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硅有晶态和无定形两种同素异形体。晶态硅又分为单晶硅和多晶硅，它们均具有金刚石晶格，晶体硬而脆，具有金属光泽，能导电，但导电率不及金属，且随温度升高而增加，具有半导体性质....
中文别名：硅单晶 英文名： Monocrystalline silicon 分子式： Si 分子量： 号：7440-21-3 硅是地球上储藏最丰富的材料之一，从19世纪科学家们发现了晶体硅的半导体特性后，它几乎改变了一切，甚至人类的思维。 直到上世纪60年代开始，硅材料就取代了原有锗材料。 硅材料――因其具有耐高温和抗辐射性能较好，特别适宜制作大功率器件的特性而成为应用最多的一种半导体材料，目前的集成电路半导体器件大多数是用硅材料制造的。 硅的单晶体。 具有基本完整的点阵结构的晶体。 不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料。 纯度要求达到％，甚至达到％以上。 用于制造半导体器件、太阳能电池等。 用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。单晶硅熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。 单晶硅具有准金属的物理性质，有较弱的导电性，其电导率随温度的升高而增加，有显著的半导电性。 超纯的单晶硅是本征半导体。 在超纯单晶硅中掺入微量的ⅢA族元素，如硼可提高其导电的程度，而形成p型硅半导体；如掺入微量的ⅤA族元素，如磷或砷也可提高导电程度，形成n型硅半导体。 单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。 单晶硅主要用于制作半导体元件。 用途： 是制造半导体硅器件的原料，用于制大功率整流器、大功率晶体管、二极管、开关器件等 现在，我们的生活中处处可见“硅”的身影和作用，晶体硅太阳能电池是近15年来形成产业化最快的。 熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。 单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。 单晶硅棒是生产单晶硅片的原材料，随着国内和国际市场对单晶硅片需求量的快速增加，单晶硅棒的市场需求也呈快速增长的趋势。 单晶硅圆片按其直径分为6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。 直径越大的圆片，所能刻制的集成电路越多，芯片的成本也就越低。 但大尺寸晶片对材料和技术的要求也越高。 单晶硅按晶体伸长方法的不同，分为直拉法（CZ）、区熔法（FZ）和外延法。 直拉法、区熔法伸长单晶硅棒材，外延法伸长单晶硅薄膜。 直拉法伸长的单晶硅主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池。 目前晶体直径可控制在Φ3~8英寸。 区熔法单晶主要用于高压大功率可控整流器件领域，广泛用于大功率输变电、电力机车、整流、变频、机电一体化、节能灯、电视机等系列产品。 目前晶体直径可控制在Φ3~6英寸。 外延片主要用于集成电路领域。 由于成本和性能的原因，直拉法（CZ）单晶硅材料应用最广。 在IC工业中所用的材料主要是CZ抛光片和外延片。 存储器电路通常使用CZ抛光片，因成本较低。 逻辑电路一般使用价格较高的外延片，因其在IC制造中有更好的适用性并具有消除Latch－up的能力。 硅片直径越大，技术要求越高，越有市场前景，价值也就越高。 日本、美国和德国是主要的硅材料生产国。 中国硅材料工业与日本同时起步，但总体而言，生产技术水平仍然相对较低，而且大部分为、3、4、5英寸硅锭和小直径硅片。 中国消耗的大部分集成电路及其硅片仍然依赖进口。 但我国科技人员正迎头赶上，于1998年成功地制造出了12英寸单晶硅，标志着我国单晶硅生产进入了新的发展时期。 目前，全世界单晶硅的产能为1万吨/年，年消耗量约为6000吨～7000吨。 未来几年中，世界单晶硅材料发展将呈现以下发展趋势： 1，单晶硅产品向300mm过渡，大直径化趋势明显： 随着半导体材料技术的发展，对硅片的规格和质量也提出更高的要求，适合微细加工的大直径硅片在市场中的需求比例将日益加大。 目前，硅片主流产品是200mm，逐渐向300mm过渡，研制水平达到400mm～450mm。 据统计，200mm硅片的全球用量占60%左右，150mm占20%左右，其余占20%左右。 Gartner发布的对硅片需求的5年预测表明，全球300mm硅片将从2000年的增加到2006年的。 日、美、韩等国家都已经在1999年开始逐步扩大300mm硅片产量。 据不完全统计，全球目前已建、在建和计划建的300mm硅器件生产线约有40余条，主要分布在美国和我国台湾等，仅我国台湾就有20多条生产线，其次是日、韩、新及欧洲。 %P 世界半导体设备及材料协会（SEMI）的调查显示，2004年和2005年，在所有的硅片生产设备中，投资在300mm生产线上的比例将分别为55%和62%，投资额也分别达到亿美元和亿美元，发展十分迅猛。 而在1996年时，这一比重还仅仅是零。 2、硅材料工业发展日趋国际化，集团化，生产高度集中： 研发及建厂成本的日渐增高，加上现有行销与品牌的优势，使得硅材料产业形成“大者恒大”的局面，少数集约化的大型集团公司垄断材料市场。 上世纪90年代末，日本、德国和韩国（主要是日、德两国）资本控制的8大硅片公司的销量占世界硅片销量的90%以上。 根据SEMI提供的2002年世界硅材料生产商的市场份额显示，Shisu、SUMCO、Wacker、MEMC、Komatsu等5家公司占市场总额的比重达到89%，垄断地位已经形成。 3、硅基材料成为硅材料工业发展的重要方向： 随着光电子和通信产业的发展，硅基材料成为硅材料工业发展的重要方向。 硅基材料是在常规硅材料上制作的，是常规硅材料的发展和延续，其器件工艺与硅工艺相容。 主要的硅基材料包括SOI（绝缘体上硅）、GeSi和应力硅。 目前SOI技术已开始在世界上被广泛使用，SOI材料约占整个半导体材料市场的30%左右，预计到2010年将占到50%左右的市场。 Soitec公司（世界最大的SOI生产商）的2000年～2010年SOI市场预测以及2005年各尺寸SOI硅片比重预测了产业的发展前景。 4、硅片制造技术进一步升级：半导体,芯片,集成电路,设计,版图,芯片,制造,工艺目前世界普遍采用先进的切、磨、抛和洁净封装工艺，使制片技术取得明显进展。 在日本，Φ200mm硅片已有50%采用线切割机进行切片，不但能提高硅片质量，而且可使切割损失减少10%。 日本大型半导体厂家已经向300mm硅片转型，并向μm以下的微细化发展。 另外，最新尖端技术的导入，SOI等高功能晶片的试制开发也进入批量生产阶段。 对此，硅片生产厂家也增加了对300mm硅片的设备投资，针对设计规则的进一步微细化，还开发了高平坦度硅片和无缺陷硅片等，并对设备进行了改进。 硅是地壳中赋存最高的固态元素，其含量为地壳的四分之一，但在自然界不存在单体硅，多呈氧化物或硅酸盐状态。 硅的原子价主要为4价，其次为2价；在常温下它的化学性质稳定，不溶于单一的强酸，易溶于碱；在高温下化学性质活泼，能与许多元素化合。 硅材料资源丰富，又是无毒的单质半导体材料，较易制作大直径无位错低微缺陷单晶。 晶体力学性能优越，易于实现产业化，仍将成为半导体的主体材料。 多晶硅材料是以工业硅为原料经一系列的物理化学反应提纯后达到一定纯度的电子材料，是硅产品产业链中的一个极为重要的中间产品，是制造硅抛光片、太阳能电池及高纯硅制品的主要原料，是信息产业和新能源产业最基础的原材料。 [编辑本段]单晶硅市场发展概况 2007年，中国市场上有各类硅单晶生长设备1500余台，分布在70余家生产企业。 2007年5月24日，国家“863”计划超大规模集成电路（IC）配套材料重大专项总体组在北京组织专家对西安理工大学和北京有色金属研究总院承担的“TDR-150型单晶炉（12英寸MCZ综合系统）”完成了验收。 这标志着拥有自主知识产权的大尺寸集成电路与太阳能用硅单晶生长设备，在我国首次研制成功。 这项产品使中国能够开发具有自主知识产权的关键制造技术与单晶炉生产设备，填补了国内空白，初步改变了在晶体生长设备领域研发制造受制于人的局面。 硅材料市场前景广阔，中国硅单晶的产量、销售收入近几年递增较快，以中小尺寸为主的硅片生产已成为国际公认的事实，为世界和中国集成电路、半导体分立器件和光伏太阳能电池产业的发展做出了较大的贡献。
