数字钟论文的文献综述

目 录 中英文摘要，关键词………….....1 一，中英文摘要，关键词 前言……………………………….2 二，前言 原理框图………………………….3 三，原理框图 毕业设计主要结构 结构……………….3 四，毕业设计主要结构 4．1，时基信号 ． ，时基信号…………………….3 4．2，分频器件 CD4040………….10 ． ， 4．3，可逆计数器 CD40110……...15 ． ， 4．4，置数开关 ． ，置数开关……………………20 4．5，控制门 ． ，控制门………………………20 4．6，执行电路 ． ，执行电路……………………21 毕业设计详细电路图 五，毕业设计详细电路图……………23 详细原理解释……………………24 六，详细原理解释 焊接与调试………………………25 七，焊接与调试 结论………………………………26 八，结论 参考文献…………………………27 九，参考文献 中英文关键字，摘要： 一， 中英文关键字，摘要： 逆计时数显定时器的设计 [摘要] 本文介绍了一种电子定时器．定时时间用数字显示．并进行逆计数．当 摘要] 计数器显示为 “ 0 ” 时．控制器会自动切断或打开用电器的电源， 定时时间 范围 1～ 990分钟。该定时器可替代目前一些家用电器中的机械定时器。 倒计时时定时器的用途很广泛，它可以用作定时器，控制被定时的电器，实现 定时开或者定时关，在定时的过程中，随时显示剩余时间， 它还可以用作倒计 时计数器。由三位数码管直观显示倒计时计数状态。 关键词： 关键词：电子定时器,数字显示,倒计时作者：高剑夫 指导老师：朱永乐 [Abstract] [Abstract] This article introduced one kind of electronic timer. Fixed the time is demonstrated with the digit. And carried on ploting the number. When the counter is demonstrated “0”, The controller automatic turnoff or opens with power source of electric appliance,the range of fixed time is 1~ 990 timer may substitute some mechanical timer of domestic electric appliances in the present. The use of the count down timer is very widespread, it can be used as the timer,which controls the electric appliance what be fixed time, realizes fixed time opened or closed, in the process of fixed time, momentarily demonstrates the surplus time, it can be also used as the countdown counter. Display the condition of the countdown immediately by three nixietube. Key word: electronic timer ,digit demonstration，countdown Written by Jianfu Gao Supervised by Yongle Zhu 二， 前言计数器是最常用的时序电路之一，他们不仅可用于对脉冲进行计数，还可以用 于分频，定时，产生节拍脉冲以及其他时序信号。