关于晶体缺陷检测的论文摘要

晶体缺陷理论是关于晶体缺陷的基本规律及结构敏感性能的理论解释，是金属物理基础理论的另一支柱。金属的许多重要技术性能是结构敏感的，即受到晶体缺陷的制约。实用金属材料的塑性与强度就是一个例子。20世纪20年代起，对于金属单晶的塑性形变开展了系统的研究。到30年代中期，G.泰勒与J.伯格斯等奠定了晶体位错理论的基础。50年代位错得到有力的实验观测证实，随即开展了大量的研究工作，澄清了金属塑性形变的微观机制和强化效应的物理本质。点缺陷的基础研究澄清了扩散与辐照损伤的机制。晶粒间界（即晶界）结构对金属的性能特别是力学性能有甚大的影响。小角度的晶界可归结为位错的行列与网络，已经基本搞清楚。如今重点在于澄清大角度晶界的结构。晶体缺陷理论还可以推广到不均匀的电磁介质，如朗道与栗夫席兹的铁磁介质的磁畴理论和阿布里科索夫的Ⅱ类超导体的磁通列阵理论，都得到了实验的证实。通常的晶体缺陷对磁畴壁和磁通列阵都会钉扎或产生其他相互作用。前者影响到铁磁体的磁化曲线；后者影响到Ⅱ类超导体的磁化曲线和临界电流。这是硬铁磁体和硬超导体具有强烈的结构敏感性的物理根源。

晶体缺陷在材料结构和性能研究中有哪些作用 ？

【晶体缺陷对材料性能的影响】晶体缺陷的存在对材料的性质会产生明显的影响。实际晶体或多或少都有缺陷。适量的某些点缺陷的存在可以大大增强半导体材料的导电性和发光材料的发光性，起到有益的作用；而位错等缺陷的存在，会使材料易于断裂，比近于没有晶格缺陷的晶体的抗拉强度，降低至几十分之一。【晶体缺陷】在理想完整的晶体中，原子按一定的次序严格地处在空间有规则的、周期性的格点上。但在实际的晶体中，由于晶体形成条件、原子的热运动及其它条件的影响，原子的排列不可能那样完整和规则，往往存在偏离了理想晶体结构的区域。这些与完整周期性点阵结构的偏离就是晶体中的缺陷，它破坏了晶体的对称性。分为：点缺陷、线缺陷（位错）、面缺陷、体缺陷四种。

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一是使用性能，包括力学性能、物理性能和化学性能等；二是工艺性能，例如铸造性、可锻性、可焊性、切削加工性以及热处理性等等。在我们生产中经常用到的材料， 其性能常常因为微观上小小的差异而变得迥然不同，我们就理想型的完美晶体进行材料缺陷对材料性能的影响的研究与探索。在理想完整晶体中，原子按一定的次序严格地处在空间有规则的、周期性的格点上。但在实际的晶体中，由于晶体形成条件、原子的热运动及其它条件的影响， 原子的排列不可能那样完整和规则， 往往存在偏离了理想晶体结构的区域。 这些与完整周期性点阵结构的偏离就是晶体中的缺陷， 它破坏了晶体的对称性。

晶体缺陷:类型有点、线、面。通常工业上应用的多晶体材料通过增加缺陷数目都可以提高材料的机械性能。比如加入合金元素形成固溶体可以产生固溶强化，提高强度，这主要是增加了点缺陷造成的；金属经过冷加工变形也可以提高强度，这是通过增加线缺陷--位错数目来实现的；金属通过细化晶粒提高强度的原因：增加了面缺陷：晶界的数目。