参考文献我这里倒是没有，不过我这里先确定你的硅是亲水性的，这是肯定的。你的审核人没有错！！！当然我不是你的审核人，你放心。因为我是做化工的，在蚀刻和显影这一块加硅的最主要的原因就是亲水，不会让水中的一些金属离子吸附！！主要就是保护设备的完整性，做到设备的使用寿命最大化。且用多久设备的内表面和管道都不会结逅，也就是喷嘴不会堵塞。
疏水。具体咋样，偶也不熟悉，希望自己找的文档对你会有帮助。非晶碳薄膜润湿性能的可控性研究 ：以甲基三乙氧基硅烷(MTES)替代部分正硅酸乙酯(TEoS)作为前驱物，用溶胶一凝胶法制备了MTES改性二氧化硅溶胶和二氧化硅膜，研究了憎水基团的添加量对溶胶体系的稳定性和对二氧化硅膜润湿性以及水汽稳定性的影响．结果表明，随MTES／TEOS摩尔比增大，二氧化硅溶胶的稳定性降低，改性二氧化硅膜的表面自由能显著减小；表面润湿性降低，主要是表面张力中极性力的贡献，FTIR分析表明，这是由于二氧化硅颗粒表面一CH3非极性基团增加所致；在潮湿环境中陈化时，二氧化硅膜接触角的变化及吸水率随MTES／TEOS摩尔比增大而减小，疏水性二氧化硅膜的MTES／TEoS宜为0．8一1．0；AFM形貌分析表明陶瓷支撑体上的二氧化硅薄膜连续，膜表面较光滑、平整．关键词：二氧化硅膜；改性；润湿性；润湿性能是固体表面的重要特征之一，它是由表面的化学组成和微观几何结构共同决定的。无论是在工农业生产还是人们的日常生活中，润湿都是一种非常重要的现象，具有特殊润湿性和可控润湿性材料一直是人们关注的热点，比如超疏水材料(接触角大于150°)在窗户和天线的防雪防霜，汽车挡风玻璃的自清洁，以及生物细胞的活动等领域已经或者即将发挥极大的作用。作为一种经济适用并且环境友好的光电器件材料，非晶碳薄膜因其众多优良的特性而引起广泛研究兴趣。因此，辅之以特殊的润湿性能，非晶碳薄膜必将发挥更大的优势。 本文采用磁控溅射系统在普通玻璃和单晶硅上获得了具有不同表面形貌特征的非晶碳薄膜，此外利用等离子体表面处理系统，通过改进工艺方法，优化工艺条件，对非晶碳薄膜表面化学组成进行调控，获得了润湿性能从超亲水到超疏水范围变化的表面。系统地研究了工艺参数对非晶碳薄膜的表面结构以及润湿性能的影响，此外还对非晶碳薄膜润湿性能的环境稳定性进行了评估。 本论文的主要的研究工作进展如下：1.通过调控溅射工艺成功制备具有显著差异的表面形貌的非晶碳薄膜，其表面特征为从光滑平坦过渡到具有丰富的孔隙和极其复杂的皱褶的分形结构。而有趣的是，这种分形结构非常类似于自然界中荷叶的表面微观结构，这是目前在碳薄膜中首次发现具有这样特征的结构。对具有不同表面特征薄膜的润湿性能测试表明：仅仅通过工艺的调控，形貌的改变就可以使非晶碳薄膜的表面从非常亲水(接触角为40°)到超疏水(接触角为152°)大范围的浮动。 2.通过计盒分维法将不同形貌的薄膜定量描述。随着分形维数的增大，薄膜的表面具有更加复杂的结构，表面有更多和更精细的具有纳米尺度的凹凸、皱褶和缺陷结构，具有更大的吸附和容纳气体的能力，从而提高水滴薄膜表面的接触角。其中当沉积温度为400°C的时候，具有类荷叶的表面微细结构的分维达到了，而气体所占的分数为。 3.通过对具有特殊形貌的非晶碳薄膜进行CF4等离子体表面处理来调控其表面的润湿性能，优化处理工艺极大提高非晶碳薄膜表面的疏水性能，原来为弱疏水的表面(接触角为105°)变为超疏水表面，其接触角达到了162°。而氟化后的类荷叶状的表面与纯水的接触角达到168°，其接触角的变化范围为165°～171°。且在全pH(0～14)值范围内均展示了优异的超疏水性能，此外氟化处理后的非晶碳薄膜的超疏水性能表现了良好的热稳定性和耐久性；通过对非晶碳薄膜Ar、N2、H2等离子处理能够提高非晶碳薄膜的亲水性能，其中通过H2、Ar等离子体处理具有类荷叶表面的非晶碳薄膜时，其表面达到了超亲水性能，其接触角小于10°。 作 者： 周英 学科专业： 材料物理与化学 授予学位： 硕士 学位授予单位： 北京工业大学 导师姓名： 严辉 王波 学位年度： 2006 研究方向： 语 种： chi 分类号： TB43 O484 关键词： 润湿性能 非晶碳薄膜 超疏水 形貌 等离子体 机标分类号： TB43 O484 机标关键词： 非晶碳薄膜 润湿性能 等离子体表面处理 接触角 分形结构 超疏水性能 优化工艺条件 薄膜表面 表面特征 亲水性能 化学组成 荷叶 调控 表面形貌特征 磁控溅射系统 微观几何结构 汽车挡风玻璃 等离子体处理 超亲水 材料 基金项目： 参考文献(87条)1. 参考文献 2. R Blossey Self-Cleaning Surfaces-Virtual Realities 2003() 3. C L Low Friction Flows of Liquid at Nanopatterned Interfaces 2003() 4. 张立德.牟季美 纳米材料和纳米结构 2001() 5. 金美花 超疏水性纳米界面材料的制备及研究 [学位论文] 博士 2004() 6. V Y Controlling Droplet Deposition with Polymer Additives 2000() 7. 郑黎俊.乌学东.楼增.吴旦 表面微细结构制备超疏水表面 [期刊论文] - 北京工业大学 2004(17) 8. L Mahadevan Non-Stick Water 2001() 9. D Bico Slippy and Sticky Microtextured Solids 2003() 10. X Polyelectrolyte Multilayer as Matrix For Electrochemical Deposition of Gold Clusters:Toward Super-Hydrophobic Surface 2004() 像这样的专业性文章，在学校内网的图书馆都会各大数据库提供阅读和部分下载。
单晶硅建设项目具有巨大的市场和广阔的发展空间。在地壳中含量达的硅元素，为单晶硅的生产提供了取之不尽的源泉。 近年来，各种晶体材料，特别是以单晶硅为代表的高科技附加值材料及其相关高技术产业的发展，成为当代信息技术产业的支柱，并使信息产业成为全球经济发展中增长最快的先导产业。单晶硅作为一种极具潜能，亟待开发利用的高科技资源，正引起越来越多的关注和重视。 与此同时，鉴于常规能源供给的有限性和环保压力的增加，世界上许多国家正掀起开发利用太阳能的热潮并成为各国制定可持续发展战略斩重要内容。 在跨入21世纪门槛后，世界大多数国家踊跃参与以至在全球范围掀起了太阳能开发利用的“绿色能源热”，一个广泛的大规模的利用太阳能的时代正在来临，太阳能级单晶硅产品也将因此炙手可热。 此外，包括我国在内的各国政府也出台了一系列“阳光产业”的优惠政策，给予相关行业重点扶持，单晶硅产业呈现出美好的发展前景。 单晶硅性质；单晶硅具有金刚石晶格。晶体硬而脆具有金属光泽。能导电。但导电率不及金属。局随温度升高而增加。具有半导体性质。单晶硅石重要的半导体材料，在单晶硅中掺入微量的IIIA族元素。形成p型半导体。掺入微量的第vA族元素。形成N型和P型导体结合在一起。就可以做成太阳能电池。将辐射能转变为电能。在开发电能方面是一种很有前途的材料。熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。单晶硅具有准金属的物理性质，有较弱的导电性，其电导率随温度的升高而增加，有显著的半导电性。超纯的单晶硅是本征半导体。在超纯单晶硅中掺入微量的ⅢA族元素，如硼可提高其导电的程度，而形成p型硅半导体；如掺入微量的ⅤA族元素，如磷或砷也可提高导电程度，形成n型硅半导体。单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。发展趋势：日本、美国和德国是主要的硅材料生产国。中国硅材料工业与日本同时起步，但总体而言，生产技术水平仍然相对较低，而且大部分为、3、4、5英寸硅锭和小直径硅片。中国消耗的大部分集成电路及其硅片仍然依赖进口。但我国科技人员正迎头赶上，于1998年成功地制造出了12英寸单晶硅，标志着我国单晶硅生产进入了新的发展时期。目前，全世界单晶硅的产能为1万吨/年，年消耗量约为6000吨～7000吨。未来几年中，世界单晶硅材料发展将呈现以下发展趋势：1、微型化 随着半导体材料技术的发展，对硅片的规格和质量也提出更高的要求，适合微细加工的大直径硅片在市场中的需求比例将日益加大。