计数器的种类不胜枚举，按照 编码分类可以分成：二进制码计数器，BCD（二——十进制）计数器，循环码计 数器。文章中涉及到的计数器是十进制的。 可逆计数器又称作加／减计数器。是计数器的一个重要组成部分，除了一些专 用的大规模可逆计数器具有符号框功能， 中规模可逆计数器一般是不具备极性符 号功能的。 因此用无符号的中小规模可逆计数器设计带符号的可逆计数器显得尤 为必要．一般完成这一转换需增加三个单元电路。①符号寄存器和符号显示驱动 器 用于寄存和驱动计数状态的极性符号。②清零电路，在计数器的计数状态+0 和 -0 相互转换时，它使计数器清零。③控制门电路。在可逆计数器的极性符号 控制下， 它使正计数状态时的增加时钟脉冲和城小时钟脉冲分别变成负计数状态 时的减小时钟脉冲和增加时钟脉冲。 我们这篇论文写的逆计时数显定时器是在以电子技术（数字部分）该教材基础 上写成的。它主要由：时基信号，分频器，可逆计数器，控制门，置数开关，执 行电路组成。这种电子定时器定时时间用数字显示，并进行逆计数。当计数器显 示为 “ 0 ” 时．控制器会自动切断或打开用电器的电源， 定时时间范围 1～ 990 分钟，LED 数码管显示运行过程。为了更好的理解该电路的设计原理，文章 中详细解释了构成该电子定时器的每个构成部分。 这种采用常规 CMOS 数字集成电路的定时器，电路原理简单，使用方便，适 用于家用电器及工业设备的定时控制，故值得电子爱好者业余制作。 三，原理框图： 原理框图： 数码管 可逆计 数器 控制门 执行电路 置数 开关 分频器 被控电路 时基信号 四，毕业设计主要结构 4．1 时基信号 ． 图中 VD1、Rl～R3、D1、D2 等组成时基信号产生电路。 VD1 以及下文中的 VD2，VD9，VD16 都是 1N4001 1N4001 的特征有： 低的反向漏电流 较强的正向浪涌承受能力 高温焊接保证 引线可承受 5 磅 () 拉力 它的极限值和温度特性 TA = 25℃ 符号 最 大 可 重 复 峰 值 VRRM 反向电压 最大均方根电压 VRMS 最 大 直 流 阻 断 电 VDC 压 最 大 正 向 平 均 整 IF(AV) 流电流 峰 值 正 向 浪 涌 电 IFSM 流 单一 正 弦半波 最 大 反 向 峰 值 电 IR(AV) 流 典型热阻 RθJA 工 作 结 温 和 存 储 Tj, TSTG 温度 电特性 TA = 25℃ 符号 最大正向电压 IF = VF 最大反向电流 IR TA= 25℃ TA=100℃ 见下表 50 35 50 30 单位 V V V A A 30 65 -50 --- +150 ?A ℃/W ℃ 单位 V ?A 100 典型结电容 VR = Cj 15 pF , f = 1MHz 时基信号取交流电的 50HZ 信号。电源变压器次级输出的交流电压经 VD1 半 波整流后在 R1 上产生 50HZ 的脉冲直流电。 图中 D1，D2 是 CD4069------六反相器 CD4069 提供了14 引线多层陶瓷双列直插（D）、熔封陶瓷双列直插（J）、塑 料双列直插（P）和陶瓷片状载体（C）4 种封装形式。 推荐工作条件： 电源电压范围…………3V～15V 输入电压范围…………0V～VDD 工作温度范围 M类…………－55℃～125℃ E 类………….－40℃～85℃ 极限值： 电源电压…...－～18V 输入电压……－ 输入电流…………….±10mA 储存温度…………－65℃～150℃ 引出端符号： 1A～6A 数据输入端 VCC 正电源 Vss 地 1Y～6Y 数据输入端 逻辑符号： 引出端排列（俯视） 逻辑表达式： Y＝ A 逻辑图： 由点 1 输出的脉冲信号经 D1，D2 等组成的施密特触发器整形后在点 2 输出 50HZ 的矩形脉冲信号，供分频器作时钟信号。 