气体放电等离子体的研究论文

周怀北 , 留美归国博士,博导, 教授 武汉大学国际软件学院院长武汉大学高科技研究与发展中心主任 武汉大学软件工程国家重点实验室和计算机学院 教授湖北省留学人员创业圆管理办公室主任 1964年2月出生于湖南省湘潭。1984年7月，1987年8月毕业于武汉大学空间物理及无线电物理专业，分别获得理学学士和硕士学位。1987年9月开始在中国科学院中国科技大学研究生院（北京）攻读博士学位，研究空间等离子体探测技术。1990年9月获得美方奖学金去美国留学，1994年5月获得马里兰大学（University of Maryland）无线电物 理博士学位。 同年5月到1996年 1月在 美国 国家标准局 (National Institutes of Standards and Technology)做博士后，研究生物信息工程. 工作期间，1996年到 1999 年还在乔治。华盛顿大学 (George Washington University)学习工商行政管理（MBA）. 1996年1月到1999年 5月在 美国通用电气公司 （GE）任高级工程师从事卫星通讯技术的研 发。1998年5月至2002年4月受聘于美国 Motorola/Nextel移动通信公司，任高级经理，从事移动通讯网络的研究与开发。现任中国旅美科学家协会理事，北美国际交流中心执行理事，曾任武汉大学华盛顿地区校友会会长。 主要研究成果：先后在国际知名刊物上发表专业论文30多篇，并多次在国际学术会议上宣读论文。国际上首次计算出运动卫星天线在磁化三维空间等离子体中的辐射场并将结果应用于航天与地面电磁辐射试验室。首次发现蛋白质大分子运动的混沌行为，此发现对蛋白质的结构预测有重要意义，其论文被美英德法等国科学家大量引用。不仅在大学和研究院从事学术研究，还在通用电气（GE）公司卫星通讯部和NEXTEL移动通讯公司从事技术开发，共写出内部技术报告12篇并有美国专利申请，内容覆盖卫星通讯和移动通讯等领域，包括通讯网络 设计，监测和优化。2003年获得中国科学院海外杰出人才基金(又称”百人计划”).研究领域：1）无线通讯工程，包括移动通讯和卫星通讯，网络设计，监测与优化，第三代移动通讯技术的开 发；2）生物信息工程，蛋白质结构预测，蛋白质大分子的动力学与混沌行为，计算机模拟蛋白质三维结构及其在制药方面的应用。代表性著作 ： 代表性论文 ： 气体放电等离子体中朗缪尔探针应用中的问题、GPRS 数据传输技术及实时数据采集应用、电离层离子丰度对哨声传播经度效应的影响、哨声谱与出口点的关系

化工类毕业论文范文辉光放电在减压反应器中进行，在直流、低频交流、射频，或者微波电场或磁场的作用下产生。反应装置有内极式、外极式和无极感应式等3种。低温等离子体化学反应的优点在于：在常规下不能进行或难以进行的反应，在等离子体状态下能够顺利进行，如全氟苯的聚合、氮化硅的淀积等。等离子体表面轰击力强，穿透力弱，适合于表面改性。等离子体表面改性时，主要是利用各种能量粒子与固体表面作用，达到改变表面化学结构的目的。它包括3方面内容： 在A r、He、N2、O2和NH3等气体的辉光放电中对聚合物表面进行等离子体处理;进行等离子体接枝;在聚合物表面淀积超薄等离子体聚合膜。与常规化学改性方法相比，等离子法具有干法、不破坏材质、低温、快速、污染小和效率高等优点。 1.1.2 低温等离子体的特点 低温等离子体含有大量的电子、激发态原子和分子以及自由基等活性粒子,这些活性粒子使材料表面引起蚀刻、氧化、还原、袭解、交联和聚合等物理和化学反应,对材料表面进行改性。由于低温等离子体中粒子的能量一般为几个至几十个电子伏特,大于高分子材料的结合键能(几个至十几个电子伏特),完全可以使有机大分子材料的结合键断裂而形成新键;但其健能远低于高能放射线的能量,故表面等离子体处理只发生在材料的表面,在不损伤基体的前提下,赋予材料表面新的性能。 低温等离子体在高分子材料上的应用，大致可以分为两类：一是等离子体聚合，另一是等离子体改性。等离子体聚合是利用聚合性气体，在基底表面生成具有特殊功能(如防水、防腐蚀、结构致密具有特殊物理性能等)的聚合物;等离子体改性是利用各种等离子体系作用于物质表面，在物质表面发生各种物理和化学的作用，如架桥、降解、交联、刻蚀、极性基团的引入及接枝共聚等，从而达到对物质表面改性的目的。用高分子膜作为等离子体聚合物的沉积基质会引起材料表面的交联、化学物理性质以及形态的改变，从而起到了对原高分子膜改性的作用。 1.1.3 机理分析 等离子体处理橡胶表面是利用气体(空气或氧气)电离产生氧等离子体，氧等离子体中大量的 O+、O-、O+2、O-2、O、O3、臭氧离子、亚稳态 O2 和自由电子等粒子与橡胶表面发生物理和化学反应，在橡胶表面产生大量的极性基团，使碳原于从C—H结合变为 、 、 等，从而提高橡胶表面的亲水性，改善橡胶与金属的粘合性能。 