化工，硅酸盐通报，无机盐工业，合成橡胶工业，日用化学工业，涂料工业，过程工程学报，林产工业，农药，中国医药工业杂志，北京化工大学学报，化学反应工程与工艺，橡胶工业，离子交换与吸附，海湖盐与化工，中国陶瓷，棉纺织技术，中国粮油学报，食品科学，印染，制冷学报，中国造纸，中国乳品工业，中国油脂，纺织学报，中国皮革，粮食与饲料工业，北京服装学院学报（自然科学版），丝绸，东华大学学报（自然科学版），郑州轻工业学院学报（自然科学版），酿酒技术，粮油加工与食品机械，城市规划汇刊，建筑结构，给水排水，暖通空调，工业建筑，工程勘察，建筑科学，西安建筑科技大学学报（自然科学版），建筑机械，施工技术，建筑技术，四川建筑科学研究，筑路机械与施工机械化，水处理技术，应用生态学报，环境污染治理技术与设备，化工环保，环境科学研究，生态学杂志，工业水处理，长江流域资源与环境，资源科学，海洋环境科学，环境科学与技术，农业环境保护，农村生态环境，环境工程，环境与健康杂志，环境污染与防治，中国环境监测，地震工程与工程振动，西北地震学报，地震研究，地球物理学进展，地球科学，地学前缘，地球化学，第四纪研究，地球学报，地球科学进展，古生物学报，中国沙漠，地质科技情报，地质与勘探，现代地质，成都理工学院学报，高校地质学报，地层学杂志，矿物岩石，岩石矿物学杂志，水文地质工程地质，中国岩溶，地理学报，地理研究，地理科学，干旱区地理，冰川冻土，地理学与国土研究，山地学报，地理科学进展，大地构造与成矿学，干旱区研究，中国新药与临床杂志，中国药理学通报，中国药理学与毒理学杂志，中国新药杂志，中国抗生素杂志，中国药房，中国医院药学杂志，中国临床药理学杂志，沈阳药科大学学报，中国药科大学学报，华西药学杂志另外,团IDC网上有许多产品团购,便宜有口碑
《半导体器件应用》电子刊，主办单位：大比特资讯机构（big-bit）承办单位：半导体器件应用网这个是跟半导体相关的，看看用不用得着。
物理学报》：发展与成就《物理学报》是由中国物理学会主办的，创刊于1933年，原名“Chinese Journal of Physics”，创刊初期用英、法、德三国文字发表论文。这是中国出版的第一份物理类综合性学术期刊，1953年易为现名的中文期刊。《物理学报》首任主编为我国第一代著名物理学家严济慈与丁燮林，随后担任主编的有吴大猷、王竹溪和黄祖洽，现任主编是原国家自然科学基金会副主任、中国原子能科学研究院研究员王乃彦院士。70余年的变迁，《物理学报》从初创到成长、壮大，特别是改革开放以来的发展，从一个侧面展现了我国现代物理学崛起与发展的梗概和脉络。现在，《物理学报》已成为目前中国历史最悠久、在国内外发行量最大、影响面最广的物理类学术期刊，赢得了国内外物理学界的普遍认同和信誉，受到包括诺贝尔物理奖获得者杨振宁教授在内的一些著名物理学家的高度评价，被认为是“中国权威性的物理刊物”，奠定了它在中国科技期刊中的重要地位。由中国科技信息所统计， 2003年《物理学报》被SCI-CD，SCI-E，EI-P，CA，INSPEC，JICST，AJ和MR等检索系统收录。根据SCI数据库统计，2003年《物理学报》的影响因子为1.130，总被引频次为2410次。特别是该统计显示，在本学科国际同类期刊中，其影响因子和总被引频次位于中上水平，在68种国际上综合性物理类期刊中，《物理学报》的总被引频次和影响因子分别位居第23和第28。其中，本刊的总被引频次居中国物理类期刊第1位、中国科技期刊第1位，影响因子为中国物理类期刊第2位。这几年来，本刊继续以提高质量为增强核心竞争力的主线，在办刊理念、学术品位、编辑质量、出版发行与宣传，以及运用现代信息技术等方面，进一步加快与国际接轨的步伐。特别是进一步提高期刊学术水准，《物理学报》面向国际学科发展的前沿领域，以国家知识创新体系的建设为依托，跟踪热点课题加强组织和征集优秀稿件，进一步提高学术论文的创新性、导向性和权威性。