目前，硅片主流产品是200mm，逐渐向300mm过渡，研制水平达到400mm～450mm。据统计，200mm硅片的全球用量占60%左右，150mm占20%左右，其余占20%左右。Gartner发布的对硅片需求的5年预测表明，全球300mm硅片将从2000年的增加到2006年的。日、美、韩等国家都已经在1999年开始逐步扩大300mm硅片产量。据不完全统计，全球目前已建、在建和计划建的300mm硅器件生产线约有40余条，主要分布在美国和我国台湾等，仅我国台湾就有20多条生产线，其次是日、韩、新及欧洲。%P 世界半导体设备及材料协会（SEMI）的调查显示，2004年和2005年，在所有的硅片生产设备中，投资在300mm生产线上的比例将分别为55%和62%，投资额也分别达到亿美元和亿美元，发展十分迅猛。而在1996年时，这一比重还仅仅是零。2、国际化，集团化，集中化 研发及建厂成本的日渐增高，加上现有行销与品牌的优势，使得硅材料产业形成“大者恒大”的局面，少数集约化的大型集团公司垄断材料市场。上世纪90年代末，日本、德国和韩国（主要是日、德两国）资本控制的8大硅片公司的销量占世界硅片销量的90%以上。根据SEMI提供的2002年世界硅材料生产商的市场份额显示，Shinetsu、SUMCO、Wacker、MEMC、Komatsu等5家公司占市场总额的比重达到89%，垄断地位已经形成。3、硅基材料 随着光电子和通信产业的发展，硅基材料成为硅材料工业发展的重要方向。硅基材料是在常规硅材料上制作的，是常规硅材料的发展和延续，其器件工艺与硅工艺相容。主要的硅基材料包括SOI（绝缘体上硅）、GeSi和应力硅。目前SOI技术已开始在世界上被广泛使用，SOI材料约占整个半导体材料市场的30%左右，预计到2010年将占到50%左右的市场。Soitec公司（世界最大的SOI生产商）的2000年～2010年SOI市场预测以及2005年各尺寸SOI硅片比重预测了产业的发展前景。4、硅片制造技术进一步升级 半导体,芯片,集成电路,设计,版图,芯片,制造,工艺目前世界普遍采用先进的切、磨、抛和洁净封装工艺，使制片技术取得明显进展。在日本，Φ200mm硅片已有50%采用线切割机进行切片，不但能提高硅片质量，而且可使切割损失减少10%。日本大型半导体厂家已经向300mm硅片转型，并向μm以下的微细化发展。另外，最新尖端技术的导入，SOI等高功能晶片的试制开发也进入批量生产阶段。对此，硅片生产厂家也增加了对300mm硅片的设备投资，针对设计规则的进一步微细化，还开发了高平坦度硅片和无缺陷硅片等，并对设备进行了改进。 硅是地壳中赋存最高的固态元素，其含量为地壳的四分之一，但在自然界不存在单体硅，多呈氧化物或硅酸盐状态。硅的原子价主要为4价，其次为2价；在常温下它的化学性质稳定，不溶于单一的强酸，易溶于碱；在高温下化学性质活泼，能与许多元素化合。 硅材料资源丰富，又是无毒的单质半导体材料，较易制作大直径无位错低微缺陷单晶。晶体力学性能优越，易于实现产业化，仍将成为半导体的主体材料。 多晶硅材料是以工业硅为原料经一系列的物理化学反应提纯后达到一定纯度的电子材料，是硅产品产业链中的一个极为重要的中间产品，是制造硅抛光片、太阳能电池及高纯硅制品的主要原料，是信息产业和新能源产业最基础的原材料。硅材料市场前景广阔，中国硅单晶的产量、销售收入近几年递增较快，以中小尺寸为主的硅片生产已成为国际公认的事实，为世界和中国集成电路、半导体分立器件和光伏太阳能电池产业的发展做出了较大的贡献。[
太阳能电池行业主要上市公司：目前国内太阳能电池制造行业的上市公司主要有通威股份()、隆基股份()、中利集团()、晶澳科技()、协鑫集成()、东方日升()、中来股份()、航天机电()、亿晶光电()、爱旭股份()、天合光能()、拓日新能()、爱康科技()、亚玛顿()等。
本文核心数据：太阳能电池产业链、中国太阳能电池产量、太阳能电池出口情况
产业概况
1、定义分类：太阳能电池是光伏行业重要一环
太阳能电池又称为“太阳能芯片”或“光伏电池”，是一种利用太阳光直接发电的光电半导体薄片。它只要被满足一定照度条件的光照到，瞬间就可输出电压及在有回路的情况下产生电流。
根据半导体材料的不同，可以将太阳能电池分为晶硅太阳能电池和薄膜太阳能电池。晶硅电池是研究最早、最先进入应用的第一代太阳能电池技术，按照材料的形态可分为单晶硅电池和多晶硅电池，其中单晶硅电池根据基体硅片掺杂不同又分为P型电池和N型电池。目前应用最为广泛的单晶PERC电池即为P型单晶硅电池，而TOPCon、异质结、IBC等新型太阳能电池技术主要是指N型单晶硅电池。
2、产业链剖析
我国光伏行业于2005年左右受欧洲市场需求拉动起步，十几年来实现了从无到有、从有到强的跨越式大发展，建立了完整的市场环境和配套环境，已经成为我国为数不多、可以同步参与国际竞争并达到国际领先水平的战略性新兴产业，也成为我国产业经济发展的一张崭新名片和推动我国能源变革的重要引擎。太阳能电池属于光伏产业整体的一环，太阳能电池制造行业下游产业主要光伏发电市场，上游则主要是原材料行业。
目前，我国太阳能电池行业参与者众多，在上游太阳能电池配件行业有福莱特、通灵股份、安彩高科和明冠新材等;上游太阳能电池原材料行业则有众合股份、中环股份和有研新材等;中游电池制造行业，则有阿斯特、隆基、东方日升、中来股份等多家国内外知名企业。
产业发展历程：行业发展愈发成熟
我国太阳能电池行业发展大致经历了四个阶段，目前我国太阳能电池行业随着光伏行业整体技术的不断成熟，国家补贴的不断滑坡，行业发展逐渐进入成熟阶段，行业发展从过去依赖国家补贴逐渐向以市场需求为主导转变，企业通过规模化，产业化发展，整合行业，从而获取超额收益。
上游供给情况：中国多晶硅产量持续增长
我国多晶硅产业2005年以来在政策推动下起步，一路历经产能过剩、淘汰兼并，行业集中度不断提高。部分先进企业的生产成本已达全球领先水平，产品质量多数在太阳能级一级品水平。据中国光伏协会统计数据显示，2012年以来，我国多晶硅产量持续增长，2020年，全国多晶硅产量为万吨，同比增长。
下游发展情况：光伏发电量仍保持较快增速
据国家能源局统计数据显示，2015年以来，我国光伏发电量增长迅速。2015年，全国光伏发电量仅为392亿千瓦时，到2019年，全国光伏发电量2238亿千瓦时，同比增长。2020年我国光伏发电量为2605亿千瓦时，同比增长，虽近年来增速有所放缓，但仍保持着较高增长。
产业发展现状
1、供给：太阳能电池产量不断创新高
从我国太阳能电池生产数量来看，我国太阳能电池产量从2015年以来波动增长，2020年受疫情影响，行业产量增速也仅是较2019年小幅下降，2021年1-11月，我国太阳能电池产量已达到万千瓦，已超过2020年全年的数据。
2、需求：光伏发电装机容量不断增长
我国太阳能光伏行业虽起步较晚，但发展迅速，尤其是2013年以来，在国家及各地区的政策驱动下，太阳能光伏发电在我国呈现爆发式增长，据国家能源局统计数据显示，2017年，我国光伏发电新增装机容量为，创历史新高，2018年，受光伏531新政影响，各地光伏发电新增项目有所下滑，全年新增装机容量为，同比下降。受国家光伏行业补贴、金融扶持等政策影响，2020年光伏装机量大幅回升，2020年，全国光伏发电新增装机，同比增长。
从累计装机容量来看，据国家能源局统计数据显示，2013年以来，我国光伏发电累计装机容量增长迅速。2013年，全国光伏发电累计装机容量仅为，到2020年已经增长至。在2013-2020年，全国光伏发电累计装机容量已超过10倍增长。截至2021年前三季度，全国光伏发电累计装机。
3、出口：太阳能电池出口数量不断增长
从出口情况来看，我国是光伏产业大国，2015-2021年我国太阳能电池出口数量逐年增加，尤其是2019年，行业出口快速增长。根据海关总署数据显示，2015年我国太阳能电池出口数量仅有63249万个，到了2019年增加到245273万个，较2018年同比增长。截至2021年11月，我国太阳能电池出口数量已经达到291927万个，已超过2020年全年数量。
产业竞争格局
1、企业竞争：我国光伏企业数量众多
从企业品牌竞争来看目前我国太阳能电池行业竞争格局根据企业经营范围可以分为光伏一体化组件生产企业和专业电池生产厂商，两种类型企业均具有代表企业。
目前，我国太阳能电池制造行业上市企业数量众多，其中隆基股份在太阳能电池产量相比于其它企业有较大的领先。太阳能电池产业产业链上的其它代表性企业产能/产量情况如下：
注：统计的企业为公布相关产能/产量数据的上市企业，未公布具体产能/产量数据的上市企业未纳入统计中。