等离子体粒子的能量一般约为几个到几十个电子伏特，如电子的能量为0—20eV，离子为0—2eV，亚稳态粒子为0—20eV，紫外光/可见光为3—40eV。而橡胶中常见化学键的键能为：C—H 4.3eV;C=0 8.0eV;C—C 3.4eV;C=C 6.1eV。由此可见，等离子体中绝大部分粒子的能量均略高于这些化学键能，这表明等离子体是完全有足够的能量引起橡胶内的各种化学键发生断裂或重新组合的。以聚丁二 烯 橡胶为例来说明： 尽管反应仅在表面几个单分子层发生(只限于橡胶表面最外层10—1000的范围内，不会改变橡胶的整体特性)，但是其密度和强度的增加却说明表面能的改变。 1.1.4低温等离子体处理的过程 对聚合物的低温等离子体处理包括以下4个过程:脱离(Ablaton);交联(Cross-linking);活化(Activation)和沉积(Deposition)。 (1)脱离：等离子体处理过程中,利用高能粒子轰击聚合物,使弱的共价键断裂,称为脱离。脱离使得暴露在等离子体中基质的最外分子层离开基体,由真空装置除去。由于基质表面污染层的化学键一般由较弱的C-H键构成,故等离子体处理可以除去像油薄膜一样的污染物,使基质表面清洁,并留下活性的聚合物表面。

周怀北 , 留美归国博士,博导, 教授 武汉大学国际软件学院院长武汉大学高科技研究与发展中心主任 武汉大学软件工程国家重点实验室和计算机学院 教授湖北省留学人员创业圆管理办公室主任 1964年2月出生于湖南省湘潭。1984年7月，1987年8月毕业于武汉大学空间物理及无线电物理专业，分别获得理学学士和硕士学位。1987年9月开始在中国科学院中国科技大学研究生院（北京）攻读博士学位，研究空间等离子体探测技术。1990年9月获得美方奖学金去美国留学，1994年5月获得马里兰大学（University of Maryland）无线电物 理博士学位。 同年5月到1996年 1月在 美国 国家标准局 (National Institutes of Standards and Technology)做博士后，研究生物信息工程. 工作期间，1996年到 1999 年还在乔治。华盛顿大学 (George Washington University)学习工商行政管理（MBA）. 1996年1月到1999年 5月在 美国通用电气公司 （GE）任高级工程师从事卫星通讯技术的研 发。1998年5月至2002年4月受聘于美国 Motorola/Nextel移动通信公司，任高级经理，从事移动通讯网络的研究与开发。现任中国旅美科学家协会理事，北美国际交流中心执行理事，曾任武汉大学华盛顿地区校友会会长。 主要研究成果：先后在国际知名刊物上发表专业论文30多篇，并多次在国际学术会议上宣读论文。国际上首次计算出运动卫星天线在磁化三维空间等离子体中的辐射场并将结果应用于航天与地面电磁辐射试验室。首次发现蛋白质大分子运动的混沌行为，此发现对蛋白质的结构预测有重要意义，其论文被美英德法等国科学家大量引用。不仅在大学和研究院从事学术研究，还在通用电气（GE）公司卫星通讯部和NEXTEL移动通讯公司从事技术开发，共写出内部技术报告12篇并有美国专利申请，内容覆盖卫星通讯和移动通讯等领域，包括通讯网络 设计，监测和优化。2003年获得中国科学院海外杰出人才基金(又称”百人计划”).研究领域：1）无线通讯工程，包括移动通讯和卫星通讯，网络设计，监测与优化，第三代移动通讯技术的开 发；2）生物信息工程，蛋白质结构预测，蛋白质大分子的动力学与混沌行为，计算机模拟蛋白质三维结构及其在制药方面的应用。代表性著作 ： 代表性论文 ： 气体放电等离子体中朗缪尔探针应用中的问题、GPRS 数据传输技术及实时数据采集应用、电离层离子丰度对哨声传播经度效应的影响、哨声谱与出口点的关系 鱼男人seo

射频激励辉光放电粒子引入偏流、激发放射强度的增强系数 推荐 下载阅读CAJ格式全文 下载阅读PDF格式全文 【作者中文名】 孙素珍; 张宏; 亚艳芝; 王会娟; 【文献出处】 承钢技术, , 编辑部邮箱 2006年 01期 期刊荣誉：CJFD收录刊 【关键词】 辉光放电光谱仪; 直流（d．c）偏流; 射频（r．f.）等离子; 增强系数; 激发能; 铜; 【摘要】 把直流偏流引入到辉光放射粒子中,可增大发射谱线强度。20-30mA的偏流电流通常可使拥有3-4ev激发能的原子谱线发射强度增加11-20倍。增强系数很大程度上取决于等离子气体压力和射频功率。具有大约5.7ev激发能的原子发射谱线强度提高很多,增强系数超过50。然而与等离子条件无关,当激发能超过7ev时,发射谱线强度增加很小。 