半导体发光材料论文

国家重点实验室建立以来,先后有LAP、KTP、双掺杂TGS、KNSBN、KTN、NdPP、NYAB、LT、DKDP、KDP、MHBA、BN等晶体材料的创新性研究工作受到了国际同行的广泛关注,获得了包括国家发明奖一等奖1项、 国家发明奖三等奖3项、国家发明奖四等奖2项、国家科技进步奖二等奖1项、国家科技进步奖三等奖1项在内的多项奖励 。 序号获奖名称主要研究人员获奖时间所获奖励1 人工合成优质高频石英晶体 韩建儒 陈焕矗 国家教育部科技进步奖二等奖 2 1999-2000学年度省级三好学生 史伟 山东省教育厅 3 实时测定晶体生长固液/液界面和边界层结构的方法和结晶器 于锡玲 世界发明家国际协会国际发明金奖 4 功能晶体中缺陷的同步辐射白光形貌术和光学显微术研究 胡小波 王继扬 魏景谦 刘耀岗 刘宏 省教育厅理论成果二等奖 5 晶体热效应对高功率端面泵浦Nd:YVO4. Nd:GdVO4激光器的影响研究 刘均海 邵宗书 王长青 祝莉 王继扬 省教育厅理论成果一等奖 6 (八六三计划)先进个人 高樟寿 国家科学技术部中国人民解放军总装备部 7 全国优秀博士学位论文 史伟 2002 中华人民共和国教育部 国务院学位委员会 8 一种规模化生长激光核聚变用大KDP晶体的新方法-四槽循环动法 高樟寿 鲁智宽 李毅平 王圣来 刘加民 教育部科技成果完成者证书 教育部 9 钒酸酸钇（掺钕）单晶生长技术 孟宪林 祝俐 张怀金 董春明 徐炳超 魏景谦王长青 程瑞平 刘训民 省科技进步奖二等奖 10 高抗光损伤磷酸钛氧钾晶体和大功率绿光激光器 邵宗书 王继扬 刘均海 刘耀岗 魏景谦 刘恩泉 省技术发明奖二等奖 11 山东省科学技术最高奖 蒋民华 省长、韩寓群最高 12 电荷转移的对称性与分子的双光子吸收/辐射（荧光、激射）性能关系的研究 王筱梅导师：蒋民华 全国优秀博士学位论文 13 半导体发光材料外延工艺与器件制造技术 山东华光光电子有限公司：黄柏标 徐现刚张晓阳 秦晓燕 省科技进步奖一等奖 14 硅酸镓镧功能晶体及其电光Q开关器件 孔海宽导师：王继扬 第八届“挑战杯” 全国大学生课外学术科技作品竞赛 二等奖 15 用纳米四氧化三钴制备锂电子电池正极材料钴酸锂 孙 洵（第五位） 省科学技术进步奖一等奖 16 KDP（DKDP）晶体中散射颗粒的研究 孙询 许心光 房昌水 高樟寿 省教育厅自然科学类三等奖 17 具有上转换发光性质的新型有机光功能化合物 方奇 刘志强 崔月芝 蒋民华 省教育厅自然科学类一等奖 18 双金属硫氰酸盐配合物晶体的生长和性质研究 王新强 山东省优秀博士学位论文 19 有机非线性光学材料和有机导体的分子工程及晶体工程 方奇 蒋民华 刘志强 任燕 省科学技术奖：自然科学类一等奖 20 国家重点实验室计划先进 国家重点实验室 中华人民共和国科学技术部 21 国家重点实验室计划先进个人 蒋民华 中华人民共和国科学技术部 22 中国硅酸盐学会第六届青年科技奖 孙询 中国硅酸盐学会 23 双金属硫氰酸盐配合物晶体的生长和性质研究 王新强 教育部、国务院学位委员会、全国优秀博士学位论文 24 有机硼（Ⅲ）化合物的合成与三阶非线性光学性质 刘志强 山东省学位委员会、2004年山东省优秀博士学位论文 25 电光聚合物光波导薄膜的制备及其物性研究 秦志辉 山东省学位委员会 2005年山东省优秀硕士学位论文 26 新型纳米发光材料的制备、表征及发光机理的研究 吕孟凯 省科学技术奖：自然科学奖三等奖 27 