芯片封装技术毕业论文

先进的芯片尺寸封装(CSP)技术及其发展前景2007/4/20/19:53 来源：微电子封装技术汽车电子装置和其他消费类电子产品的飞速发展，微电子封装技术面临着电子产品“高性价比、高可靠性、多功能、小型化及低成本”发展趋势带来的挑战和机遇。QFP（四边引脚扁平封装）、TQFP（塑料四边引脚扁平封装）作为表面安装技术（SMT）的主流封装形式一直受到业界的青睐，但当它们在引脚间距极限下进行封装、贴装、焊接更多的I/O引脚的VLSI时遇到了难以克服的困难，尤其是在批量生产的情况下，成品率将大幅下降。因此以面阵列、球形凸点为I/O的BGA（球栅阵列）应运而生，以它为基础继而又发展为芯片尺寸封装（ChipScalePackage，简称CSP）技术。采用新型的CSP技术可以确保VLSI在高性能、高可靠性的前提下实现芯片的最小尺寸封装（接近裸芯片的尺寸），而相对成本却更低，因此符合电子产品小型化的发展潮流，是极具市场竞争力的高密度封装形式。CSP技术的出现为以裸芯片安装为基础的先进封装技术的发展，如多芯片组件(MCM)、芯片直接安装(DCA),注入了新的活力，拓宽了高性能、高密度封装的研发思路。在MCM技术面临裸芯片难以储运、测试、老化筛选等问题时，CSP技术使这种高密度封装设计柳暗花明。2CSP技术的特点及分类之特点根据J-STD-012标准的定义，CSP是指封装尺寸不超过裸芯片倍的一种先进的封装形式[1]。CSP实际上是在原有芯片封装技术尤其是BGA小型化过程中形成的，有人称之为μBGA（微型球栅阵列，现在仅将它划为CSP的一种形式），因此它自然地具有BGA封装技术的许多优点。(1)封装尺寸小，可满足高密封装CSP是目前体积最小的VLSI封装之一，引脚数（I/O数）相同的CSP封装与QFP、BGA尺寸比较情况见表1[2]。由表1可见，封装引脚数越多的CSP尺寸远比传统封装形式小，易于实现高密度封装，在IC规模不断扩大的情况下，竞争优势十分明显，因而已经引起了IC制造业界的关注。一般地，CSP封装面积不到节距QFP的1/10，只有BGA的1/3~1/10[3]。在各种相同尺寸的芯片封装中，CSP可容纳的引脚数最多，适宜进行多引脚数封装，甚至可以应用在I/O数超过2000的高性能芯片上。例如，引脚节距为，封装尺寸为40×40的QFP，引脚数最多为304根，若要增加引脚数，只能减小引脚节距，但在传统工艺条件下，QFP难以突破的技术极限；与CSP相提并论的是BGA封装，它的引脚数可达600~1000根，但值得重视的是，在引脚数相同的情况下，CSP的组装远比BGA容易。（2）电学性能优良CSP的内部布线长度（仅为）比QFP或BGA的布线长度短得多[4]，寄生引线电容(<Ω)、引线电阻（<）及引线电感（<）均很小，从而使信号传输延迟大为缩短。CSP的存取时间比QFP或BGA短1/5~1/6左右，同时CSP的抗噪能力强，开关噪声只有DIP（双列直插式封装）的1/2。这些主要电学性能指标已经接近裸芯片的水平，在时钟频率已超过双G的高速通信领域，LSI芯片的CSP将是十分理想的选择。(3)测试、筛选、老化容易MCM技术是当今最高效、最先进的高密度封装之一，其技术核心是采用裸芯片安装，优点是无内部芯片封装延迟及大幅度提高了组件封装密度，因此未来市场令人乐观。但它的裸芯片测试、筛选、老化问题至今尚未解决，合格裸芯片的获得比较困难，导致成品率相当低，制造成本很高[4]；而CSP则可进行全面老化、筛选、测试，并且操作、修整方便，能获得真正的KGD芯片，在目前情况下用CSP替代裸芯片安装势在必行。（4）散热性能优良CSP封装通过焊球与PCB连接，由于接触面积大，所以芯片在运行时所产生的热量可以很容易地传导到PCB上并散发出去；而传统的TSOP（薄型小外形封装）方式中，芯片是通过引脚焊在PCB上的，焊点和pcb板的接触面积小，使芯片向PCB板散热就相对困难。