施密特触发器特点 施密特触发器与其说是“触发器”，不如说是具有滞后特性的数字传输门， 其特点有二： 1．输入电平的阈值电压由低到高为 ，由高到低为 ，且 ＞ ， 为负 输出的变化滞后于输入，形成回环。我们将称 向阈值电压，二者的差值称为回差。 为正向阈值电压， 称 2．与双稳态触发器和单稳态触发器不同，施密特触发器属于“电平触发”型 电路，不依赖于边沿陡峭的脉冲。 下图是施密特发器的电压传输特性，图 (a) 是反相传输特性，图 (b) 是同相传 输特性。 二、由反相器构成的施密特触发器 1．反相器构成的施密特触发器的电路结构 将两级反相器串接起来，同时通过分压电阻把输出端的电压反馈到输入端，就构 成了图所示的施密特触发器。 （a）电路 (b) 图形符号 2．反相器构成的施密特触发器的工作原理 G1，G2 为 CD4069 反相器，门电路的阈值电压为：VTH=1/2VDD，且 R1

文献综述的撰写原则撰写文献综述应遵循以下写作原则:1. “5W” 写作原则。“5W” 原则就是作者必须实事求是、原汁原味继承前人研究成果的原则, 也就是可检索性原则。具体地说即按照什么人(Who )、什么时候(When )、在什么地方(Where)、为什么(Why )、提出了什么学术观点(What)的写作方式撰写文献综述的原则。易言之,文献综述的写作应采用实引方式, 对所引述的观点要严格采用被引述作者的原文, 不可断章取义、任意发挥。真正的有价值的文献综述应该让读者能够查阅并迅速找到文献的源头, 作进一步的考证和研究。遵循“5W” 文献写作原则有利于尊重知识产权, 维护学术研究的尊严;有利于学术研究的良性开展;有利于学术积累。现今流行于我国经济学界的许多所谓的文献综述是不规范的, 比如“弗里德曼(1968)提出了……” 、“诺斯(1963)构建了……” 等等。这种转述性的文献综述毫无价值可言。因为读者阅读文献综述后仍然很难把握作者所依据的文献是什么。严格地说, 这样的文献综述既没有继承性, 也没有开放性, 于学术研究无补。2.经典性原则。文献综述应坚持经典性写作原则。所谓经典性写作原则是指文献综述的内容应该是所研究领域的经典人物的经典著作, 而不是学术“圈外人” 的某些片言只语。一般来说, 每个研究课题都有其所在领域独有的经典文献。作者必须熟悉自己所研究领域的经典文献。

你好，同学，你的开题报告老师让你往哪个方向写？开题报告有什么要求呢开题报告是需要多少字呢你可以告诉我具体的排版格式要求，希望可以帮到你，祝开题报告选题通过顺利。1、研究背景研究背景即提出问题，阐述研究该课题的原因。研究背景包括理论背景和现实需要。还要综述国内外关于同类课题研究的现状：①人家在研究什么、研究到什么程度？②找出你想研究而别人还没有做的问题。③他人已做过，你认为做得不够（或有缺陷），提出完善的想法或措施。④别人已做过，你重做实验来验证。2、目的意义目的意义是指通过该课题研究将解决什么问题（或得到什么结论），而这一问题的解决（或结论的得出）有什么意义。有时将研究背景和目的意义合二为一。3、成员分工成员分工应是指课题组成员在研究过程中所担负的具体职责，要人人有事干、个个担责任。组长负责协调、组织。4、实施计划实施计划是课题方案的核心部分，它主要包括研究内容、研究方法和时间安排等。研究内容是指可操作的东西，一般包括几个层次：⑴研究方向。⑵子课题（数目和标题）。⑶与研究方案有关的内容，即要通过什么、达到什么等等。研究方法要写明是文献研究还是实验、调查研究？若是调查研究是普调还是抽查？如果是实验研究，要注明有无对照实验和重复实验。实施计划要详细写出每个阶段的时间安排、地点、任务和目标、由谁负责。若外出调查，要列出调查者、调查对象、调查内容、交通工具、调查工具等。如果是实验研究，要写出实验内容、实验地点、器材。实施计划越具体，则越容易操作。5、可行性论证可行性论证是指课题研究所需的条件，即研究所需的信息资料、实验器材、研究经费、学生的知识水平和技能及教师的指导能力。另外，还应提出该课题目前已做了哪些工作，还存在哪些困难和问题，在哪些方面需要得到学校和老师帮助等等。6、预期成果及其表现形式预期成果一般是论文或调查（实验）报告等形式。成果表达方式是通过文字、图片、实物和多媒体等形式来表现。