三硼酸铋晶体的生长和非线性光学性能研究 王继扬 省科学技术奖：自然科学奖三等奖 28 含有硼氮硫杂原子的新型分子基光电功能材料 刘志强等 山东高等学校优秀科研成果奖二等奖 29 硅酸镓镧系列单晶的生长和性能研究 袁多荣 山东省高等学校优秀科研成果奖二等奖 30 山东省优秀研究生指导教师 房昌水 山东省学位委员会、山东省教育厅、山东省财政厅 31 Yb及其它稀土元素掺杂四硼酸铝晶体的生长及性质研究 李静 山东省优秀学位论文、山东省学位委员会、山东省教育厅 32 山东省优秀研究生指导教师 蒋民华 山东省学位委员会、山东省教育厅、山东省财政厅 33 星型有机氮、硼光电子材料的研制 袁茂森 山东省首届研究生优秀科技创新成果奖二等奖 34 求是杰出科技成就集体奖 蒋民华 香港求是科技基金会 35 半导体纳米材料的制备及发光性质的研究 顾锋导师：吕孟凯 山东省学位委员会、山东省教育厅2006年山东省优秀博士学位论文 36 新型纳米发光材料的控制合成及其光学性质的研究 周广军 山东高等学校优秀科研成果奖三等奖 37 光学级硅酸钾澜晶体生长及其新型电光Q开关 王继扬 建筑材料科学技术奖一等奖 38 新型半导体纳米材料控制合成及光电性能 吕孟凯 上海市科学技术奖二等奖 39 两类硼酸盐激光自倍频晶体生长及激光应用基础研究 王继扬 自然科学奖 教育部一等奖 40 系列钒酸盐晶体生长和激光应用基础研究 张怀金 教育部自然科学奖一等奖 41 新型系列钒酸盐晶体生长及其脉冲能量增强效应研究 于浩海 山东省优秀学位论文 42 KBBF族深紫外非线性光学晶体的发现、生长和应用 王继扬 北京市科学技术奖（第4位）一等奖 43 移动通讯用滤波器关键技术及产业化 王继扬 国家科学技术进步二等奖 44 高品质铌酸锂系列晶体生长、后处理技术研究与开发 刘宏 建筑材料科学技术奖一等奖 45 第三代（宽禁带）半导体军用电子材料和器件基础研究 胡小波 国防科学技术进步奖一等奖 46 基于化学工程原理与方法的纳米材料合成与结构调控 吕孟凯、周广军 教育部自然科学奖（2）一等奖 47 硼酸盐激光自倍频晶体制备技术及其小功率绿光激光器件商品化应用 王继杨、张怀金等 国家技术发明奖二等奖 资料来自晶体材料国家重点实验室

半导体射线探测器最初约年研究核射线在晶体上作用, 表明射线的存在引起导电现象。但是, 由于测得的幅度小、存在极化现象以及缺乏合适的材料, 很长时间以来阻碍用晶体作为粒子探测器。就在这个时期, 气体探测器象电离室、正比计数器、盖革计数器广泛地发展起来。年, 范· 希尔顿首先较实际地讨论了“ 传导计数器” 。在晶体上沉积两个电极, 构成一种固体电离室。为分离人射粒子产生的载流子, 须外加电压。许多人试验了各种各样的晶体。范· 希尔顿和霍夫施塔特研究了这类探测器的主要性质, 产生一对电子一空穴对需要的平均能量, 对射线作用的响应以及电荷收集时间。并看出这类探测器有一系列优点由于有高的阻止能力, 人射粒子的射程小硅能吸收质子, 而质子在空气中射程为, 产生一对载流子需要的能量比气体小十倍, 在产生载流子的数目上有小的统计涨落, 又比气体计数器响应快。但是, 尽管霍夫施塔特作了许多实验,使用这种探侧器仍受一些限制, 像内极化效应能减小外加电场和捕捉载流子, 造成电荷收集上的偏差。为了避免捕捉载流子, 需外加一个足够强的电场。结果, 在扩散一结, 或金属半导体接触处形成一空间电荷区。该区称为耗尽层。它具有不捕捉载流子的性质。