测试结果表明，通过传导方式的散热量可占到80%以上。同时，CSP芯片正面向下安装，可以从背面散热，且散热效果良好，10mm×10mmCSP的热阻为35℃/W，而TSOP、QFP的热阻则可达40℃/W。若通过散热片强制冷却，CSP的热阻可降低到，而QFP的则为[3]。（5）封装内无需填料大多数CSP封装中凸点和热塑性粘合剂的弹性很好，不会因晶片与基底热膨胀系数不同而造成应力，因此也就不必在底部填料(underfill)，省去了填料时间和填料费用[5]，这在传统的SMT封装中是不可能的。（6）制造工艺、设备的兼容性好CSP与现有的SMT工艺和基础设备的兼容性好，而且它的引脚间距完全符合当前使用的SMT标准（），无需对PCB进行专门设计，而且组装容易，因此完全可以利用现有的半导体工艺设备、组装技术组织生产。的基本结构及分类CSP的结构主要有4部分：IC芯片，互连层，焊球（或凸点、焊柱），保护层。互连层是通过载带自动焊接（TAB）、引线键合（WB）、倒装芯片（FC）等方法来实现芯片与焊球（或凸点、焊柱）之间内部连接的，是CSP封装的关键组成部分。CSP的典型结构如图1所示[6]。目前全球有50多家IC厂商生产各种结构的CSP产品。根据目前各厂商的开发情况，可将CSP封装分为下列5种主要类别[7、3]：（1）柔性基板封装（FlexCircuitInterposer）由美国Tessera公司开发的这类CSP封装的基本结构如图2所示。主要由IC芯片、载带（柔性体）、粘接层、凸点（铜/镍）等构成。载带是用聚酰亚胺和铜箔组成。它的主要特点是结构简单，可靠性高，安装方便，可利用原有的TAB（TapeAutomatedBonding）设备焊接。（2）刚性基板封装（RigidSubstrateInterposer）由日本Toshiba公司开发的这类CSP封装,实际上就是一种陶瓷基板薄型封装，其基本结构见图3。它主要由芯片、氧化铝（Al2O3）基板、铜（Au）凸点和树脂构成。通过倒装焊、树脂填充和打印3个步骤完成。它的封装效率（芯片与基板面积之比）可达到75％，是相同尺寸的TQFP的倍。（3）引线框架式CSP封装（CustomLeadFrame）由日本Fujitsu公司开发的此类CSP封装基本结构如图4所示。它分为Tape-LOC和MF-LOC两种形式，将芯片安装在引线框架上，引线框架作为外引脚，因此不需要制作焊料凸点，可实现芯片与外部的互连。它通常分为Tape-LOC和MF-LOC两种形式。（4）圆片级CSP封装（Wafer-LevelPackage）由ChipScale公司开发的此类封装见图5。它是在圆片前道工序完成后，直接对圆片利用半导体工艺进行后续组件封装，利用划片槽构造周边互连，再切割分离成单个器件。WLP主要包括两项关键技术即再分布技术和凸焊点制作技术。它有以下特点：①相当于裸片大小的小型组件（在最后工序切割分片）；②以圆片为单位的加工成本（圆片成本率同步成本）；③加工精度高（由于圆片的平坦性、精度的稳定性）。(5)微小模塑型CSP(MinuteMold)由日本三菱电机公司开发的CSP结构如图6所示。它主要由IC芯片、模塑的树脂和凸点等构成。芯片上的焊区通过在芯片上的金属布线与凸点实现互连，整个芯片浇铸在树脂上，只留下外部触点。这种结构可实现很高的引脚数，有利于提高芯片的电学性能、减少封装尺寸、提高可靠性，完全可以满足储存器、高频器件和逻辑器件的高I/O数需求。同时由于它无引线框架和焊丝等，体积特别小，提高了封装效率。除以上列举的5类封装结构外，还有许多符合CSP定义的封装结构形式如μBGA、焊区阵列CSP、叠层型CSP（一种多芯片三维封装）等。3CSP封装技术展望有待进一步研究解决的问题尽管CSP具有众多的优点，但作为一种新型的封装技术，难免还存在着一些不完善之处。（1）标准化每个公司都有自己的发展战略，任何新技术都会存在标准化不够的问题。尤其当各种不同形式的CSP融入成熟产品中时，标准化是一个极大的障碍[8]。