主要刊登由国家知识创新体系组成的国家科技攻关项目、国家“863”计划项目、国家“973”基础研究项目，以及国家自然科学基金项目等一批最新科研进展或取得科技成果的优秀论文。其中，在2004年《物理学报》刊登的论文中，基金资助论文比例为87.5%。这表明《物理学报》吸收前沿科学和高质量学术论文的能力在不断增强，提高了期刊自身的整体学术水平。据有关部门的不完全统计，《物理学报》被引相对较多的论文，其学术内容按国际物理学分类来看，主要涉及混沌系统的理论和模型、量子光学、流体力学、量子论、离散系统的经典力学、黑洞、点阵理论和统计学、介观体系和量子干涉、表面电子态、聚合物、薄膜与低维结构、光电效应、固体团簇结构与碳纳米管及纳米结构材料、超导电性、分子运动论、辐射的发射与吸收及散射、自旋电子学、磁熵变材料等研究领域，其中反映了当今物理学研究中的热点问题和新的方向。目前，对国内外发行和交换约1700份，光盘发行量约为600多个平台。2003年《物理学报》在科技部西南信息中心期刊网站中论文下载为3080篇次；在清华同方数据中，本刊2003年web下载3.58余万篇次，印刷版总被引频次2845次，其web扩散系数为12.61倍，在物理类期刊中，下载论文篇次居第1位。该统计显示，《物理学报》2003年即年指标17.2715，web影响因子14.4813。本刊2003年总被引频次、影响因子均居物理类期刊第1位。并在2001-2003年中，《物理学报》平均被引频次和影响因子均居物理类期刊第1位。近几年来，《物理学报》先后获得第一、二、三届国家期刊奖，2001、2002、2003年度百种杰出期刊奖，以及中国科学院特别奖、一等奖等多项重要奖项。2003年10月《物理学报》创刊70周年。中国科学技术协会主席周光召题词祝贺：“格物唯实，推理求真”。全国人大副委员长、中国科学院院长路甬祥的题词为：“格物致知、勇创一流”。题词的著名科学家还有彭桓武、黄昆、杨振宁、李政道、冯端、陈佳洱、李荫远、黄祖洽、白春礼、王乃彦、赵忠贤、杨国桢、李方华、梁敬魁等。《物理学报》主管部门与主办单位及一些科研机构和高等学校也以各种方式表示祝贺。这些都表明《物理学报》的建设与发展始终得到物理界及各方面的高度重视与全力支持。其中除杨振宁教授上述对《物理学报》的评价外，我国著名超导专家赵忠贤院士指出：“《物理学报》是我国少数几个具有权威发性的高层次刊物之一，刊载的论文大多是在国内外处于领先地位的科研成果，审稿制度严格，对论文质量严格把关，编辑出版严谨细致认真”。“《物理学报》是我国物理学界水平最高、影响最大的著名学术期刊，是进行学术交流的重要刊物之一，一直受到国际物理学界专家的注目和好评。《物理学报》创刊71年来为繁荣我国的科学事业做出了重要贡献”。原国家自然科学基金委主任、中国物理学会理事长、北京大学校长陈佳洱院士称：《物理学报》是我国物理学界水平最高、影响最大的著名学术刊物，所登的许多论文达到国际先进水平，编辑出版质量高，是我国少数几个具有权威性的高层次刊物之一，受到国际物理学界专家的注目和好评。当今，科技期刊已成为一个国家科技发展和社会经济文化进步的重要标志。可以看到，面对我国入世后激烈的挑战，中国期刊的使命更加艰巨。时代呼唤期刊工作者与科学家、出版社和信息系统团结起来相互支持合作，在我国政府及其主管部门的组织的协调下，共同营造我国科技期刊发展的优良环境，为创办国际一流的学术刊物作出积极贡献，让中国科技期刊加快融入国际学术交流。《半导体学报》简介 《半导体学报》是中国电子学会和中国科学院半导体研究所主办的学术刊物。