2、区域竞争：行业发展主要集中在华东地区
自2015年以来，我国太阳能电池的产量规模逐年提升，产业主要集中在华东地区。2020年，我国太阳能电池产量最多的地区是华东，占全国产量的，西南地区产量为，排名第二。在各省市中，江苏省产量最多，为万千瓦，是浙江产量的近两倍;浙江产量排在第二位，为万千瓦;安徽产量排名第三，为万千瓦。
产业发展前景及趋势预测
1、 产业将进入整合阶段
“十四五”规划提出要构建现代能源体系，推进能源革命，建设清洁低碳、安全高效的能源体系，提高能源供给保障能力。大力提升光伏发电规模，加快发展东中部分布式能源，建设一批多能互补的清洁能源基地，“十四五”期间非化石能源占能源消费总量比重提高到20%左右。
2021年5月11日，国家能源局发布《关于2021年风电、光伏发电开发建设有关事项的通知》，明确提出2021年全国风电、光伏发电发电量占全社会用电量的比重达到11%左右，后续逐年提高，确保2025年非化石能源消费占一次能源消费的比重达到20%左右。
随着我国太阳能电池行业的快速发展，光伏技术的不断成熟，太阳能电池产品发展将趋于智能化、轻量化和集成化;而行业补贴的不断滑坡，将不断促使行业的市场化发展，因此降低成本仍将是行业发展未来几年的主题，并且在这一大背景下，行业整合将进一步加剧，企业间兼并重组事件数量预计将大幅增加。
2、需求将推动行业产量持续快速增长
前瞻认为2021年我国太阳能电池行业产量将随着碳中和碳达峰政略的落实以及全球对环保能源需求的快速增加，从而继续保持高增长，行业产量将突破23000万千瓦。在随后的几年，我国太阳能电池行业虽然将受国家补贴下滑的负面影响，但由于整体绿色能源市场需求潜力巨大，因此太阳能电池需求仍将快速增长，而更多的则是行业内部的兼并重组，企业通过这一形式获取规模收益。前瞻预计2027年，我国太阳能电池产量将达到85000万千瓦，年复合增速约30%。
以上数据参考前瞻产业研究院《中国太阳能电池行业市场前瞻与投资战略规划分析报告》。
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关于半导体三极管噪声分析的探究光电系 邬智翔摘要：本文主要探讨了两种主要三极管噪声的来源，通过对它们的机理的具体分析，讨论了三级管噪声系数的频率特性，对频率特性的影响因素及对实际工作参数的选择给出了较为详细的解答。正文：基于课本163页给出的三极管噪声系数的频率特性以及对于低噪声工作频率的选择的内容，我们很感兴趣并且想对于其具体的技术进行了解，于是查阅了相关文献，对三极管的噪声源和噪声模型有了一些进一步的认识。一、晶体管的噪声源通常人们把晶体管内常见噪声分成电阻热噪声，散弹噪声，分配噪声和闪烁噪声（1/f）。注意到电阻热噪声和散弹噪声均为白噪声。分配噪声与f二次方成正比，闪烁噪声近似与1/f成正比。因此分配噪声和闪烁噪声决定了三极管的合适工作频率。1、分配噪声 分配噪声产生的原因是由于基区载流子的复合率有起伏，使得集电极电流和基极电流的分配有起伏，从而使集电极电流有起伏（文献【2】）。文献【2】中提到，分配噪声可用集电极电流的均方值表示，即式中，是三极管集电极静态电流，是低频时共基极电流放大系数，是高频时共基极电流放大系数，其值为式中为共基极晶体管截止频率；f为晶体管工作频率。上式即表明，晶体管的分配噪声不是白噪声，它的功率密度谱随工作频率而变化，频率越高噪声越大。【2】中给出的噪声系数表达式如下：式中Rs是信号源内阻，是晶体管的截止频率，是低频时电流放大系数。文献【2】指出，在的频域内，噪声系数随频率升高以接近60dB/十倍频的变化规律增大，这时分配噪声起了主要的作用。2、1/f噪声1/f噪声产生的具体原因现在还没有很确切的解说。文献【1】给出了这些方面的解释。（1）由在晶体管制造过程中有表面损伤，原子价键的不饱和以及与环境气氛的接触、污染等原因，在表面会形成所谓界面态（快态）。一般界面态密度为1010-1011cm-2。随着晶体管周围气氛的变化和外加电场的影响，被电子所占据的界面态数将有无规则的起伏，这就引起表面和体内电导受到无规则的调制，从而产生噪声。（2）由于晶格缺陷，起复合中心作用的杂质在结中缺陷处的沉积以及沟道的存在，都会使p-n结漏电流增大，从而使1/f噪声增大。二、共基极高频噪声系数的推导上面的文献内容让我们对分配噪声有了一个初步的认识。但是分配噪声产生的具体机理，以及决定噪声频率的具体因素，并没有很好的涉及。鉴于此，我们查阅了更古老的文献，《晶体管原理与设计》【1】，1984年。从中可以找到对分配噪声模型的具体分析和求解。1、高频噪声等效电路及模型文献【1】给出的高频噪声等效电路的基本形式如下：图中为热噪声；为发射结散粒噪声；为集电结散粒噪声；经计算，上述等效模型中发射结和集电结散粒噪声之间相关系数较大，因此在计算噪声系数时会有困难。将电路转换成下面这种形式可减弱这种相关。转换过程中将发射结噪声电流源用发射结噪声电压源替代，集电结噪声电流源也进行了下列的修改：对均方值进行计算得其中为共基极直流电流放大系数，为共基极短路电流放大系数及其截止频率。【1】中给出的表达式为，。简明起见，其他参数不再做具体说明。注意到，该表达式中有频率相关项，后面会看到，这是影响高频噪声功率的主要原因之一。2、噪声系数当与不相关时，经推导可得到上述模型的噪声系数（也称共基极高频噪声系数）表达式如下：该公式用到了的一级近似一般来说上式在频率低于500MHz时才正确，频率较高时则与实际结果相比偏高。从实际的角度考虑，上述公式可写成如下形式：这里，至此，晶体管的高频噪声特性已经初见端倪。截止频率fCH决定了我们实际使用时对高频噪声段的选择。这里截止频率fCH是用很重要的功率上的意义的，原因在于它是噪声为白噪声两倍时的频率，也就是说噪声系数较白噪声高3dB时的频率。fCH的完整表达时较复杂，不便分析计算，作工程估计时，略去的影响，可近似认为，实际使用中，一般工作频率不应大于fCH，故为了提高工作频率，可以提高fCH。根据上式，在晶体管设计时，提高fCH的最有效途径是提高共基极截止频率。三、1/f噪声的初步分析上述的讨论中，针对的噪声因素主要集中在高频工作段，主要由分配噪声决定实际的噪声功率。当频率较低时，上述模型就会存在局限性。经研究表明，在实际使用中，低频段三极管噪声的主要来源是闪烁噪声，由于它近似于频率的倒数成正比，因此也被称为1/f噪声。1、1/f噪声模型多晶硅导电材料的1 / f噪声模型及其产生机制的研究一直存在争议。De graaff和Luo等人基于迁移率涨落机制认为，多晶硅导电材料中的1 / f噪声产生于耗尽区，是由晶格散射造成的；Armin和Ralf等人基于载流子数涨落机制认为，1 / f噪声是由晶界附近大量悬挂键、缺陷态俘获和发射载流子引起的（与文献【1】的解释相同）。而文献【5】认为，载流子在多晶硅导电材料内输运过程中既会通过耗尽区，也会通过晶界区，引起电流噪声的迁移率涨落和载流子数涨落两种机制应该同时存在。以下分别对两种模型作简要介绍。（1）迁移率涨落模型1982年, H C de Graaff和M TM Huybers首次测量了多晶硅电阻中的1 / f噪声。他们认为多晶硅材料是由晶粒体区和大的耗尽势垒区组成，可以看作是由一系列晶粒体电阻RC 和大的势垒电阻RSCR串联起来的，de Graff等人结合胡格公式和肖特基势垒Kleinpenning噪声模型建立了多晶硅材料的1 / f噪声模型，并认为噪声主要产生于耗尽区，晶界没有贡献且与杂质和工艺无关。这与多晶硅的实际传导机理不符，所建立的1 / f噪声模型是不准确的。Min - Yih Luo等人认同晶粒耗尽区产生的1 / f噪声起主导作用，并引入权函数考虑晶界耗尽区产生的噪声，解释了肖特基势垒模型不能解释的1 / f噪声与偏置的关系。具体的公式推导可以参考文献【5】。（2）载流子数涨落模型基于载流子数涨落机制的1 / f噪声模型的研究者认为，多晶硅内部是由中性区、耗尽区和势垒区组成。晶粒间晶界是1～2 nm的准非晶硅层，具有大约116 eV的能带。1988年，Madenach等人根据实验结果首次提出多晶硅中噪声来源于晶界俘获载流子引起的势垒涨落，得到了1 / f噪声模型，这是典型的载流子数涨落噪声模型。1998年, Ralf等人也基于多晶硅电阻的载流子数涨落机制建立1 / f噪声模型。文献【6】是Ralf关于此项研究发表的论文。下面是引自文献【6】的原文，笔者对其进行了翻译。在晶界处有大量的陷阱，根据他们相对于费米能级的能级位置，这些陷阱可以俘获和发射载流子。如果局部费米能级在陷阱能级和导带（或价带）能级的中间，那么这种现象就会非常的明显。