例如对于不同尺寸的芯片，目前有多种CSP形式在开发，因此组装厂商要有不同的管座和载体等各种基础材料来支撑，由于器件品种多，对材料的要求也多种多样，导致技术上的灵活性很差。另外没有统一的可靠性数据也是一个突出的问题。CSP要获得市场准入，生产厂商必须提供可靠性数据,以尽快制订相应的标准。CSP迫切需要标准化，设计人员都希望封装有统一的规格，而不必进行个体设计。为了实现这一目标，器件必须规范外型尺寸、电特性参数和引脚面积等，只有采用全球通行的封装标准，它的效果才最理想[9]。（2）可靠性可靠性测试已经成为微电子产品设计和制造一个重要环节。CSP常常应用在VLSI芯片的制备中，返修成本比低端的QFP要高，CSP的系统可靠性要比采用传统的SMT封装更敏感，因此可靠性问题至关重要。虽然汽车及工业电子产品对封装要求不高，但要能适应恶劣的环境，例如在高温、高湿下工作，可靠性就是一个主要问题。另外，随着新材料、新工艺的应用，传统的可靠性定义、标准及质量保证体系已不能完全适用于CSP开发与制造，需要有新的、系统的方法来确保CSP的质量和可靠性，例如采用可靠性设计、过程控制、专用环境加速试验、可信度分析预测等。可以说，可靠性问题的有效解决将是CSP成功的关键所在[10,11]。（3）成本价格始终是影响产品（尤其是低端产品）市场竞争力的最敏感因素之一。尽管从长远来看，更小更薄、高性价比的CSP封装成本比其他封装每年下降幅度要大，但在短期内攻克成本这个障碍仍是一个较大的挑战[10]。目前CSP是价格比较高，其高密度光板的可用性、测试隐藏的焊接点所存在的困难（必须借助于X射线机）、对返修技术的生疏、生产批量大小以及涉及局部修改的问题，都影响了产品系统级的价格比常规的BGA器件或TSOP／TSSOP／SSOP器件成本要高。但是随着技术的发展、设备的改进，价格将会不断下降。目前许多制造商正在积极采取措施降低CSP价格以满足日益增长的市场需求。随着便携产品小型化、OEM（初始设备制造）厂商组装能力的提高及硅片工艺成本的不断下降，圆片级CSP封装又是在晶圆片上进行的，因而在成本方面具有较强的竞争力，是最具价格优势的CSP封装形式，并将最终成为性能价格比最高的封装。此外，还存在着如何与CSP配套的一系列问题，如细节距、多引脚的PWB微孔板技术与设备开发、CSP在板上的通用安装技术[12]等，也是目前CSP厂商迫切需要解决的难题。的未来发展趋势（1）技术走向终端产品的尺寸会影响便携式产品的市场同时也驱动着CSP的市场。要为用户提供性能最高和尺寸最小的产品，CSP是最佳的封装形式。顺应电子产品小型化发展的的潮流，IC制造商正致力于开发甚至更小的、尤其是具有尽可能多I/O数的CSP产品。据美国半导体工业协会预测，目前CSP最小节距相当于2010年时的BGA水平（），而2010年的CSP最小节距相当于目前的倒装芯片（）水平。由于现有封装形式的优点各有千秋，实现各种封装的优势互补及资源有效整合是目前可以采用的快速、低成本的提高IC产品性能的一条途径。例如在同一块PWB上根据需要同时纳入SMT、DCA，BGA，CSP封装形式（如EPOC技术）。目前这种混合技术正在受到重视，国外一些结构正就此开展深入研究。对高性价比的追求是圆片级CSP被广泛运用的驱动力。近年来WLP封装因其寄生参数小、性能高且尺寸更小（己接近芯片本身尺寸）、成本不断下降的优势，越来越受到业界的重视。WLP从晶圆片开始到做出器件，整个工艺流程一起完成，并可利用现有的标准SMT设备，生产计划和生产的组织可以做到最优化；硅加工工艺和封装测试可以在硅片生产线上进行而不必把晶圆送到别的地方去进行封装测试；测试可以在切割CSP封装产品之前一次完成，因而节省了测试的开支。总之，WLP成为未来CSP的主流已是大势所驱[13~15]。（2）应用领域CSP封装拥有众多TSOP和BGA封装所无法比拟的优点，它代表了微小型封装技术发展的方向。一方面，CSP将继续巩固在存储器（如闪存、SRAM和高速DRAM）中应用并成为高性能内存封装的主流；另一方面会逐步开拓新的应用领域，尤其在网络、数字信号处理器（DSP）、混合信号和RF领域、专用集成电路（ASIC）、微控制器、电子显示屏等方面将会大有作为，例如受数字化技术驱动，便携产品厂商正在扩大CSP在DSP中的应用，美国TI公司生产的CSP封装DSP产品目前已达到90％以上。此外，CSP在无源器件的应用也正在受到重视，研究表明，CSP的电阻、电容网络由于减少了焊接连接数，封装尺寸大大减小，且可靠性明显得到改善。（3）市场预测CSP技术刚形成时产量很小，1998年才进入批量生产，但近两年的发展势头则今非昔比，2002年的销售收入已达亿美元，占到IC市场的5%左右。国外权威机构“ElectronicTrendPublications”预测，全球CSP的市场需求量年内将达到亿枚，2004年为亿枚，2005年将突破百亿枚大关，达亿枚，2006年更可望增加到亿枚。尤其在存储器方面应用更快，预计年增长幅度将高达。

集成电路芯片封装技术浅谈 自从美国Intel公司1971年设计制造出4位微处a理器芯片以来，在20多年时间内，CPU从Intel4004、80286、80386、80486发展到Pentium和PentiumⅡ，数位从4位、8位、16位、32位发展到64位;主频从几兆到今天的400MHz以上，接近GHz;CPU芯片里集成的晶体管数由2000个跃升到500万个以上;半导体制造技术的规模由SSI、MSI、LSI、VLSI达到 ULSI。封装的输入/输出（I/O）引脚从几十根，逐渐增加到几百根，下世纪初可能达2千根。这一切真是一个翻天覆地的变化。 对于CPU，读者已经很熟悉了，286、386、486、Pentium、Pentium Ⅱ、Celeron、K6、K6-2 ……相信您可以如数家珍似地列出一长串。但谈到CPU和其他大规模集成电路的封装，知道的人未必很多。所谓封装是指安装半导体集成电路芯片用的外壳，它不仅起着安放、固定、密封、保护芯片和增强电热性能的作用，而且还是沟通芯片内部世界与外部电路的桥梁--芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印制板上的导线与其他器件建立连接。因此，封装对CPU和其他LSI集成电路都起着重要的作用。新一代CPU的出现常常伴随着新的封装形式的使用。 芯片的封装技术已经历了好几代的变迁，从DIP、QFP、PGA、BGA到CSP再到MCM，技术指标一代比一代先进，包括芯片面积与封装面积之比越来越接近于1，适用频率越来越高，耐温性能越来越好，引脚数增多，引脚间距减小，重量减小，可靠性提高，使用更加方便等等。 下面将对具体的封装形式作详细说明。 一、DIP封装 70年代流行的是双列直插封装，简称DIP(Dual In-line Package)。DIP封装结构具有以下特点: 1.适合PCB的穿孔安装; 2.比TO型封装(图1)易于对PCB布线; 3.操作方便。 DIP封装结构形式有:多层陶瓷双列直插式DIP，单层陶瓷双列直插式DIP，引线框架式DIP(含玻璃陶瓷封接式，塑料包封结构式，陶瓷低熔玻璃封装式)，如图2所示。 衡量一个芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比，这个比值越接近1越好。以采用40根I/O引脚塑料包封双列直插式封装(PDIP)的CPU为例，其芯片面积/封装面积=3×3/×50=1：86,离1相差很远。不难看出，这种封装尺寸远比芯片大，说明封装效率很低，占去了很多有效安装面积。 Intel公司这期间的CPU如8086、80286都采用PDIP封装。 二、芯片载体封装 80年代出现了芯片载体封装，其中有陶瓷无引线芯片载体LCCC(Leadless Ceramic Chip Carrier)、塑料有引线芯片载体PLCC(Plastic Leaded Chip Carrier)、小尺寸封装SOP(Small Outline Package)、塑料四边引出扁平封装PQFP(Plastic Quad Flat Package)，封装结构形式如图3、图4和图5所示。 以焊区中心距，208根I/O引脚的QFP封装的CPU为例，外形尺寸28×28mm，芯片尺寸10×10mm，则芯片面积/封装面积=10×10/28×28=1：，由此可见QFP比DIP的封装尺寸大大减小。QFP的特点是: 1.适合用SMT表面安装技术在PCB上安装布线; 2.封装外形尺寸小，寄生参数减小，适合高频应用; 3.操作方便; 4.可靠性高。 在这期间，Intel公司的CPU，如Intel 80386就采用塑料四边引出扁平封装PQFP。 三、BGA封装 90年代随着集成技术的进步、设备的改进和深亚微米技术的使用，LSI、VLSI、ULSI相继出现，硅单芯片集成度不断提高，对集成电路封装要求更加严格，I/O引脚数急剧增加，功耗也随之增大。为满足发展的需要，在原有封装品种基础上，又增添了新的品种--球栅阵列封装，简称BGA(Ball Grid Array Package)。如图6所示。 BGA一出现便成为CPU、南北桥等VLSI芯片的高密度、高性能、多功能及高I/O引脚封装的最佳选择。其特点有: 引脚数虽然增多，但引脚间距远大于QFP，从而提高了组装成品率; 2.虽然它的功耗增加，但BGA能用可控塌陷芯片法焊接，简称C4焊接，从而可以改善它的电热性能: 3.厚度比QFP减少1/2以上，重量减轻3/4以上; 4.寄生参数减小，信号传输延迟小，使用频率大大提高; 5.组装可用共面焊接，可靠性高; 封装仍与QFP、PGA一样，占用基板面积过大; Intel公司对这种集成度很高(单芯片里达300万只以上晶体管)，功耗很大的CPU芯片，如Pentium、Pentium Pro、Pentium Ⅱ采用陶瓷针栅阵列封装CPGA和陶瓷球栅阵列封装CBGA，并在外壳上安装微型排风扇散热，从而达到电路的稳定可靠工作。 四、面向未来的新的封装技术 BGA封装比QFP先进，更比PGA好，但它的芯片面积/封装面积的比值仍很低。 Tessera公司在BGA基础上做了改进，研制出另一种称为μBGA的封装技术，按焊区中心距，芯片面积/封装面积的比为1:4，比BGA前进了一大步。 1994年9月日本三菱电气研究出一种芯片面积/封装面积=1:的封装结构，其封装外形尺寸只比裸芯片大一点点。也就是说，单个IC芯片有多大，封装尺寸就有多大，从而诞生了一种新的封装形式，命名为芯片尺寸封装，简称CSP(Chip Size Package或Chip Scale Package)。CSP封装具有以下特点: 1.满足了LSI芯片引出脚不断增加的需要; 2.解决了IC裸芯片不能进行交流参数测试和老化筛选的问题; 3.封装面积缩小到BGA的1/4至1/10，延迟时间缩小到极短。 曾有人想，当单芯片一时还达不到多种芯片的集成度时，能否将高集成度、高性能、高可靠的CSP芯片(用LSI或IC)和专用集成电路芯片(ASIC)在高密度多层互联基板上用表面安装技术(SMT)组装成为多种多样电子组件、子系统或系统。由这种想法产生出多芯片组件MCM(Multi Chip Model)。它将对现代化的计算机、自动化、通讯业等领域产生重大影响。MCM的特点有: 1.封装延迟时间缩小，易于实现组件高速化; 2.缩小整机/组件封装尺寸和重量，一般体积减小1/4，重量减轻1/3; 3.可靠性大大提高。 随着LSI设计技术和工艺的进步及深亚微米技术和微细化缩小芯片尺寸等技术的使用，人们产生了将多个LSI芯片组装在一个精密多层布线的外壳内形成MCM产品的想法。进一步又产生另一种想法:把多种芯片的电路集成在一个大圆片上，从而又导致了封装由单个小芯片级转向硅圆片级(wafer level)封装的变革，由此引出系统级芯片SOC(System On Chip)和电脑级芯片PCOC(PC On Chip)。 随着CPU和其他ULSI电路的进步，集成电路的封装形式也将有相应的发展，而封装形式的进步又将反过来促成芯片技术向前发展。