它报道半导体物理学、半导体科学技术和相关科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，内容包括半导体超晶格和微结构物理，半导体材料物理，包括量子点和量子线等材料在内的新型半导体材料的生长及性质测试，半导体器件物理，新型半导体器件，集成电路的CAD设计和研制，新工艺，半导体光电子器件和光电集成，与半导体器件相关的薄膜生长工艺，性质和应用等等。本刊与物理类期刊和电子类期刊不同，是以半导体和相关材料为中心的，从物理，材料，器件到应用的，从研究到技术开发的，跨越物理和信息两个学科的综合性学术刊物。《半导体学报》发表中、英文稿件。《半导体学报》被世界四大检索系统（美国工程索引(EI)，化学文摘(CA)，英国科学文摘(SA)，俄罗斯文摘杂志(РЖ)）收录。 《半导体学报》1980年创刊。现为月刊，每期190页左右，国内外公开发行。每期均有英文目次，每篇中文论文均有英文摘要。《半导体学报》主编为王守武院士。国内定价为35元。主要读者对象是从事半导体科学研究、技术开发、生产及相关学科的科技人员、管理人员和大专院校的师生。国内读者可直接到全国各地邮局订阅。
由于半导体光电是一份学术期刊，其出版时间可能受到多种因素的影响，因此其每期刊出时间并不是固定的。但是，一般情况下，学术期刊的出版周期比较稳定，半导体光电期刊一般为每季度刊行一期，即每年刊行四期。因此，第三期一般会在每年的第三个月、第四个月或第五个月左右出版。半导体光电期刊的具体时间表，如每期的出版日期、接受稿件时间、审稿时间等信息，可能会因各种因素而有所不同，建议作者或投稿人关注该期刊的官方网站或出版商公告，以获得最新的信息和具体时间表。此外，有些学术期刊会提供在线访问服务，对于需要及时了解最新研究进展、寻找科研合作伙伴等人员来说，这可能是一个更加方便的选择。
《半导体光电》期刊网站显示为中文核心，但是该期刊没有被EI收录。而且该期刊主要收录二、三流水平文章。期刊编辑部态度恶劣，与中文核心期刊的宗旨相悖甚远。
<半导体光电>现在仍是是中文核心期刊，位于“TN 电子技术、通信技术类"核心期刊表16 复合影响因子：0.407 综合影响因子：0.220 主办： 中国电子科技集团第四十四研究所周期： 双月ISSN： 1001-5868CN： 50-1092/TN创刊时间：1976该刊被以下数据库收录：CA 化学文摘(美)(2011)SA 科学文摘(英)(2011)CBST 科学技术文献速报(日)(2009)中国科学引文数据库(CSCD—2008)核心期刊：中文核心期刊(2008)中文核心期刊(2004)中文核心期刊(2000)中文核心期刊(1996)中文核心期刊(1992)
由于半导体光电是一份学术期刊，其出版时间可能受到多种因素的影响，因此其每期刊出时间并不是固定的。但是，一般情况下，学术期刊的出版周期比较稳定，半导体光电期刊一般为每季度刊行一期，即每年刊行四期。因此，第三期一般会在每年的第三个月、第四个月或第五个月左右出版。半导体光电期刊的具体时间表，如每期的出版日期、接受稿件时间、审稿时间等信息，可能会因各种因素而有所不同，建议作者或投稿人关注该期刊的官方网站或出版商公告，以获得最新的信息和具体时间表。此外，有些学术期刊会提供在线访问服务，对于需要及时了解最新研究进展、寻找科研合作伙伴等人员来说，这可能是一个更加方便的选择。
(1)来稿文责自负。文稿务必主题明确,论述合理,逻辑严谨,数据可靠,叙述清楚,文字精炼。内容应保守国家机密,引用他人作品应给出来源。(2) 文稿一般不超过6 000 字,综述稿不超过8 000 字,其他类型的稿件酌减。属于综述、研究论文和技术报告的稿件,应附英文题名、作者名、单位名、摘要和关键词。基金项目应注明编号。?(3)摘要应包括目的、方法、结果和结论四个要素,也就是用简洁的语言说明文章要解决的问题,主要工作过程及所采用的技术手段和方法,研究所获得的实验数据、结果及其意义。篇幅以200～250 字为宜。?(4) 关键词以5～8 个为宜。为便于文献检索,应尽可能提供中图分类号。?(5) 文中涉及的物理量和计量单位应符合国家有关标准。计量单位请用GB3100 - 3102 - 93《量和单位》规定的法定计量单位。注意区分各物理量符号的文种、大、小写、正、斜体(矢量和矩阵用黑斜体)、上、下角标等。?(6) 插图和表格应有图题和表题。插图应采用计算机制作，勿用截图。本刊为黑白印刷，请勿用彩色插图。?(7) 文稿中引用他人的成果,务请写明原作者姓名、题名、来源,一并在参考文献中给出,并在正文中相应位置进行标示,否则责任由来稿人自负。参考文献只择主要的。文献的著录格式严格按照以下形式书写（含标点符号）：1) 专著：作者.书名.版本(第1版不著录)[M].出版地:出版者,出版年:起止页码.2) 译著:作者.书名[M].译者,译.出版地:出版者,出版年:起止页码.3) 期刊:作者.题名[J].刊名,出版年份,卷(期):起止页码.4) 会议论文集:作者.题名[C]// 编者.论文集名.出版地:出版者,出版年:起止页码.5) 学位论文:作者.题名:[学位论文][D].保存地:保存者,年份.6) 专利文献:专利申请者.题名.专利国别,专利号[P].公告日期或公开日期.7) 标准:责任者.标准代号 标准名称[S].出版地:出版者,出版年.8) 电子文献标注格式:主要责任者.题名：其它题名信息[文献类型标志/文献载体标志].出版地：出版者，出版年(更新或修改日期)[引用日期].获取和访问路径.9) 注意事项（1）参考文献中的外文作者名、外文刊名的缩写一律不用缩写点。（2）外文著者一律用姓在名前，采用首字母缩写（中国人用全名不缩写）。姓和名之间不加逗号，名2个以上大写首字母，2名间空一格。文献作者3名以内全部列出，4名以上则列前3人，后加“et al”。各著者间不加“and”、“和”等，应用逗号分开。（3）外文题名第一个单词首字母大写，其余单词（专有名词除外）均不大写。（4）外文刊名应按国际标准规定缩写，不加缩写点。?(8)来稿请注明作者详细通信地址、邮编、联系电话，以及电子邮箱。?(9) 本刊编辑部将在收到稿件两个月之内对来稿做出取舍,如逾期未收到刊用通知,作者有权对稿件另行处理。稿件一经刊用,本刊将酌付稿酬并赠送样刊。（10）为扩大《半导体光电》的读者面与影响力，本刊已与《中国知网（CNKI）》独家签署了光盘出版和上网协议。作者若不同意刊登在本刊上的论文制作成光盘版或上网，请来稿时具体说明；若未说明者，本刊视为同意上网。光盘版和上网等的稿费已包含在本刊支付的稿费中。
半导体光电期刊是一种非常好的学术期刊，它主要关注半导体光电器件和光电技术领域的前沿研究和应用。这种期刊包含了许多高质量的科学论文和研究成果，这些成果对于推动半导体光电技术的发展非常有价值。该期刊的论文内容涵盖了半导体材料、器件制备、光电特性测试、应用等多个方向，涉及到了光电器件的设计、制造、测试、应用等多个环节。同时，该期刊的论文也涉及到了许多前沿技术和研究领域，如光电子学、半导体量子点、太阳能电池等。此外，该期刊的编辑和审稿人员都是来自于半导体光电领域的专家和学者，他们对于该领域的研究非常有深度和广度，能够保证论文的质量和水平。因此，半导体光电期刊是一种非常好的学术期刊，对于半导体光电领域的研究人员和科学家具有很高的参考价值和学术意义。
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半导体射线探测器最初约年研究核射线在晶体上作用, 表明射线的存在引起导电现象。但是, 由于测得的幅度小、存在极化现象以及缺乏合适的材料, 很长时间以来阻碍用晶体作为粒子探测器。就在这个时期, 气体探测器象电离室、正比计数器、盖革计数器广泛地发展起来。年, 范· 希尔顿首先较实际地讨论了“ 传导计数器” 。在晶体上沉积两个电极, 构成一种固体电离室。为分离人射粒子产生的载流子, 须外加电压。许多人试验了各种各样的晶体。范· 希尔顿和霍夫施塔特研究了这类探测器的主要性质, 产生一对电子一空穴对需要的平均能量, 对射线作用的响应以及电荷收集时间。并看出这类探测器有一系列优点由于有高的阻止能力, 人射粒子的射程小硅能吸收质子, 而质子在空气中射程为, 产生一对载流子需要的能量比气体小十倍, 在产生载流子的数目上有小的统计涨落, 又比气体计数器响应快。但是, 尽管霍夫施塔特作了许多实验,使用这种探侧器仍受一些限制, 像内极化效应能减小外加电场和捕捉载流子, 造成电荷收集上的偏差。为了避免捕捉载流子, 需外加一个足够强的电场。结果, 在扩散一结, 或金属半导体接触处形成一空间电荷区。该区称为耗尽层。它具有不捕捉载流子的性质。因而, 核射线人射到该区后, 产生电子一空穴载流子对, 能自由地、迅速向电极移动, 最终被收集。测得的脉冲高度正比于射线在耗尽层里的能量损失。要制成具有这种耗尽层器件是在年以后, 这与制成很纯、长寿命的半导体材料有关。麦克· 凯在贝尔电话实验室, 拉克· 霍罗威茨在普杜厄大学首先发展了这类探测器。年, 麦克· 凯用反偏锗二极管探测“ 。的粒子, 并研究所产生的脉冲高度随所加偏压而变。不久以后, 拉克· 霍罗威茨及其同事者测量一尸结二极管对。的粒子, “ , 的刀粒子的反应。麦克· 凯进行了类似的实验, 得到计数率达, 以及产生一对空穴一电子对需要的能量为土。。麦克· 凯还观察到,加于硅、锗一结二极管的偏压接近击穿电压时, 用一粒子轰击, 有载流子倍增现象。在普杜厄大学, 西蒙注意到用粒子轰击金一锗二极管时产生的脉冲。在此基础上, 迈耶证实脉冲幅度正比于人射粒子的能量, 用有效面积为二“ 的探测器, 测。的粒子, 得到的分辨率为。艾拉佩蒂安茨研究了一结二极管的性质, 载维斯首先制备了金一硅面垒型探测器。年以后, 许多人做了大量工作, 发表了广泛的著作。沃尔特等人讨论金一锗面垒型探测器的制备和性质, 制成有效面积为“ 的探测器, 并用探测器, 工作在,测洲的粒子, 分辨率为。迈耶完成一系列锗、硅面垒型探测器的实验用粒子轰击。年, 联合国和欧洲的一些实验室,制备和研究这类探测器。在华盛顿、加丁林堡、阿什维尔会议上发表一些成果。如一结和面垒探测器的电学性质, 表面状态的影响, 减少漏电流, 脉冲上升时间以及核物理应用等等。这种探测器的发展还与相连的电子器件有很大关系。因为, 要避免探测器的输出脉冲高度随所加偏压而变, 需一种带电容反馈的电荷灵敏放大器。加之, 探测器输出信号幅度很小, 必需使用低噪声前置放大器, 以提高信噪比。为一一满足上述两个条件, 一般用电子管或晶体管握尔曼放大器, 线幅贡献为。在使用场效应晶体管后, 进一步改善了分辨率。为了扩大这种探测器的应用, 需增大有效体积如吸收电子需厚硅。采用一般工艺限制有效厚度, 用高阻硅、高反偏压获得有效厚度约, 远远满足不了要求。因此, 年, 佩尔提出一种新方法, 大大推动这种探测器的发展。即在型半导体里用施主杂质补偿受主杂质, 能获得一种电阻率很高的材料虽然不是本征半导体。因为铿容易电离, 铿离子又有高的迁移率, 就选铿作为施主杂质。制备的工艺过程大致如下先把铿扩散到型硅表面, 构成一结构, 加上反向偏压, 并升温, 锉离一子向区漂移, 形成一一结构, 有效厚度可达。这种探测器很适于作转换电子分光器, 和多道幅度分析器组合, 可研究短寿命发射, 但对卜射线的效率低, 因硅的原子序数低。为克服这一点, 采用锉漂移入锗的方法锗的原子序数为。年, 弗莱克首先用型锗口,按照佩尔方法, 制成半导体探测器,铿漂移长度为, 测‘“ 、的的射线, 得到半峰值宽度为直到年以前, 所有的探测器都是平面型, 有效体积受铿通过晶体截面积到“和补偿厚度的限制获得补偿厚度约, 漂移时间要个月, 因此, 有效体积大于到” 是困难的。为克服这种缺点, 进一步发展了同轴型探测器。年, 制成高分辨率大体积同轴探测器。之后, 随着电子工业的发展而迅速发展。有效体积一般可达几十“ , 最大可达一百多“ , 很适于一、一射线的探测。年以后广泛地用于各个部门。最近几年, 半导体探测器在理论研究和实际应用上都有很大发展。
