半导体学报编委

王占国1938年12月生，河南镇平县人，著名半导体材料物理学家。1962年毕业于南开大学物理系，同年到中科院半导体所工作。1980－1983年瑞典隆德大学访问学者；1986年任半导体所研究员，材料室主任；1990年被批准为博士生导师；1990-1994任半导体所副所长；1991-2001年，先后曾任国家高技术新材料领域专家委员会委员、常委、功能材料专家组组长，国家S-863计划纲要建议软课题研究新材料技术领域专家组组长；从1990年起先后任国际半导体和半绝缘材料、第7届国际化学束外延、国际缺陷识别与成象物理会议等6个顾问委员会委员，中科院半导体材料科学实验室主任，北大、清华等多个国家、部门开放实验室学术委员会委员。第八届北京市人民政府专家顾问团顾问，中国材料学会常务理事，中国电子学会高级会员。半导体学报、人工晶体学报、材料导报等编委。1995年当选为中科院院士，现任技术学部常委。“973”重大基础研究计划“信息功能材料相关基础问题”项目首席科学家。曾获中科院自然科学一等奖，中科院科技进步一, 二和三等奖，国家科技进步三等奖和国家重点科技攻关奖多项, 在国外重要学术刊物发表论文100多篇，被他人引用数百次。侯洵1936牟12月出生，著名的光电子学专家，学术委员会主任。一直从事光电阴极、光电子技术及快速光电器件的理论与技术研究，在瞬态光学和光电子学学科领域造诣很深，在国内外都具有重要的影响，是我国瞬态光学和光电子学领域的杰出代表。 全国劳动模范。 侯洵院士1985年做为现代国防试验中的动态光学观测及 测量技术的主要贡献者获国家科技进步特等奖。侯洵院士是我国八·五攀登计划项目：飞秒激光技术与超快过程研究首席科学家， 九·五攀登计划预选项目：强场激光物理与飞秒超快过程研究专家委员会召集人之一。自1986年以来，先后获国家科技进步二等奖两项、三等奖三项、国家发明三等奖一项，获中科院科技进步一等奖三项二等奖四项，上述奖项均排名第一（排名不是第一的未列入）；获陕西省科技进步二等奖、三等奖各一项等主要奖项。自1986年以来，先后在国内外重要期刊及学术会议上发表论文190多篇，在第18届、第23届国际高速摄影会议及日本第一届国际高速摄影会议上做了特邀报告。侯洵院士倡议并组织建设了瞬态光学技术国家重点实验室，为我国瞬态光学技术的研究赶超世界先进水平做出了重要贡献。已培养博士29人。 1984年获国家有突出贡献的中青年专家称号，1989年获全国先进工作者称号，1991年当选中科院院士，1996年获光华科技基金一等奖，1999年获何梁何利科技进步奖。

王迅(Wang Xun)男，1934年4月生。1956年毕业于复旦大学物理系，1960年1月研究生毕业。1978年5月任复旦大学副教授，1980年3月-11月美国威斯康辛大学密澳基分校访问教授。1984年8月任复旦大学教授，1985年任博士生导师。1996年5月任复旦大学首席教授。1990-1997任复旦大学应用表面物理国家重点实验室主任。1993年起任国际纯粹与应用物理联合会(IUPAP)半导体委员会委员，顾问编委。曾十余次担任国际学术会议的程序委员或分组主席。国内学术兼职有：中国物理学会理事，上海市物理学会理事长，中国物理学会半导体专业委员会副主任，北京正负电子对撞机国家实验室等三个国家实验室和重点实验室学术委员，<半导体学报> <物理> <发光学报> 编委，上海应用物理中心和中国微结构高等科学与技术中心理事。指导博士生23名，其中18人已获博士学位。指导硕士生24人，其中21人已获学位。

中科院半导体研究所党委副书记、所长 ，中国科学院大学材料科学与光电技术学院院长 李树深，2011年 当选中国科学院院士。博士，研究员、博士生导师，国家杰出青年基金获得者， 国家创新研究群体“半导体低维结构中的量子调控”学术带头人，国家重大科学研究计划项目（973项目）首席科学家，入选国家级“新世纪百千万人才工程”，中国电子学会高级会员，享受国务院政府特殊津贴，国家自然科学基金委第11、12届专家评审组成员。1979年入河北师范大学物理系学习，1983年毕业。1983年至1993年在河北师范大学物理系工作。1989年先后在西南交通大学获硕士学位。1994年考取中科院博士研究生，1996年在中国科学院半导体研究所获博士学位。曾先后在日本NEC电器株式会社筑波研究所、意大利国际理论物理中心和香港科技大学物理系进行光电子器件相关性能预测研究。现任中国科学院半导体研究所副所长，半导体超晶格国家重点实验室主任，《半导体学报》常务副主编，《Nanoscale Research Letter》、《中国科学G辑：物理学 力学 天文学》中英文刊、《物理学进展》、《物理》、科学出版社《半导体科学与技术》专著丛书编委，多种国内外核心期刊特约评审，黄昆半导体物理科学奖（基金会）秘书长。先后参加和主持国家八五、九五攀登计划、国家重大基础研究计划项目（973项目）及国家自然科学基金委和中国科学院重大、重点项目多项，2004年和2009年两次获国家自然科学二等奖。近年来，在包括美国科学院院刊和美国物理评论快报在内的国内外重要学术期刊发表论文150余篇，研究工作被国际同行广泛引用（其中包括国际著名半导体物理专家的综述性论文），并被写入专著。主要研究方向包括：低维半导体物理及器件、光电子器件性能预测、固态量子信息。2015年11月21日，发展中国家科学院（TWAS）第26届院士大会上经TWAS提名委员会提名、全体参会TWAS院士选举通过，李树深正式成为发展中国家科学院士，任期为2016至2018年。