因而, 核射线人射到该区后, 产生电子一空穴载流子对, 能自由地、迅速向电极移动, 最终被收集。测得的脉冲高度正比于射线在耗尽层里的能量损失。要制成具有这种耗尽层器件是在年以后, 这与制成很纯、长寿命的半导体材料有关。麦克· 凯在贝尔电话实验室, 拉克· 霍罗威茨在普杜厄大学首先发展了这类探测器。年, 麦克· 凯用反偏锗二极管探测“ 。的粒子, 并研究所产生的脉冲高度随所加偏压而变。不久以后, 拉克· 霍罗威茨及其同事者测量一尸结二极管对。的粒子, “ , 的刀粒子的反应。麦克· 凯进行了类似的实验, 得到计数率达, 以及产生一对空穴一电子对需要的能量为土。。麦克· 凯还观察到,加于硅、锗一结二极管的偏压接近击穿电压时, 用一粒子轰击, 有载流子倍增现象。在普杜厄大学, 西蒙注意到用粒子轰击金一锗二极管时产生的脉冲。在此基础上, 迈耶证实脉冲幅度正比于人射粒子的能量, 用有效面积为二“ 的探测器, 测。的粒子, 得到的分辨率为。艾拉佩蒂安茨研究了一结二极管的性质, 载维斯首先制备了金一硅面垒型探测器。年以后, 许多人做了大量工作, 发表了广泛的著作。沃尔特等人讨论金一锗面垒型探测器的制备和性质, 制成有效面积为“ 的探测器, 并用探测器, 工作在,测洲的粒子, 分辨率为。迈耶完成一系列锗、硅面垒型探测器的实验用粒子轰击。年, 联合国和欧洲的一些实验室,制备和研究这类探测器。在华盛顿、加丁林堡、阿什维尔会议上发表一些成果。如一结和面垒探测器的电学性质, 表面状态的影响, 减少漏电流, 脉冲上升时间以及核物理应用等等。这种探测器的发展还与相连的电子器件有很大关系。因为, 要避免探测器的输出脉冲高度随所加偏压而变, 需一种带电容反馈的电荷灵敏放大器。加之, 探测器输出信号幅度很小, 必需使用低噪声前置放大器, 以提高信噪比。为一一满足上述两个条件, 一般用电子管或晶体管握尔曼放大器, 线幅贡献为。在使用场效应晶体管后, 进一步改善了分辨率。为了扩大这种探测器的应用, 需增大有效体积如吸收电子需厚硅。采用一般工艺限制有效厚度, 用高阻硅、高反偏压获得有效厚度约, 远远满足不了要求。因此, 年, 佩尔提出一种新方法, 大大推动这种探测器的发展。即在型半导体里用施主杂质补偿受主杂质, 能获得一种电阻率很高的材料虽然不是本征半导体。因为铿容易电离, 铿离子又有高的迁移率, 就选铿作为施主杂质。制备的工艺过程大致如下先把铿扩散到型硅表面, 构成一结构, 加上反向偏压, 并升温, 锉离一子向区漂移, 形成一一结构, 有效厚度可达。这种探测器很适于作转换电子分光器, 和多道幅度分析器组合, 可研究短寿命发射, 但对卜射线的效率低, 因硅的原子序数低。为克服这一点, 采用锉漂移入锗的方法锗的原子序数为。年, 弗莱克首先用型锗口,按照佩尔方法, 制成半导体探测器,铿漂移长度为, 测‘“ 、的的射线, 得到半峰值宽度为直到年以前, 所有的探测器都是平面型, 有效体积受铿通过晶体截面积到“和补偿厚度的限制获得补偿厚度约, 漂移时间要个月, 因此, 有效体积大于到” 是困难的。为克服这种缺点, 进一步发展了同轴型探测器。年, 制成高分辨率大体积同轴探测器。之后, 随着电子工业的发展而迅速发展。有效体积一般可达几十“ , 最大可达一百多“ , 很适于一、一射线的探测。年以后广泛地用于各个部门。最近几年, 半导体探测器在理论研究和实际应用上都有很大发展。

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