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改善了折反射光学系统的性能波长为157nm的F2准分子激光器的特点是带宽很窄，Cymer公司的产品，其带宽为0.6～0.7 pm，窄带宽改善了折反射光学系统的性能。折反射光学系统的关键是分束器立方体，它使用CaF2材料，能有效地减少束程和系统的体积，大尺寸易碎的CaF2一直是157nm曝光的制约因素，现在SVGL已展出了12～15英寸的CaF2单晶锭，这为制造大数值孔径的折反射分束器设计扫清了道路。同时对单层抗蚀剂和在辐照下透明、持久、可靠的掩模保护膜进行了研究，去年春SEMATECH在加州召开的157nm曝光研讨会上，宣布这方面已取得了重大进展，现在美国的SVGL、ltratech和英国的Exilech公司都在研制整机，SVGL公司准备今年底出样机，明年底出生产型设备。首台售价约1300万美元。比利时的微电子研究中心（IMEC）与ASML公司合作建立了157nm基地，这个基地于今年开始工作，计划在2003年生产，它要求各种相关工艺配套，为70nm CMOS流片创造条件。此外，日本SELETE也在加紧工作。SEMATECH则购买Exitech公司的曝光机开展针对掩模光胶、胶的处理工艺、匀胶显影轨道系统、胶的刻蚀性能和相关测量技术等方面的研究。极紫外曝光欧洲和日本诸公司正在研究1997年由Intel、AMD、Micron、Motorola、SVGL、USAL、ASML组成极紫外有限公司（EUVLLC）和在加州的三个国家实验室参加，共同研发波长为13nm的极紫外（EUV）光刻机样机，今年4月在加州Livermore的Sandia国家实验室推出的样机被视为光刻的一个重要里程碑。据国际半导体杂志Aaron Hand介绍，光源是几个研究单位联合研制的；13nm的波长太短，几乎所有材料都能吸收它，研制捕获这种光的装置十分困难；反射镜光学表面为非球面，表面形貌及粗糙度小于一个原子；所有光学元件表面涂有达40层的多层反射层，每层厚约λ/4，控制在0.1埃精度；EUV光刻采取新的环境控制，来抑制沾污；短波长，无缺陷掩模制作难度极大；样机采用nm级精度无摩擦的磁悬浮工作台。据EUVLLC项目经理Chuck Gwyn介绍，样机是第一步，下一步要研制生产机型为今后几年的生产做准备。现在更多用户表示要采用，并希望参与其中。在欧洲，蔡司、ASML和牛津公司在共同研究；在日本，Nikon、Canon和MC在共同研究。限角散射电子束投影曝光被众多厂家看好限角散射电子束投影曝光（SCALPEL）是高亮度电子源，经磁透镜聚焦产生电子束对掩模进行均匀照明，掩模是在低原子序数材料膜上覆盖高原子序数材料层组成，图形制作在高原子序数材料上。掩模是4倍放大，用格栅支撑。低原子序数的膜，电子散射弱，散射角度小，高原子序数的图形层，电子散射强，散射角度大，在投影光学装置的背焦面上有光阑，小散射角度电子通过光阑，在片子上形成缩小4倍的图像，再经过工作台步进实现大面积曝光。SCALPEL的优点是：分辨率高、焦深长、不需要邻近效应校正，生产率高，它没有EUV系统中昂贵的光学系统，也不需要X光的高成本光源，而且掩模成本比其它方法要低，故被众多厂家看好，Lucent、Motorola、Samsung、TI、eLith、ASAT、ASML等公司都参与其中共同开发，并计划在2002年推出<100nm大生产设备。但目前来看计划有所延迟，有些参与者转而看好PREVAIL。