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微电子学与计算机期刊一页A4稿费

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微电子学与计算机期刊一页A4稿费

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双栏9页,2796

呵呵,可以接受电子投稿,地址是:。然后审稿周期是50天,不需要审稿费,

请问你拿到多少的稿费啊。我5页被收1350

微电子学与计算机期刊费用

自己投的话一般周期是比较长的。

计算机仿真 计算机工程与科学 我 可以发见我的用户名,163的邮箱。

微电子学与计算机期刊

微电子学与计算机主管单位:中国航天科技集团公司主办单位:中国航天时代电子公司第七七一研究所快捷分类:计算机电子信息科学综合出版地区:陕西国际刊号:1000-7180国内刊号:61-1123/TN创刊时间:1972发行周期:月刊期刊开本:A4审稿时间:3-6个月所在栏目:信息科技综合影响因子:364期刊级别: CSCD核心期刊  北大核心期刊  统计源期刊 微电子学主管单位:工业和信息化部主办单位:中国电子科技集团公司24所快捷分类:电子无线电电子学出版地区:重庆国际刊号:1004-3365国内刊号:50-1090/TN创刊时间:1971发行周期:双月刊期刊开本:A4审稿时间:3-6个月所在栏目:信息科技综合影响因子:239期刊级别: CSCD核心期刊  北大核心期刊  统计源期刊 还有其他的很多!杂志之家 你可以去看看!

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微电子学与计算机投稿

该杂志社没有官方网站

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微电子学与计算机审稿周期

中文核心可是以难度闻名的,只有一本计算机工程与设计没有那么难,但也不容易、

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在电子产品微型化、多功能化的发展趋势下,单个焊点所承载的电流密度和焊点的服役温度与日俱增,这就给微电子封装焊点的可靠性带来了巨大的挑战。电迁移失效作为微电子产品一种新的失效形式,而逐渐引起广泛的关注。电迁移效应的物理本质是在电子风力驱使下,焊点中的原子沿着电子流方向由阴极不断向阳极迁移的现象。  电迁移效应加速电子元器件的失效,缩短了电子产品的有效使用寿命,严重的影响了微电子封装焊点的可靠性。  基于以上研究,本文采用引线对接焊点为研究对象,在排除电流拥挤效应和焦耳热效应对电迁移效应造成干扰的前提下,首先研究了在78×10~4A/cm~2电流密度、100℃和125℃条件下加载对Cu/Sn-0Ag-5Cu/Cu焊点可靠性的影响。结果发现电流加载下阳极和阴极界面IMC的生长呈现明显的极性效应,阳极界面IMC的生长被增强,阴极界面IMC的生长被抑制。  认为是Cu原子的扩散主导界面IMC的生长,在电子风力、化学势梯度和背应力三者的综合作用下,阳极界面IMC的生长与加载时间呈抛物线关系。焊点的抗拉强度随着加载时间迅速下降,断裂模式由纯剪切断裂转为微孔聚集型断裂,并最终向脆性断裂转变,断裂位置由钎料中向阴极界面处转移。    作为对比分析研究了Cu/Sn-0Ag-5Cu/Cu焊点在100℃、125℃、150℃等温时效对焊点可靠性的影响。结果表明界面IMC随时效时间的延长而不断生长,时效温度越高界面IMC的生长速率越大,约为相同温度下电迁移试样阳极界面IMC生长速率的1/30。时效时间延长,焊点的抗拉强度下降,其下降速率约为相同温度下电迁移试样的1/9。高温长时间时效,界面处有Kirkendall空洞出现。焊点的断裂模式由纯剪切断裂变为微孔聚集型断裂,但断裂位置始终位于钎料中。同时还研究了Cu/Sn-0Ag-5Cu/Ni焊点在130℃等温时效过程中界面IMC的生长情况,发现母材Ni侧的界面IMC的生长速率比母材Cu侧稍慢,界面IMC的成分十分复杂。最后对Cu/Sn-9Zn/Cu焊点在78×10~4A/cm~2电流密度、125℃加载条件下的电迁移现象进行了研究,发现了阴极和阳极界面IMC都增厚,且阴极界面IMC生长速率更大的异常现象。  分析界面IMC成分后认为,是由Sn原子的扩散主导IMC的生长导致的

微电子领域大体可以分三个方向吧,设计、CAD和工艺。  这三个方向共同的顶级的学术期刊是Proceedings of the IEEE,是讲微电子发展前沿的尖端技术的,基本上只有学界、产业界顶级大牛才能发表的。  设计方向比较好的期刊有Journal of Solid State Circuits(JSSC)、IEEE Transactions on Signal Processing、IEEE Transaction on Communication、IEEE transactions on circuits and systems (CAS) I & II、IEEE transactions on VLSI等。  CAD方向比较好的期刊有IEEE Transactions on Computer-Aided-Design (CAD)、IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques等。  工艺方向比较好的期刊有Applied Physics Letters、IEEE Electron Device Letters、IEEE Transaction on Electron Devices、IEEE Journal of MEMS等。

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