TOPSwitchGX系列是美国PowerIntegrations公司继TOPSwitchFX之后，且每对电阻的失配大小方向要一致。于2000年底新推出的第四代单片开关电源集成电路，但是并非整个光伏产业链上的所有板块都会出现产能过剩的局面，并将作为主流产品加以推广。图2所示是SG6848时钟频率与其反馈电流的关系。下面详细阐述TOPSwitchGX的性能特点、产品分类和工作原理。无锡尚德、天威英利、河北晶澳等国内主要太阳能光伏电池片和组件生产企业的产能扩张速度都达到了50%以上， 1TOPSwitchGX的性能特点及产品分类 性能特点 （1）该系列产品除具备TOPSwitchFX系列的全部优点之外，并且给出一个误差放大器的ILR参考值。还将最大输出功率从75W扩展到250W，这个新方案为耗电量低于60W的设备与低成本SMPS结构之间搭起了一座桥梁,适合构成大、中功率的高效率、隔离式开关电源。再作处理就方便许多。 （2）采用TO2207C封装的TOP242～TOP249产品，目前其也是国内垂直一体化建设做地最成功的企业，新增加了线路检测端（L）和从外部设定极限电流端（X）这两个引脚，在风轮机中的电感容量应该为3300～4700μF，用来代替TOPSwitchFX的多功能端（M）的全部控制功能，谐振非连续正激式不仅具有适配器铁芯较小的优点,使用更加灵活、方便。作者设计了一种远程无线自动抄表系统。 （3）将开关频率提高到132kHz，把已经失去同步的输电系统,这有助于减小高频变压器及整个开关电源的体积。由于电容器不能限制瞬时电流， （4）当开关电源的负载很轻时，对12V的小型密封式铅酸蓄电池，能自动将开关频率从132kHz降低到30kHz（半频模式下则由66kHz降至15kHz），这个公式理解吧，可降低开关损耗，良好的自动励磁在暂态摇摆过程中能增大系统的阻尼,进一步提高电源效率。要想实现1%的电池容量估计都是不可能的。 （5）采用了被称作EcoSmart的节能新技术，电流的变化也只有10%。显著降低了在远程通／断模式下芯片的功耗，必须在启动后将该电阻通道切断。当输入交流电压是230V时，那么200mA时的光输出就大约是60%，芯片功耗仅为160mW。低的RDS(ON)的集成开关在重负载确保高效率， 产品分类 根据封装形式和最大连续输出功率的不同，最小的LDO之间的交叉耦合噪声。TOPSwitchGX系列可划分成三大类、共14种型号，假如锂电时保护电路在侦测到过充电保护时有Latch Mode,详见表1。位置计数器将自动增加25600（128×200步）。型号中的后缀P、G、Y分别表示DIP8B、SMD8B、TO2207C封装。PMOS管M3导通， 表1TOPSwitchGX的产品分类及最大连续输出功率POM

制造业增速明显加快，封测业增速相对缓慢，但封测业整体规模处于稳定增长阶段。据中国半导体行业协会统计，我国近几年封测业销售额增长趋势如下表示，从2013年起，销售额已经超过1000亿元，2013年销售额为亿元，同比增长。 过去，国内企业的技术水平和产业规模落后于业内领先的外资、合资企业，但随着时间的推移，国内企业的技术水平发展迅速，产业规模得到进一步提升。业内领先的企业，长电科技、通富微电、华天科技等三大国内企业的技术水平和海外基本同步，如铜制程技术、晶圆级封装，3D堆叠封装等。在量产规模上，BGA封装在三大国内封测企业都已经批量出货，WLP封装也有亿元级别的订单，SIP系统级封装的订单量也在亿元级别。长电科技2013年已跻身全球第六大封测企业，排名较2012年前进一位。其它企业也取得了很大发展。 