文献综述在论文写作中的重要地位一般而言, 文献综述是研究生学位论文写作中必不可少的重要组成部分。文献综述水平的高低制约着学位论文写作的水平。极端些说, 没有高质量的文献综述就不可能有高质量的研究生学位论文。1.文献综述的写作是由学术研究的继承性决定的。文献综述的写作是由学术研究的继承性决定的,因为继承是创新的基础和前提。文献综述部分要澄清所研究问题“从哪里来, 到哪里去” 。这部分主要是继承, 是梳理前人的成果并找出其内在的逻辑关系和演进的规律。文献综述是复述前人的成果, 是尊重前人, 实质上也是显示作者自己的读书量。一篇论文若没有必要的文献综述部分很难发表;一篇学位论文没有相应的文献综述部分一般质量较低,也难逃肤浅的命运。2.文献综述的写作是由学术研究的开放性决定的。道理很简单, 主要是:学术研究是天下公器,需要一代一代的学人前赴后继的开拓和努力才能薪火相济;客观现实世界的变化运动永远没有完结,人们在实践中对于真理的认识也就永远没有完结;“任何一篇论文或研究过程都是该领域知识探索过程中的一个环节, 不可能是终结, 也不可能覆盖全领域” 。正是因为学术研究是天下公器, 人们在实践中对于真理的认识永远没有完结和任何一篇论文或研究过程都是该领域知识探索过程中的一个环节, 不可能是终结, 决定了真正有价值的研究生学位论文的开放性和文献综述写作的必要性。

论文文献综述怎么写

本科毕业设计（论文）文献综述院 （系）：专 业：班 级：学生姓名： 学 号:年 月 日本科生毕业设计（论文）文献综述评价表毕业设计（论文）题目综述名称 注意综述名称（综述内容中不要出现本课题怎么样等等）评阅教师姓名 职称评 价 项 目 优 良 合格 不合格综述结构 01 文献综述结构完整、符合格式规范综述内容 02 能准确如实地阐述参考文献作者的论点和实验结果03 文字通顺、精练、可读性和实用性强04 反映题目所在知识领域内的新动态、新趋势、新水平、新原理、新技术等参考文献 05 中、英文参考文献的类型和数量符合规定要求，格式符合规范06 围绕所选毕业设计（论文）题目搜集文献成绩综合评语：评阅教师（签字）：年 月 日文献综述： 小四号宋空一行标题 二号黑居中空一行1 XXX 三号黑XXX 小四号宋，行距20磅 XXXX 小三号黑XXX 小四号宋，行距20磅 XXX 四号黑XXX 小四号宋，行距20磅空一行2 XXXX 三号黑(空1行)参 考 文 献(空1行)[要求按国标GB 7714—87《文后参考文献著录规则》书写，例如：][1] 袁庆龙，候文义．Ni-P合金镀层组织形貌及显微硬度研究［J］．太原理工大学学报，2001，32(1)：51-53 ．（宋体五号，行距固定值20磅）[2] 刘国钧，王连成．图书馆史研究［M］．北京：高等教育出版社，1979：15-18，31．下面的是我的文献综述文献综述:FTO透明导电薄膜的溅射法制备1 前言为了更好的开展毕业论文及毕业实验工作，在查找和阅读与《DSSC用FTO透明导电玻璃的溅射法制备》相关的文献和资料，完成撰写了本文献综述。随着科技的日趋成熟，导电玻璃的制备方法也越来越成熟，种类也衍生得越来越多。本文章将对国内外的制备方法，种类，发展现状及趋势，工艺性能，退火处理对性能的影响等方面做一简要介绍。