硅片有边长125mm、156mm的，125的又分大倒角对角线156mm和小倒角对角线165mm，多晶硅片以边长156mm为主，对角线。硅片检测主要测试项目有：边长、对角线、倒角、厚度、TTV、线痕、崩边、隐裂、翘曲、油污、电阻率、少子寿命。
硅片检测的原因：硅片质量的好坏直接决定了电池片的转化效率。硅片测试时为了检验规格的一致性而在硅片级集成电路上进行的电学参数测试，硅片测试的目的是检验可接受的电学性能。
检测硅片尺寸检测单晶硅片的破损程度，并进行分级：破损小于30mm，能够切成6英寸Wafer；破为两片，无法使用；没有破损；硅片尺寸156*156mm；检测速度要求：秒/片；动作流程：硅片运动到检测位置后，相机快速拍照，然后进行处理，在这个过程中设备不停；硅片运动速度：约150mm/s；
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美丽苗条龙龙