【DOI】 CNKI:SUN:CHGJ.0.2006-01-015 characteristic simulation of double-faced glow discharge plasma reactor system 【作者中文名】 安治永; 李应红; 宋慧敏; 【作者英文名】 AN Zhi-yong; LI Ying-hong; SONG Hui-min（Engineering Institute; Air Force Engineering University; Xi’an 710038）; 【作者单位】 空军工程大学工程学院; 空军工程大学工程学院 西安; 【文献出处】 核聚变与等离子体物理, Nuclear Fusion and Plasma Physics, 编辑部邮箱 2007年 04期 期刊荣誉：中文核心期刊要目总览 ASPT来源刊 CJFD收录刊 【关键词】 等离子体; 流动控制; 电特性; 仿真; 【英文关键词】 Atmospheric plasma; Flow control; Electrical characteristics; Simulation; 【摘要】 用Matlab软件对大气压均匀辉光放电等离子体(OAUGDP)激励器系统的电特性进行了仿真。在仿真模型中,等离子体放电被建模成一个电压控制的电流源:当加在气隙上的电压超过等离子体产生电压时,该受控电流源接通;电流源的输出电流和所加电压之间遵循幂律。建立了一个OAUGDP激励器系统中等离子体放电的电路模型。仿真结果与实际激励器系统的实验数据很吻合。仿真结果表明,在不同的运行条件下,放电电流与电压之间遵循不同的指数幂律,仿真放电电流波形也不同。 【英文摘要】 Simulation of the electrical characteristics of atmosphere uniform glow discharge plasma(OAUGDP) reactor system has been conducted with the Matlab software.Plasma discharge is modeled as a voltage-controlled current source: the discharge current outputs and follows a power law of the applied voltage when the voltage across the gap exceeds the plasma initiation voltage.Simulation results agree well with experimental data.It is also found that the voltage power laws to describe OAUGDP are dissimilar for diffe... 【DOI】 CNKI:SUN:HJBY.0.2007-04-018 射频激励辉光放电粒子引入偏流、激发放射强度的增强系数【作者中文名】 孙素珍; 张宏; 亚艳芝; 王会娟; 【文献出处】 承钢技术, , 编辑部邮箱 2006年 01期 期刊荣誉：CJFD收录刊 【关键词】 辉光放电光谱仪; 直流（d．c）偏流; 射频（r．f.）等离子; 增强系数; 激发能; 铜; 【摘要】 把直流偏流引入到辉光放射粒子中,可增大发射谱线强度。20-30mA的偏流电流通常可使拥有3-4ev激发能的原子谱线发射强度增加11-20倍。增强系数很大程度上取决于等离子气体压力和射频功率。具有大约5.7ev激发能的原子发射谱线强度提高很多,增强系数超过50。然而与等离子条件无关,当激发能超过7ev时,发射谱线强度增加很小。 【DOI】 CNKI:SUN:CHGJ.0.2006-01-015 射频辉光放电过程中工艺参数对极板自负偏压的影响【英文篇名】 Effect of R F Discharhe Parameters on the Substrate Bias 【作者中文名】 程宇航; 吴一平; 许德胜; 陈建国; 乔学亮; 谢长生; 【作者英文名】 Cheng Yuhang Wu Yiping Xu Desheng Chen Jianguo Qiao Xueliang Xie Changsheng （Huazhong University of Science and Technology 430074 China）; 【作者单位】 华中理工大学材料学院; 【文献出处】 电工技术学报, TRANSACTIONS OF CHINA ELECTROTECHNICAL SOCIETY, 编辑部邮箱 1999年 05期 期刊荣誉：中文核心期刊要目总览 ASPT来源刊 CJFD收录刊 【关键词】 射频辉光放电; 极板自负偏压; 工艺参数; 【英文关键词】 R f discharge Substrate bias Discharge parameter; 【摘要】 系统研究了射频等离子辉光放电过程中工艺参数对极板自负偏压的影响， 结果表明射频辉光放电过程中下极板上产生的自直流负偏压V 与电源功率W 和工作压强P 的关系为V＝k W／ P。极板负偏压随极板间距的增加而增大。