2透明导电玻璃的种类及制备方法简介透明导电玻璃的种类 .1 TCO导电玻璃TCO（Transparent Conductive Oxide）玻璃，即透明导电氧化物镀膜玻璃，是指在平板玻璃表面通过物理或化学镀膜方法均匀的镀上一层透明的导电氧化物薄膜而形成的组件.主要包括铟、锡、锌、铬的氧化物及其复合多元氧化物薄膜材料。 ITO透明导电玻璃ITO透明导电玻璃全称为氧化铟锡(Indium-Tin Oxide)透明导电膜玻璃,多通过ITO导电膜玻璃生产线,在高度净化的厂房环境中,利用平面磁控技术,在超薄玻璃上溅射氧化铟锡导电薄膜镀层并经高温退火处理得到的高技术产品。 ITO玻璃产品广泛地用于液晶显示器(LCD)、太阳能电池、微电子ITO导电膜玻璃、光电子和各种光学领域。透明导电玻璃FTO透明导电玻璃为掺杂氟的SnO2导电玻璃(SnO2:F)，简称为FTO。FTO玻璃可以做为ITO导电玻璃的替换用品，广泛用于液晶显示屏，光催化，薄膜太阳能电池基底等方面，市场需求极大. FTO玻璃因其特殊性，在染料敏化太阳能电池，电致变色和光催化方面对其透光率和导电率都有很高的要求，其综合性能常用直属FTC来评价：FTC＝T10／RS。T是薄膜的透光率，RS是薄膜的方阻值；在光学应用方面，则要求其对可见光有好的透射性和对红外有良好的反射性。对其基本要求是：①表面方阻低，②透光率高，③面积大、重量轻，④易加工、耐冲击。透明导电玻璃制备方法FTO透明导电玻璃的制备方法有，物理方法：溅射法、真空蒸发镀膜法、离子辅助沉积镀膜法等；化学方法：喷雾热解法、溶胶-凝胶法和化学气相沉积法等。目前适合批量生产且研发较多的有真空蒸发镀膜法、磁控溅射法、化学气相沉积法和喷雾热解等方法！［1］化学气相沉积法和真空镀膜法制备的薄膜和玻璃基板的结合强度不够，溶胶-凝胶法制备的导电薄膜电阻较高。适合于批量生产且已经形成产业的工艺，只有磁控溅射法和溶胶－凝胶法。特别是，溅射法由于具有良好的可控性和易于获得大面积均匀的薄膜。磁控溅射法镀膜：溅射镀膜(sputtering deposition)是指用离子轰击靶材表面，使靶材的原子被轰击出来，溅射产生的原子沉积在基体表面形成薄膜。溅射镀膜有二级、三级或四级溅射、磁控溅射、射频溅射、偏压溅射、反应溅射、离子束溅射等装置。目前最常用的制备CoPt 磁性薄膜的方法是磁控溅射法。磁控溅射法是在高真空充入适量的氩气，在阴极（柱状靶或平面靶）和阳极（镀膜室壁） 之间施加几百K 直流电压，在镀膜室内产生磁控型异常辉光放电，使氩气发生电离。氩离子被阴极加速并轰击阴极靶表面，将靶材表面原子溅射出来沉积在基底表面上形成薄膜。通过更换不同材质的靶和控制不同的溅射时间，便可以获得不同材质和不同厚度的薄膜。磁控溅射法具有镀膜层与基材的结合力强、镀膜层致密、均匀等优点。真空蒸发镀膜：真空蒸发镀膜(vacuum vapor deposition)是在工作压强低于10-2 Pa，用蒸发器加热物质使之汽化蒸发到基片，并在基片上沉积形成固态薄膜的一种工艺方法。真空蒸发的加热方式主要有电阻加热蒸发、电子束加热蒸发、高频加热蒸发和激光加热蒸发等。对于镀制透明导电氧化物薄膜而言，其真空蒸发镀膜工艺一般有三种途径：(1)直接蒸发氧化物；(2)采用反应蒸发镀，即在蒸发金属的同时通入氧气进行化学反应生成金属氧化物；(3)对蒸发金属镀膜进行氧化处理。溶胶-凝胶法：溶胶-凝胶法(so1-gel)是近年来发展起来的能代替高温固相合成反应制备陶瓷、玻璃和许多固体薄膜材料的一种新方法。它将金属醇盐或无机盐经溶液、溶胶、凝胶而周化，再将凝胶低温处理变为氧化物的方法，是应用胶体化学原理制各无机材料的一种湿化学方法。溶胶-凝胶工艺是一种制备多元氧化物薄膜的常用方法。按工艺可分为浸涂法和旋涂法。浸涂法是将衬底浸人含有金属离子的前驱体溶液中，以均匀速度将其提拉出来，在含有水分的空气中发生水解和聚合反应，最后通过热处理形成所需薄膜；而旋涂法则是通过将前体溶液滴在衬底后旋转衬底获得湿膜。化学气相沉积法：化学气相沉积(chemical vapor deposition，CVD)是反应物质在气态条件下发生化学反应，生成固态薄膜沉积在加热的固态衬底表面，是一种重要的薄膜制各方法。CVD法所选的反应体系必须满足：(1)在沉积温度下，反应物必须有足够的蒸汽压；(2)化学反应产物除了所需的沉积物为固态外，其余必须为气态；(3)沉积物的蒸汽压应足够低，以保证能较好地吸附在具有一定温度的基体上，但此法因必须制各具有高蒸发速率的铟锡前驱物而使生产成本较高。影响化学气相沉积薄膜的工艺参数很多，包括基体温度、气压、工作气体流量和反应物及其浓度等。化学气相沉积技术的主要特点包括：设备及工艺简单、操作维护方便、灵活性强；适合在各种形状复杂的部件上沉积薄膜：由于设备简单，薄膜制备的成本也比较低。但是，薄膜的表面形貌很大程度上受到化学反应特性以及能量撒活方式的影响。喷雾热分解法：喷雾热分解法是化学法成膜的一种，其过程与APCVD法比较相似。它是将前驱体溶液在高压载气的作用下雾化，然后输送到基片表面，在高温作用下，前驱体溶液发生一系列复杂的化学反应，在基片表面上得到需要的薄膜材料。而反应副产物一般是通过气相形式排出反应腔。常用的高压载气主要有：压缩空气、氮气、氩气等等。但是由于压缩空气中常含有大量的水蒸气，所以用氮气作为载气的情形比较多。如果需要在基片表面上发生分解反应，基片温度一般在300℃以上，在玻璃上制备FTO薄膜的基片温度一般为500℃。影响最终薄膜性能的喷涂参数有：载气压力、前驱体溶液流量、基片温度、喷口与基片的距离、喷枪移动速度等等［2］。在成膜过程中基材的温度、液体的流速、压缩气体的压力以及喷嘴到基材的距离等参数均可实现精确控制［3］。3 FTO透明导电玻璃的研究现状、应用及发展趋势透明导电玻璃的研究现状自1907年Badeker首次报道了热氧化溅射的Cd薄膜生成半透明导电的CdO薄膜，引发了对透明导电氧化物(TCO)薄膜的研究。1950年前后出现了硬度高，化学稳定性好的SnO2基薄膜及综合光电性能优良的In2O3基薄膜，ZnO基薄膜的研究始于2O世纪80年代 。目前研究和应用较多的TCO薄膜主要有SnO2、In2O3。和ZnO基三大体系，其中以In203：Sn(ITO)，SnO2 ：F(FTO)和ZnO：Al(ZAO)最具代表性，这些薄膜具有高载流子浓度(1018～1021cm-3)和低电阻率(10-3～1O-4Ω•cm)，且可见光透射率8O％～90％，使这些薄膜已被广泛应用于平面显示、建筑和太阳光伏能源系统中。［4］ 已经商业化应用的TCO薄膜主要是In2O3Sn(ITO)和SnO2：F(FTO)2类，ITO由于其透明性好，电阻率低，易刻蚀和易低温制备等优点，一直是显示器领域中的首选TCO薄膜。FTO薄膜由于其化学稳定性好，生产设备简单，生产成本低等优点在节能视窗等建筑用大面积TCO薄膜中，具有很大的优势［5］。Sn02：F（FTO）掺杂体系是一种n型半导体材料，表现出优良的电学和光学性能，并且耐腐蚀，耐高温，成本低，化学稳定性好，是现在研究较多，应用范围较广的一类TCO薄膜。苗莉等［6］采用喷雾热解法，以NH4F、SnCl2•2H20为原料，在普通玻璃衬底上制备出了方块电阻最低达到Ω/口，可见光透光率为％的FTO薄膜，且薄膜晶粒均匀，表面形貌平整致密。Yadav等［7］采用喷雾热解法，制备了不同厚度的FTO薄膜，最低电阻率达到 X 10-4 Ω•cm。Moholkar等［8］采用喷雾热解法，制备了不同掺F浓度的FTO薄膜，研究了氟的掺杂浓度对Sn02薄膜的光学，结构和电学性能的影响。中国科学院等离子体物理研究所的戴松元小组［9、10］将FTO用于染料敏化太阳电池的透明电极，并获得较高的光电转换效率。