每一次俘获和发射运动都会改变局部势垒的高度和周围空间电荷的区域。自由载流子对电流的贡献同样会受到这种运动的影响。由于俘获和发射运动的随机性，这就造成了电阻阻值的随机涨落。单位能量内被占据的陷阱数量的归一化涨落由下式给出，（）第一项是陷阱数量对能量的微分，第二项是在占据态或者非占据态发现陷阱的概率（态被占据的概率满足费米函数），第三项是陷阱的占据态的概率随时间指数衰减（这是通过将该衰减转换到频域得到的洛伦兹函数），最后一项是相对位置（a可看成单位长度）。这里引入的时间常数τ( x, E)是电荷隧穿进入或离开能量势垒附近陷阱态的概率, 它可以通过WKB近似计算得到。它的表达式为，单个晶界引起的电流噪声涨落可以由变换被占据的陷阱数量的归一化涨落成电流涨落得到，（）其中，穿越晶界的电流密度对陷阱数量的微分为，（）被占据的陷阱的数量变化不仅改变了自由载流子的数量，也由于影响了势垒的高度从而改变了电流。对全部可能的陷阱能量的位置进行积分（对积分），得到在单一晶界处的单位频率带宽的总噪声电流密度，（）上述积分可以得到下面的结果，（）其中用到了一个三角函数的近似。为了得到电阻总噪声，需要把单一晶界处的噪声变换到一个复合晶界的系统。一个很好的近似就是假设所有单一晶界的噪声都是统计独立的，当所有陷阱具有相同的体积时，存在下列的关系，（）其中W，L，H是电阻的宽、长和高。Sv就是单位频率的噪声电压。至此，该文献的主体推导已经完成。该推导结果表明，噪声电流均方值与流过元件电流的平方成正比，与电子面积和高度成反比，与工作频率成反比。注意到下划线的两点与书本的公式和文献【3】的模型公式吻合。为了对公式中各个参数有所了解，下表给出了一些参数的物理意义。符号 物理意义 单个晶界的电流密度 晶界宽度 晶界处的掺杂浓度 晶界处的陷阱密度 晶界的势能 噪声电压、电流谱密度（单位：V2，A2） 平均晶格尺度 单位晶界陷阱密度的的涨落谱密度 电流密度涨落谱密度 穿越单个晶格的电流密度 空间电荷区域的势能对于课程上同学提出的如何具体确定实际中噪声对频率的依赖关系，从这篇文献的角度来看，上述公式中有许多微观的物理量，似乎无从获得具体数值。但该文献的最后一部分确实是给出了对于某一种情况下理论的值和实际测量值的结果。这说明上述公式的值都是可以通过某些更加深入的方法确定的。在这里就不详细展开了。下面介绍一种简易的模型和解决方法。2、1/f噪声的一种测量方法 根据对噪声机理的研究并已得到充分承认的结果，三极管的1/f噪声可用下式表达。（文献来源:”Low noise electronic design”, & 1973）式中，噪声转折频率和噪声指数是1/f噪声中非常重要的参数，如果可以通过实验测量出参数的具体值，那么三极管低频噪声功率就可以由上式确定。文献【3】给出了测量和的一种方法和理论的分析。建立适当的三极管噪声模型，可以得到全频段等效输入噪声功率谱为各参数的具体意义这里不再详述。在中低频区，有如果能测得两个不同基极电流值和情况下的中、低频等效输入噪声电压谱，则有，，当，当设，，则有上述两式可以解得，或由此可见，只需测得、和就可以得到和。文献【3】中给出了一种通过加权最小二乘曲线拟合的方法获得A和B。该方法通过对不同频率点的噪声谱值进行测量，然后再使用函数拟合得到。具体的方法这里不再详述。文献【3】中还对一个具体的器件3DX7晶体管进行了实验的测量，得到了下列的结果：，总结：通过对文献的查阅，我们由表及里，追本溯源，从近期的文献，简单的模型表述，搜寻其相关的原始参考文献，一步一步的深入，进而对三极管的两种噪声模型有了一个较为深入的认识。这样的过程是愉快的，得到的结果也是富有启发和对噪声深入的理解大有裨益的。这是一个从发现问题，到分析问题，最终到解决问题的过程。在这个问题的解决过程中，我们应该注意到科研工作者在面对实际问题时，掌握正确的建模方法以及以此来解决问题的重要性。上述的分析，都是以模型为基础的，其中对分配噪声的分析用到的是较为经典的三极管模型，而对1/f噪声的分析由于学界仍有争论，因此给出的模型也仅仅是一种思考的方向。还记得一位学长曾在一次经验分享会上说过，工科的过程，其实就是一个建模的过程。我想，通过这次探究性学习，我们对这种过程有了进一步的认识。正如这次探究性学习仍然还有不完善的地方一样，在工科学习的这个道路上，我们要走的仍然还有很长很长。附录一：参考文献1、晶体管原理与设计，成都电讯工程学院出版社，陈星粥，唐茂成2、通信电子电路，电子工业出版社，于洪珍3、双极晶体管1/f噪声参数的测量提取，电子学报1993年11期，罗涛，戴逸松4、微型无线定位电子白板中的低噪声电路设计与实现，吉林大学硕士学位论文，尹万宇5、多晶硅导电材料的1 / f噪声模型研究，电子科技，2009年11期，张天福，杜磊等6、Low frequency Noise of Integrated Poly silicon Resistors [J]. IEEE Transactions on Electron Devices, 2001, 48 (6) : 1180 - 1187. Ralf Brederlow, Werner.附录二：一篇08年的新闻——石墨烯晶体管: 摩尔定律的延寿者2008年4月，权威的美国《科学》杂志发布，英国曼切斯特大学科学家开发出世界最小的晶体管。有业内人士认为，摩尔定律也许能借此延续下去。众所周知，根据半导体业著名的摩尔定律，芯片的集成度每18个月至2年提高一倍，即加工线宽缩小一半。人们普遍认为，这一定律还能延续10年。提出该定律的摩尔本人也曾公开表示，10年之后，摩尔定律将很难继续有效，因为采用目前的工艺和硅基半导体材料来延长摩尔定律寿命的发展道路已逐渐接近终点。￥百度文库VIP限时优惠现在开通,立享6亿+VIP内容立即获取关于半导体三极管噪声分析的探究关于半导体三极管噪声分析的探究光电系 邬智翔摘要：本文主要探讨了两种主要三极管噪声的来源，通过对它们的机理的具体分析，讨论了三级管噪声系数的频率特性，对频率特性的影响因素及对实际工作参数的选择给出了较为详细的解答。正文：基于课本163页给出的三极管噪声系数的频率特性以及对于低噪声工作频率的选择的内容，我们很感兴趣并且想对于其具体的技术进行了解，于是查阅了相关文献，对三极管的噪声源和噪声模型有了一些进一步的认识。第 1 页一、晶体管的噪声源通常人们把晶体管内常见噪声分成电阻热噪声，散弹噪声，分配噪声和闪烁噪声（1/f）。注意到电阻热噪声和散弹噪声均为白噪声。分配噪声与f二次方成正比，闪烁噪声近似与1/f成正比。因此分配噪声和闪烁噪声决定了三极管的合适工作频率。1、分配噪声 分配噪声产生的原因是由于基区载流子的复合率有起伏，使得集电极电流和基极电流的分配有起伏，从而使集电极电流有起伏（文献【2】）。第 2 页文献【2】中提到，分配噪声可用集电极电流的均方值表示，即式中，是三极管集电极静态电流，是低频时共基极电流放大系数，是高频时共基极电流放大系数，其值为式中为共基极晶体管截止频率；f为晶体管工作频率。上式即表明，晶体管的分配噪声不是白噪声，它的功率密度谱随工作频率而变化，频率越高噪声越大。第 3 页【2】中给出的噪声系数表达式如下：式中Rs是信号源内阻，是晶体管的截止频率，是低频时电流放大系数。文献【2】指出，在的频域内，噪声系数随频率升高以接近60dB/十倍频的变化规律增大，这时分配噪声起了主要的作用。2、1/f噪声1/f噪声产生的具体原因现在还没有很确切的解说。文献【1】给出了这些方面的解释。第 4 页（1）由在晶体管制造过程中有表面损伤，原子价键的不饱和以及与环境气氛的接触、污染等原因，在表面会形成所谓界面态（快态）。一般界面态密度为1010-1011cm-2。随着晶体管周围气氛的变化和外加电场的影响，被电子所占据的界面态数将有无规则的起伏，这就引起表面和体内电导受到无规则的调制，从而产生噪声。（2）由于晶格缺陷，起复合中心作用的杂质在结中缺陷处的沉积以及沟道的存在，都会使p-n结漏电流增大，从而使1/f噪声增大。