不同放电气体对极板自负偏压产生不同的影响，这与各种气体本身的放电特性有关 【英文摘要】 The effect of radio frequency (r f )discharge parameters on the substrate bias was systematically studied Results show that the substrate bias V is related to the r f power W and gas pressure P by V=kW/P The increase of distance between two electrode leads to the increase of substrate bias Substrate bias is greatly affected by the discharge characteristics of different gases 【基金】 华中理工大学模具技术国家重点实验室和激光技术国家重点实验室联合资助 【DOI】 cnki:ISSN:1000-6753.0.1999-05-014 二极射频辉光放电获取表面信息的机理与特性研究【英文篇名】 Investigation on Getting Messages from Surface by Means of RF Diode Glow Discharge 【作者中文名】 唐政清; 丁力; 【作者英文名】 Tang Zhengqing Ding Li （Departement of Electronic Engineering）; 【作者单位】 东南大学电子工程系; 【文献出处】 东南大学学报(自然科学版), Journal of Southeast University(Natural Science Edition), 编辑部邮箱 1989年 02期 期刊荣誉：中文核心期刊要目总览 ASPT来源刊 中国期刊方阵 CJFD收录刊 【关键词】 质谱; 离子源; 辉光放电; 等离子体探针诊断; 【英文关键词】 mass spectra; ion sources; glow dischange; plasma diagnostics; 【摘要】 本文对射频辉光放电离子源用后电离方式产生中性粒子信号的机理进行了研究。介绍了放电等离子体的探针诊断与引出离子流的能量分析实验。得出了离子能量分布的中心在20～25eV适于用四极质谱分析的结论。 【英文摘要】 This paper studies the mechanism of generating the sputtered neutral signal by using post ionization process in RF glow discharge ion source. The experiment on probe detection of discharge plasma and the energy analysis of extracted ions are diseribed. It is identified that the energy distribution centre is about 20-25 eV and suits the quadrupole mass analysis. 【DOI】 cnki:ISSN:1001-0505.0.1989-02-005

第27卷第2期文献标识码:A 文章编号:1000-3738(2003)02-0031-03 Preparation and Properties of Hardened Surface Layers ...Pa,通人氮气后,通过射频放电使氮气电离成等离 子体,这时在工件上加上相对于真空室壁(零电位) 为--60kV的负脉冲... 氮气光谱的计算模拟及其在放电等离子体诊断中的应用制备氮化物时也采用放电方法来产生氮离子因此各种放电方法如微波放电射频放 电直流辉光放电空心阴极放电快脉冲放电和弧光...氮气脉冲放电光谱 参考文献 [1] F. A. Ponce & D. P. Bour, Nature 386,351 (1997) [2] 过增元赵文华... 材料科学与工程学报放电和射频(RF)辉光放电Pill,金属钦和钦加氮气的Pill以硬度为560HVo.ozs.样品经研磨抛光至Ra -< 0. 04tm,然后在...文献〔13]的 实验结果表明,在1570cm-'附近有宽缝的Raman光谱代表 了10%左右的sp3sp键含量discharge RF glow discharge Ti+NinnTiC thin filmDLC thin film implanted PIIIDby PIIID 3030300500 3030 500 ...Nitrogen Ion Implantation for the Surface Modification of 9Cr18 Steel[ J ].Nul. Instr. Meth: