为什么要进行晶体生长研究论文

在晶体生长过程中，温度是一个非常重要的因素。晶体的生长速度和晶体质量都与温度有关。一般来说，晶体生长速度随着温度的升高而增加，但是晶体的质量却会受到影响。因此，在晶体生长过程中，需要选择适当的温度来平衡晶体生长速度和晶体质量。在选择晶体生长温度时，需要考虑晶体的熔点和热稳定性等因素。对于一些高熔点的晶体，需要选择比较高的温度来进行生长。但是，如果温度过高，晶体的热稳定性会受到影响，从而影响晶体的质量。在某些情况下，选择较低的温度进行晶体生长可以获得更好的晶体质量。例如，在一些有机晶体的生长过程中，选择较低的温度可以减少晶体的缺陷和杂质，从而提高晶体的质量。至于为什么选择45℃进行晶体生长，这需要根据具体的晶体材料和生长条件来确定。一般来说，选择45℃进行晶体生长可能是因为这个温度可以满足晶体生长的需要，并且可以获得较好的晶体质量。

凝结核周围有同类原子存在，晶体自然会生长。需要同类物质、高于化合态存在的温度、凝结最低压强。

晶体生长的动力学理论 晶面生长的动力学指的是偏离平衡的驱动力（过冷或过饱和）与晶面生长的速率的关系，它是和晶体表面的微观形貌息息相关的。从20世纪20年代就开始了这方面的研究。晶面的光滑（原子尺度而言）与否对生长动力学起了关键性的作用。在粗糙的晶面上，几乎处处可以填充原子成为生长场所，从而导出了快速的线性生长律。至于偏离低指数面的邻位面，W.科塞耳与F.斯特兰斯基提出了晶面台阶－扭折模型，晶面上台阶的扭折处为生长的场所。由此可以导出相应的生长律。至于光滑的密集平面（这些是生长速率最低，因而在晶体生长中最常见的），当一层原子填满后，表面就没有台阶提供继续填充原子的场所，则要通过热激活来克服形成二维晶核的势垒后，方能继续生长。这样，二维成核率就控制晶面生长速率，导出了指数式的生长律。只有在甚高的驱动力(例如过饱和度达50%)作用下方可观测到生长。但实测的结果与此推论有显著矛盾。为了解释低驱动力作用下光滑晶面的生长，.夫兰克于1949年提出螺型位错在晶面露头处会形成永填不满的台阶，促进晶面的生长。在晶体生长表面上观测到的螺旋台阶证实了夫兰克的设想。在W.伯顿、N.卡夫雷拉与夫兰克1951年题为《晶体生长与表面平衡结构》这一重要论文中，对于理想晶体和实际晶体的晶面生长动力学进行了全面的阐述，成为晶体生长理论发展的重要里程碑。