第5卷第6期2006年12月江南大学学报(自然科学版)Journal of Southern Yangtze U niversity(N atural Science Edition)文章编号:1671-7147(2006)06-0749-04收稿日期:2005-03-10;修订日期:2005-04-04.作者简介：石湘波(1980-)，女，河南洛阳人，检测技术与自动化装置专业硕士研究生.3通讯联系人：朱拓(1957-)，男，江苏苏州人，教授，硕士生导师.主要从事现代光学理论与成像技术的研究.Email :tzhu @施正荣(1963-)，男，江苏镇江人，高级工程师，工学博士，硕士生导师.主要从事太阳电池转化效率等研究.Email :zrshi @ 铸造多晶硅的吸杂石湘波1,许志强1,施正荣2,33,朱拓23,汪义川3(1.江南大学通信与控制工程学院，江苏无锡214122;2.江南大学理学院，江苏无锡214122;3.无锡尚德太阳能电力有限公司，江苏无锡214028)摘要：吸杂是减少多晶硅中有害金属杂质的一种有效手段.比较了在800℃、900℃和1000℃条件下经2h 的磷吸杂、铝吸杂和磷铝共吸杂处理后的多晶硅少子寿命、电性能差异.实验结果表明，磷铝共吸杂少子寿命的增加比仅用磷、铝单独吸杂都明显，但3种吸杂方式对太阳电池电性能都没太大影响；同时发现退火到700℃的热处理并不能有效地改善磷吸杂效果.关键词：磷吸杂；铝吸杂；磷铝共吸杂；太阳电池；多晶硅太阳电池；少子寿命中图分类号:TM 文献标识码:AStudy on C ast Multicrystalline Sijicon W afer by G etteringSHI Xiang Οbo 1,XU Zhi Οqiang 1,SHI Zheng Οrong 2,3,ZHU Tuo 33,WAN G Y i Οchuan 2( of Communication and Control Engineering ,Southen Yangtze University ,Wuxi 214122,China ; of Science ,Southen Yangtze University ,Wuxi 214122,China ; Suntech Power Co ,Ltd ,Wuxi 214028,China )Abstract :Gettering is an effective met hod to reduce t he deleterious metal imp urity from multicrystalline silicon (mc ΟSi ).The paper co mpares t he differences of lifetime ,elect rical performance of mc ΟSi after being t reated by p ho sp hor gettering ,aluminium gettering and Al/P Οcogettering under 800℃、900℃and 1000℃,2hours ’ experimental demonst rates t hat Al/P Οcogettering is much better t han aluminium and p hosp horus ,t here is some effect of t hree gettering met hods on t he elect rical performance of mc Ο hot t reat ment of annealing to 700℃has some benefit on t he effect of p ho sp hor ey w ords :t ransition metal ;p hosp horus gettering ;aluminium gettering ;P/AL Οcogettering ;multicrystalline silicon (mc ΟSi )solar cell ;minority carrier lifetime20世纪70年代铸造多晶硅的出现逐渐打破了单晶硅材料长期垄断的地位，它以高性价比不断排挤单晶硅市场.在20世纪80年代末，其市场占有率仅为10%左右，而到了2003年，其占有率就高达，成为最主要的光伏材料.但是多晶硅中铁、铜、镍等重金属杂质含量很高[1].这些杂质形成深能级，成为少数载流子的复合中心，影响了少子寿命和太阳电池的电性能.通常采用吸杂来提高硅片的质量，国内外许多科研人员对多晶硅的吸杂进行了研究[2Ο5].太阳电池制作中常用的吸杂方式为磷吸杂、铝吸杂和磷铝共吸杂.磷吸杂是利用浓磷扩散形成重扩散层，它的吸杂原理包括驰豫吸杂和分凝吸杂，分凝吸杂部分是由于费米能级效应和离子成对效应而形成的在重扩散层的增强溶解；驰豫吸杂部分是由重扩散形成的位错网络，同时由于硅扩散时形成过量的自间隙原子而导致金属杂质从替位位置移动到间隙位置，导致了扩散速度的增加，从而加速磷吸杂的完成[1,6].由于POCl3能形成1021cm-3的浓磷吸杂层，所以文中使用POCl3为磷源进行磷吸杂.铝吸杂是利用金属杂质在铝硅合金中的固溶度大于在硅中的固溶度(最少为103，而铁的分凝系数在750～950℃范围时为105～106[7])，并且金属杂质在硅中的扩散速度远大于磷硼等替位式元素.当存在铝吸杂层后，进行一段时间的高于磷铝共熔点(577℃)的热处理，金属杂质就被吸附到铝层，以此来改变硅片的性能[8].磷吸杂要比铝吸杂快，而铝吸杂的吸杂稳定性又高于磷吸杂.磷铝共吸杂兼顾了两者的优点.通常磷铝共吸杂是在一侧为磷源另一侧为铝源的条件下进行吸杂的.文中研究了不同温度下磷吸杂、铝吸杂和磷铝共吸杂对少子寿命、太阳电池电性能影响.同时分析了缓慢降温对磷吸杂的影响.1实验实验材料实验过程中采用A公司的铸造多晶硅片，氧炭含量中等，面积为125mm×125mm，厚度为330μm左右，电阻率为～2Ω・试验方案吸杂通常包括金属杂质的释放、扩散和捕获3个步骤，吸杂的温度、冷却速度、吸杂的时间、金属杂质的类型是吸杂效率的重要影响因素[9]，文中按下列方案进行了磷吸杂、铝吸杂和磷铝共吸杂的研究:1)在900℃条件下进行2h热处理和2h磷吸杂，分别采用急剧降温和缓慢降温，观察温度变化对磷吸杂的影响;2)在800℃、900℃和1000℃条件下进行2h 的磷吸杂并在氮气中退火到700℃;3)单面蒸镀2μm的铝，然后在800℃、900℃和1000℃条件下进行2h的铝吸杂.4)一面蒸镀2μm的铝，一面为预先淀积的磷源，在800℃、900℃和1000℃条件下进行2h的磷铝共吸杂处理，并在氮气中退火到700℃.实验过程样品全部为60片多晶姊妹片(由同一多晶硅砖切下的具有相似晶粒分布的硅片，有相同的晶体结构分布)，在m(HF)∶m(HNO3)∶m(C H3COO H)= 8∶1∶2的混合溶液中共去除了15～20μm的损伤层.清洗干燥后，其中15片硅片3片一组分为a,b, c,d,e5组.a组未进行任何热处理，直接测其少子寿命;b组在900℃的氮气中进行2h的热处理;c 组在900℃条件的氮气中进行2h的热处理后，并在氮气中退火到700℃(降温速度为5℃/min);d 组在900℃条件下进行了2h的磷吸杂;e组在900℃条件下进行了2h的磷吸杂后退火到700℃(降温速度为5℃/min).之后测定a,b,c,d,e5组的少子寿命.另外45片每15片一组共分为f,g,h3组,f组每5片一组在扩散炉中分别在800℃、900℃和1000℃的3种温度条件下进行2h的磷吸杂并在氮气中退火到700℃(降温速度为5℃/ min).由文献[10]知，蒸铝在硅片上铝的厚度为μm时经烧结后铝层的覆盖率为100%，故文中在需蒸镀铝层的实验硅片上均蒸镀层.g组样品在550X 型的真空镀膜机中单面蒸镀2μm的铝，之后每5片一组在通氮气的石英管中将温度控制在800℃、900℃和1000℃条件下进行2h的铝吸杂.h组样品在850℃条件下在扩散炉中采用浓磷单面扩散扩散30min，表面的浓磷层作为磷源；然后在真空镀膜机中对未扩磷面蒸镀2μm的铝；接着5片一组在通氮气的石英管中将温度控制在800℃、900℃、1000℃的条件下进行2h的磷铝共吸杂，并在氮气中退火到700℃(降温速度为5℃/min).吸杂结束后,f组样品在80℃、质量浓度为200g/L 的NaO H溶液中腐蚀5min，确保磷吸杂层彻底去除.g,h两组样品先在体积分数为20%的HCl中腐蚀10min，然后用去离子水冲洗干净，接着在m(H F)∶m(HNO3)∶m(C H3COO H)=8∶1∶2的酸性溶液中腐蚀1min，此时硅片共被去除了20μm 的厚度，确保了吸杂层的完全去除.f,g,h3组样品清洗干燥后，测其少子寿命，然后按下述工艺将f,g,h3组样品制成太阳电池：清洗干燥→扩散制结→刻蚀→去磷硅玻璃→清洗干燥→PECVD镀减反膜→丝网印刷电极→烧结.057江南大学学报(自然科学版)第5卷2结果和分析采用暂稳态光电导少子寿命测试仪对热处理后和吸杂后试验硅片的少子寿命进行测试，分析热处理对硅片的影响以及吸杂效果.