目前，国内三大封测企业凭借资金、客户服务和技术创新能力，已与业内领先的外资、合资企业一并位列我国封测业第一梯队;第二梯队则是具备一定技术创新能力、高速成长的中等规模国内企业，该类企业专注于技术应用和工艺创新，主要优势在低成本和高性价比;第三梯队是技术和市场规模均较弱的小型企业，缺乏稳定的销售收入，但企业数量却最多。 为了降低生产成本，以及看重中国内巨大且快速增长的终端电子应用市场，国际半导体制造商和封装测试代工企业纷纷将其产能转移至中国，拉动了中国半导体制封装产业规模的迅速扩大。目前，全球型IDM厂商和专业封装代工厂大都在中国大陆建有生产基地，由此造成我国外资企业占比较高。同时，经过多年的努力，国内控股的封测企业得到了较快的发展，正在逐步缩小与国际厂商的技术、市场方面的差距。部分内资封装测试企业已经在国内发行股票上市。 四、集成电路封装的发展趋势 目前我国封测业正迎来前所未有的发展机遇。首先，国内封测业已有了一定的产业基础，封装技术已接近国际先进水平，2013年我国集成电路封测业收入排名前10企业中，已有3家是国内企业。近年来国家出台的《国务院关于印发进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展若干政策的通知》(国发〔2011〕4号)，2014年6月国务院印发的《国家集成电路产业发展推进纲要》等有关政策文件，进一步加大了对集成电路产业的支持，国内新兴产业市场的拉动，也促进了集成电路产业的大发展。海思半导体、展讯、锐迪科微电子、大唐半导体设计有限公司等国内设计企业的崛起将为国内封测企业带来更多的发展机会。 此外，由于全球经济恢复缓慢，加上人力成本等诸多原因，国际半导体大公司产业布局正面临大幅调整，关停转让下属封测企业的动作频繁发生，如：日本松下集团已将在印度尼西亚、马来西亚、新加坡的3家半导体工厂出售。日本松下在中国上海和苏州的封测企业也在寻求出售或合作伙伴。英特尔近期也表示，该公司将在2014年的二、三两个季度内，将已关闭工厂的部分业务转移至英特尔位于中国等地现有的组装和测试工厂中。欧美日半导体巨头持续从封测领域退出，对国内封测业的发展也非常有利。 但是，国内封测业的发展也面临制造业涨薪潮(成本问题)、大批国际组装封装业向中国大陆转移(市场问题)、整机发展对元器件封装组装微小型化等要求(技术问题)等重大挑战。国内封测企业必须通过增强技术创新能力、加大成本控制、提升管理能力等措施，才能在瞬息万变的市场竞争中立于不败之地。 目前，集成电路封装根据电路与PCB等系统板的连接方式，可大致分为直插封装、表面贴装、高密度封装三大类型。国内封装业主要以直插封装和表面贴装中的两边或四边引线封装为主，这两大封装类型约占我国70%的市场份额。国内长电科技、通富微电、华天科技等企业已成功开发了BGA、WLCSP、LGA等先进封装技术，另有部分技术实力较强，经济效益好的企业也正在加大对面积阵列封装技术的研发力度，满足市场对中高端电路产品的需求。随着电子产品继续呈现薄型化、多功能、智能化特点，未来集成电路封装业将向多芯片封装、3D封装、高密度、薄型化、高集成度的方向发展。 由于我国封测产业已具备一定基础，随着我国集成电路设计企业的崛起和欧美日国际半导体巨头逐渐退出封测业，我国封测产业面临前所未有的发展机遇，同时也需要应对各种挑战。展望未来，国内封测企业必须通过增强技术创新能力、加大成本控制、提升管理能力等措施，才能在瞬息万变的市场竞争中立于不败之地。我国的封装业发展前途一片光明。 参考文献： 《微电子器件封装——封装材料与封装技术》 周良知 编著 北学工业出版社 《集成电路芯片封装技术（第2版）》 李可为 编著 电子工业出版社 《集成电路封装行业发展现状》 中商情报网 网络文献 《未来集成电路封测技术趋势和我国封测业发展》 电子产品世界 网络文献 《行业数据：集成电路封测技术及我国封测业发展趋势解读》 电子工程网 网络文献你好，本题已解答,如果满意请点右下角“采纳答案”。