近日,来自美国西北大学的Mark C. Hersam等研究者, 在超高真空条件下,利用原子氢对硼烯进行氢化反应,合成得到“硼烯”晶型。 相关论文以题为“Synthesis of borophane polymorphs through hydrogenation of borophene”发表在Science上。同期,该论文登上《Science》的封面。
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自硼烯实验初步实现以来,其研究主要集中在,其不同的多态性和预测性质上,包括二维各向异性金属性、高机械强度和柔韧性、声子超导性等。 然而,硼烯在空气中会迅速氧化,这将实验表征限制在超高真空(UHV)条件下,也给将硼烯集成到实际设备带来了挑战。 众所周知,化学钝化可以抑制电子材料的环境氧化。例如,硅表面悬垂键的单氢化物终端,最大限度地减少了天然氧化物的形成,二维黑磷的共价修饰,提高了形态稳定性,并在环境条件下保持了电子性能。第一性原理计算表明,硼烯也可以通过表面加氢来稳定。
除了钝化,化学功能化,也可以调节二维材料的电子特性。例如,通过将碳键构型从sp2转换为sp3,将石墨烯氢化形成石墨烯可根据氢表面浓度,产生可调节的带隙。从石墨烯中汲取灵感,对硼烯进行了理论上的 探索 。预测的电子性质,包括金属、半导体和超高费米速度和热导狄拉克特性等。虽然基于无机盐的化学反应合成的硼烯纳米片已有报道,但硼烯多晶型的原子定义明确的合成和表征尚未实现。
在此,研究者报道了硼烯在特高压条件下暴露于原子氢下的氢化反应。与硼烯的高度多态性相似,研究者观察到8种不同的硼烯多晶型 。其中,研究者详细研究了矩形v1/6-30 硼烯(简称为rect-v1/6-30 )的键合结构和性能,因为它具有较高的表面氢覆盖和高度有序的结构。特别的是,通过结合扫描隧道显微镜和光谱学(STM和STS)、非弹性电子隧道光谱学(IETS)和密度泛函理论(DFT),研究发现,rect-v1/6-30 硼烯的键,由两中心二电子(2c2e) B-H键和三中心二电子(3c2e) B-H-B键组成。原位局部功函数的测量结果支持了理论预测,即rect-v1/6-30 硼烯的功函数比v1/6-30 硼烯的功函数低。此外,根据X射线光电子能谱(XPS)显示,与在环境条件下几乎瞬间氧化的原始硼不同,即使在环境暴露一周后,硼烯的氧化作用仍然可以忽略不计。
图1 硼烯晶型的原子表征。
图2 矩形v1/6-30 硼烯的结构和电子性能。
图3 矩形v1/6-30 硼烯功函数表征。
图4 硼烯在环境条件下的稳定性。
硼烯晶型,是具有修饰局部功函数的金属晶型,可以通过氢的热解吸,可逆地恢复到原始硼烯。氢化还可提供化学钝化,因为在环境暴露后,硼烯可降低氧化率两个数量级以上。(文:水生)