采用文献[11]的方法，首先在硅片上滴几滴浓度为的碘酒，把硅片上的碘酒涂均，然后把待测硅片装入一透明的塑料袋中并密封好，确保硅片上没有气泡，用此方法来钝化表面，以确保测得的值完全反映体内少子寿命.在做成太阳电池后，用IΟV测试仪测其电性能，并比较其差异.热处理方式对硅片的影响比较原始硅片，通入氮气在900℃条件下进行2h热处理，通氮气在900℃条件下进行2h热处理后退火到700℃，在900℃条件下进行2h磷吸杂和在900℃的温度条件下进行2h磷吸杂并退火到700℃后硅片的少子寿命如图1所示.可以看出，硅片在经过900℃高温处理加热后，均会导致少子寿命降低.原始硅片在900℃进行2h热处理后，少子寿命降低到5μs以下.这是因为高温导致位错密度增加从而使间隙金属杂质增多，同时又容易造成金属杂质污染.缓慢降温并未使这一情况得到任何改善，反而因其在高温中时间长而导致少子寿命的进一步降低.为了给磷吸杂中的驰豫吸杂提供充足的沉积时间，故在900℃条件下完成2h磷吸杂后，即退火到700℃(降温速度为5℃/min).图2反映了不同温度条件下吸杂后的少子寿命，可见少子寿命并没有太大改善.这是因为高温过程会导致缺陷密度的增加，使金属在缺陷处被捕获几率增大，削减了由于缓慢降温使金属充分沉积到吸杂区域所形成的硅片少子寿命的增加，故在此缓慢降温并没使少子寿命升高(文中涉及到磷吸杂的均采用了5℃/min的缓慢降温).图1900℃下有无吸杂和退火对硅片少子寿命的影响 of w afers varies with gettering or annealing at900℃种吸杂方式吸杂后少子寿命的比较由图2可以看出,3种吸杂方式在800℃的温度条件下吸杂后，硅片的少子寿命均高于图1所示的初始值.比较3种不同的吸杂方式，发现磷铝共吸杂的效果比磷、铝单独吸杂的效果好，这是由于磷铝共吸杂结合了磷吸杂快速和铝吸杂稳定且吸杂能力强的优点.但是3种吸杂方式从800℃、900℃到1000℃，其少子寿命都明显降低.造成这种现象的原因是随着温度增高，金属杂质在硅中的固溶度增加，导致金属沉积裂解加剧，其中的金属杂质进入硅的间隙位，若此时被吸杂的金属杂质少于由于高温裂解而产生的金属杂质，就会导致整个间隙金属的增多，致使少子寿命的降低.所以文献[7]建议针对多晶硅吸杂，吸杂温度不要超过900℃，否则会导致硅片的退化.图2不同温度条件下吸杂后的少子寿命 of gettered w afers vary withtemperatures and gettering 种吸杂方式吸杂后电性能的比较表1为不同吸杂方式与未吸杂电池电性能的比较.可以看出,1000℃高温的磷吸杂可能是被测硅片在高温过程中受到污染而在电性能方面表现异常外，其余硅片电性能和未吸杂对比片的电性能相比差异没有少子寿命明显.其原因可能是由于吸杂效果的不均匀性或者说是多晶硅片自身的不均匀性所致. Hugo等已研究了多晶硅片的不良区域中金属沉积物，并识别了铁在沉积中的化学状态，得出Fe在这些不良区域中以氧化物或硅酸盐复合物的形式存在.这些复合物非常稳定，去除这些复合物是去除Fe或FeSi x的108～1016倍.要依赖吸杂来改善整个硅片的性能已不可能.避免这些难以通过吸杂除去金属复合物的产生需要从多晶硅硅片生长过程中控制[12].同时 Hugo 又比较了故意被Fe污染过的半导体级单晶硅和带状多晶硅的磷吸杂效果，发现半导体级单晶硅少子寿命恢复到被污染前，而多晶硅只能得到小于初始值的少子寿命[13].由此可见吸杂是否能在多晶硅上充分发挥其作用取决于硅片的整个热历史、金属杂157第6期石湘波等：铸造多晶硅的吸杂质含量、易和金属杂质形成复合物的氧炭的含量以及易成为金属沉积中心的位错和缺陷的密度.表1各种吸杂方式和未吸杂电池电性能比较T arison of solar cell perform ance with and without gettering吸附方式I sc/A U oc/V FF/%EFF/%R s/ΩR sh/Ω800℃磷吸杂 900℃磷吸杂 1000℃磷吸杂 800℃铝吸杂 900℃铝吸杂 1000℃铝吸杂 800℃磷铝共吸杂 900℃磷铝共吸杂 1000℃磷铝共吸杂 未吸杂对比片 结论通过比较在800℃、900℃和1000℃条件下经2h的磷吸杂、铝吸杂和磷铝共吸杂处理后的多晶硅少子寿命、电性能差异，以及退火到700℃对磷吸杂的影响，可以得出如下结论:1)高温会造成多晶硅的退化，即使采用磷铝共吸杂，应尽量避免或缩短多晶硅的高温热处理.2)在磷吸杂、铝吸杂、磷铝共吸杂3种吸杂方式中，磷铝共吸杂结合了磷吸杂和铝吸杂的优点，吸杂效果最好.3)吸杂能有效地提高硅片的少子寿命，但对多晶硅电性能的改善却不明显.参考文献:[1]Périchaud defects in semiconductors as key to advancing device technology[J].Physica B,2003,340:1Ο14.[2]Plekhanov P S,G afiteanu R,G;sele U M,et of gettering of precipitated impurities f rom Si for carrier lifetimeimprovement in solar cell applications[J].Journal of Applied Physics,1999,86(5):2453Ο2458.[3]Boudaden J,Monna R,Loghmarti M,et of phosphorus gettering for different multicrystalline silicon[J].Solar Energy Materials&Solar Cells,2002,72:381Ο387.[4]Myers S M,Seibt M,Schr of transitionΟmetal gettering in silicon[J].Journal of Applied Physics,2000,88(7):3795Ο3819.[5]王书荣，陈庭金，刘祖明，等.多晶硅太阳电池的吸杂实验研究[J].云南师范大学学报：自然科学版,2001,21(6):43Ο44.[6]Périchaud ettering of impurities in solar silicon[J].Solar Energy Materials&Solar Cells,2002,72:315Ο326.[7]Hieslmair H,Mc Hugo S A,Weber E backside segregation[C]//25th IEEE Photovoltaic SpecialistsConference,Washington DC:[.],1996:441Ο444.[8]Joshi S M,G sele U M,Tan T of minority carrier diff usion length in Si by Al gettering[J].J Appl Phys,1995,77(8):3858Ο3863.[9]阙端麟.硅材料科学与技术[M].杭州：浙江大学出版社,2000:466Ο467.[10]Hartley O N,Russell R,Heasman K C,et of thin aluminium films on the rear of monocrystalline siliconsolar cells for back surface field formation[C]//Pre print of Oral be presented at the29th IEEE pvsc New Orleans20Ο Orleans:[.],2002.[11]Stephens A W,Green M iodine in ethanol solution as a means of chemical surfacepassivation for photoconductance decay measurements[J].Solar Energy Materials and Solar Cells,1997,45:255Ο265. 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硅片高温吸杂温度为45度，45度就会吸杂，希望这个回答可以帮助到你
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在 毕业 论文 写作过程中,参考文献是非常重要的组成部分,可以反映作者的层次和水平。下面是我带来的关于社会工作毕业论文参考文献的内容，欢迎阅读参考!
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加强社区社会管理是全面推进社会管理创新的重要基础性工作，社区从开始就被定义为“小社会”，社会的一切活动都是在一个个实体的社区里进行，一个社区所面临的许多问题，既是某一社区中单独的存在，也是更大社会范围内的问题的具体表现。因此，探索社区存在的一些问题，为解决整个社会普遍存在的一些现象有所帮助。一、“社区”来源1887年滕尼斯用“社区”与“社会”两个综合性分析概念，来说明人类演进过程中农业社会和工业社会的两极特征。他认为“社区是一种持久的真正的共同生活，是一种原始的或者天然状态的人的意志的完善的统一体。”社会则是一种有目的的联合体。在社会里人们“虽然也像在共同体里一样，以和平的方式相互共处地生活和居住在一起，但是基本不结合在一起，而是基本上分离的。”由此，滕尼斯认为社区是由一定地域范围内的同质人口组成的、价值观念一致、关系密切、出入相友、守望相助、疾病相抚的富有人情味的社会共同体，并强调人与人之间所形成的亲密关系和共同的精神意识以及对社区的归属感、认同感。随后20世纪20-30年代，研究都市社区的芝加哥学派代表人物.帕克强调了社区的本质特征是“地域性”的观点。1955年，美国社会学家则认为，大多数社会学家认同的社区概念应包括社会互动、地理区域和共同关系三个特征。目前我国对社区的研究较有影响力的范式是“国家与社会的关系”。此类研究将社区视为社会的代表或者国家与社会的中介，通过社区去验证关于国家与社会关系的某些重要论点。另外一个研究方向是研究社区治理的具体范畴，他们认为社区是中国公民社会崛起、推动社区自治和城市共同治理的重要方式，政府向社区让权、还权、授权，成为社区自治的推动力，而草根社区通过公民行动和政治参与，并对管理体制形成强大的冲击力。目前，按经济结构、人口密度、人口聚集规模标准分类，主要有农村社区、城市社区和集镇社区（或城镇社区）三种，本文探讨的是城市社区治理中存在的不足。二、我国城市社区治理存在的问题随着经济发展，我国的国家和社会关系经历了巨大的转变，国家对社会的控制正逐步走向服务，各类非政府社会组织取得了一定能动性，社会管理的创新活动正如火如荼。尽管公民社会形成的外部环境和内部结构已逐步改善，但因为公民意识尚不普遍、法制体系尚不健全、民间组织的自主性不强等原因，虽出现了不少社区自治的示范社区案例，但大多数采取的仍然是政府为主导的社区治理模式，政府外的社会力量如社区法定组织与民间组织等都还很弱小，存在以下不足：1.治理主体定位不清我国社区自治程度普遍较低，政府往往通过行政命令和强制手段直接控制社区的治理工作。在城市社区治理中，社区的独立性与法律赋予的自治性都受到了限制，社区成为基础政府组织及其派出机构的“附属物”。市、区各管理部门存在工作职能相互混淆的情况，结果往往各自为政，工作布置繁杂和重复交叉，使社区居委会这一群众性自治组织承担了大量原本属于政府部门的工作任务，成为政府部门的承受层、操作层和落实层，加之工作中权、责、利的不明晰和当前考评机制的综合因素，社区工作开展起来力不从心，疲于应付。这种社区行政化实际上形成了领导与指导兼有的双重关系，而其原本的自治管理功能却日益萎缩，不利于提升居民对社区的认同感、归属感，也不利于提高社区居委会的威信，同时还严重影响了社区的承载能力。在治理角色错位的的同时，政府过多地干预了非政府社会组织的自主权利，使得一些地方的居委会承担了一些应由非政府社会组织承担的事务性职能，如社区文化活动、公益慈善活动、志愿者活动等。由于政府角色上的缺位和越位，出现了“该管的未管，不该管的强管，管了的又管不好”的现象，影响了社区建设的健康发展。2.社区管理资源匮乏我国城市社区普遍面临资源匮乏、配套支持难以满足社区治理需要的困境。一方面是人力资源匮乏。由于编制等历史原因，当前从事社区治理与服务工作的多是下岗职工、家庭妇女、离退休职工等，专业人员和管理人员比例偏低，大多数从业者没有经过社会工作的专业培训，缺乏社会管理知识，面对社区各项功能社会化服务显得心有余而力不足。另外社区工作人员工作强度很大，但工资薪酬却普遍偏低，吸引不了高素质人才，社区工作者队伍青黄不接。另一方面是政策资源缺乏。社区治理缺乏相应的政策支持，很多条例过于笼统，执行起来难度较大，而政策间也缺乏有效衔接，这为注重细节管理的社区治理带来了很多困难。具体表现在：一是街道办事处指导下的社区居委会，对自身行政服务和管理的范围没有制定明确的制度规范，容易造成管理缺位或越位的现象；二是社区内的市、区属机关和企事业单位，分别按各自指令行事，与社区之间的关系缺乏有效的政策和法律依据，往往造成社区事务相互推诿扯皮；三是社区管理运行尚未形成行之有效的监督机制，难以制约一些权力集中部门的工作。3.社区参与性不强社区治理的目标就是通过多元的社区组织实现对社区治理的参与，治理的主体既包括党团组织和政府组织，也有非营利组织和市场组织，还有居民个人。现阶段社区内居民参与和社会组织参与积极性都不高，社区活动的行政化痕迹明显。虽然很多社区管理机构对居民的意愿和要求给予了一定的重视，居民的合理化建议得到了一定程度的采纳，但靠行政推动力来整合社会力量的方式很难吸引居民自觉参与。而在政府的强势领导下，社区社会组织活动的开展很多时候处于被动地位，因为这些组织无法像政府那样采取合法的强力手段实现公共管理和保护公民的公共安全与人权，而政府与营利组织又不能像非营利组织那样对社区弱势群体提供免费而又受到受助者欢迎的服务。此外，社区中存在各种各样的社会主体，这些主体在社区活动中构成错综复杂的关系，但目前各组织尚未明确各自所应该承担的职责和义务，比如社区非正式组织与政府机构之间、业主与物业公司之间的共建与共享尚未成形。 三、城市社区治理的对策分析1.创新政府管理方式虽然我国的社区治理模式大多数还是政府主导，但是参照武汉、上海等社区管理的创新经验，我们发现城市社区管理体制由单一行政管理模式转变为政府与社区互动的治理模式道路可行，这是构筑政府依法行政与社区依法自治相结合的管理体制模式，也是架构“小政府、大社会”的创新社会管理途径。一要明确居委会与各职能部门所担负的职责。各职能部门必须独立承担的行政管理责任，对于自己职能内的事务不推给社区，如果需要社区协助应该提供工作人员和相关经费，其他如社区保障、群众文化等社会性服务工作应从行政职能中分离出来，按“权随责走、费随事转”的原则移交社区，并界定社区自治管理的职责，包括社区社会机构的管理、邻里关照等社区公益事业建设等。二要创新社区评议的考核监督机制。对社区的考核由上级部门的单向考核，转变为上级部门、驻区单位、社区居民共同参与的多向考核；政府职能部门在社区建立公示制、承诺制，接受社区成员的监督和评议；考核管理社区、服务居民的内容应当以社区居民的满意度为主，并取消考核与社区职能无关的内容，切实为社区工作减负。2.加大人才队伍建设2011年，国务院办公厅印发了《社区服务体系建设规划(2011-2015年)》，《规划》指出，要积极推进社区服务人才队伍专业化、职业化，落实“一社区一名大学生”政策，实施50万大学生服务社区计划。对各种不同类型的人才，要采取公开推荐、民主推荐、群众推荐、组织推荐、个人自荐等方式，引入竞争机制，推行竞争上岗，创造公开、平等、竞争、择优的用人环境。针对社区管理特点，要开展形式多样的培训活动，建立培训登记管理制度，鼓励社区工作者参加各种职业资格考试和学历教育，对社区服务人员进行系统培训，切实提高社区干部的计算机操作、口头表达、文字组织、矛盾协调等技能。另外，要认真落实政务公开、财务管理、民主评议干部等规章制度，保障社区人才队伍的稳定，从而使社区管理服务水平向规范化、专业化、制度化发展迈进。3.提升社区居民参与社区居民参与度的高低，决定着社区建设与城市基层民主化实现程度的高低，是创建和谐社区的基础，也是实现社区建设自治发展的关键。首先，要引导居民群众在社区民主管理中发挥作用。通过建立社区网站、张贴宣传通知等各种方式实行居委会工作公开；开展试行社区事务听证制度，增加社区管理的透明度，提高居民责任感，对影响居民生活的大小事情通过召开听证会、楼道会等形式解决。其次，开展各类丰富多彩的社会活动和互助活动，融洽邻里关系，消除矛盾纠纷，满足社区居民多方面的精神需求，并通过树立社区活动积极典型，引导居民自觉参与社区的管理，形成和谐邻里、平等互助的良好社区风气。4.培育各类社区组织社区服务组织是社区管理和社区服务的重要力量，对该类组织的设立和发展要给予必要支持，特别是对公益慈善类、社会福利类、社会服务类社会组织等应简化登记手续，降低准入门槛，减免税收费用，对办公场所方面也应积极配合。此外，对一些提供服务的社会组织可以借鉴香港地区的做法，试水市场化的购买制度，引导符合条件的组织或个人创办公益性组织，扩大试点服务范围和内容，实现社区居民综合性服务的提供。当前中国社会结构正处在公民社会逐步形成发展阶段中，处于这个阶段的公民社会虽已形成，但还不够成熟。作为典型的政府主导型的公民社会，中国处在市场、社区与民间组织还不成熟的转型时期，只有采取多种管理方式，积极加强人才培养，促进社会组织发展，培育社区公民意识，不断提高社区自治能力和自主意识，才能引导社区治理逐步走向成熟。