射频溅射：射频溅射的基本原理是射频辉光放电。国内外射频溅射普遍选用的射频电源频率为13．56MHz,以防止射频信号与无线电信号的相互干扰。通常直流溅射的基本过程是，从阴极发出的电子，经过电场的加速后获得足够的能量，可以使气氛气体发生电离。正离子在电场作用下撞击阴极表面，溅射出阴极表面的原子、分子到衬底表面发生吸附、凝聚，最终成膜。直流溅射不能用于绝缘体材料的薄膜制备，因为绝缘材料在受到正离子轰击时，靶材表面的正离子无法中和，使靶表面的电位逐渐升高，导致阴极靶与阳极问的电场减小，当靶表面电位上升到一定程度时，可以使气体无法电离，溅射无法进行。而射频溅射适合于任何一种类型的阻抗耦合，电极和靶材并不需要是导体，射频溅射非常适合于制备半导体、绝缘体等高熔点材料的薄膜。在靶材表面施加射频电压，当溅射处于上半周时，由于电子的质量比离子的质量小很多，故其迁移率很高，用很短时间就可以飞向靶面，中和其表面积累的正电荷，从而实现对绝缘材料的溅射，并且在靶表面又迅速积累起了大量的电子，使其表面因空间电荷而呈现负电位，导致在射频溅射正半周期，也可吸引离子轰击靶材。从而实现了在电压正、负半周期，均可溅射。磁场的作用是将电子与高密度等离子体束缚在靶材表面，可以提高溅射速度。［11］用JPGF一450型射频磁控溅射系统在玻璃衬底上制备SnO2：F薄膜，系统的本底真空度为10-3Pa．溅射所用陶瓷靶是由纯度为％SnO2和NH4F，粉末经混合、球磨后压制成坯，再经1300℃烧结而成，靶中NH4F的重量比是％，用纯度为99．99％ 的氩气和氧气作为工作气体，由可控阀门分别控制气体的流量。溅射过程中，控制真空室内氩气压强为1Pa，氧分压为— Pa，靶与衬底间的距离为5cm．溅射功率为150W，溅射时间为25 min，衬底温度为100℃。用RIGAKU D／MAX—yA型x射线衍射(XRD)仪(CuKa辐射波长， nm)测试样品的结构，用APHM一0190型原子力显微镜(AFM)观测样品的表面形貌，使用 rv一1900型紫外可见光分光光度计测量样品的吸收谱，使用激发源为325 nm的He—Cd激光器的光谱仪测量样品的室温光致发光谱，使用普通的万电表测试它的导电性（前提是尽量保持测量条件的一致性）。透明导电玻璃的应用FTO透明导电玻璃具有优良的光电性能，被广泛用于太阳能电池的窗口材料、低损耗光波导电材料及各种显示器和非晶硅太阳能电池中作为透明玻璃电极等，与生活息息相关。在薄膜太阳电池上的应用太阳能电池是利用光伏效应，在半导体p-n结直接将太阳光的辐射能转化成电能的一种光电器件。TCO薄膜是太阳电池关键材料之一，可作为染料敏化太阳电池(dye-sensitized solar cells，DSCS)［12］等的透明电极，对它的要求是：具有低电阻率(方块电阻Rsh约为15Ω/□)；高阳光辐射透过率，即吸收率与反射率要尽可能低；化学和力学稳定性好的特点。在薄膜太阳电池中，透明导电膜充当电极，具有太阳能直接透射到作用区域几乎不衰减、形成p-n结温度较低、低接触电阻、可同时作为防反射薄膜等优点。在显示器上的应用显示器件能将外界事物的光、声、电等信息，经过变换处理，以图像、图形、数码、字符等适当形式加以显示。显示技术的发展方向是平板化。在众多平板显示器中，薄膜电致发光显示由于其主动发光、全固体化、耐冲击、视角大、适用温度宽、工序简单等优点，引起广泛关注，并发展迅速。FTO薄膜具有可见光透过率高、电阻率低、较好的耐蚀性和化学稳定性，因此被广泛用作平板显示器的透明电极。在气敏元件上的应用气体传感器是把气体的物理、化学性质变换成易处理的光、电、磁等信号的转换元件。半导体气体传感器是采用金属氧化物或金属半导体氧化物材料做成的元件，与气体相互作用时产生表面吸附或反应，引起以载流子运动为特征的电导率或伏安特性或表面电位变化。二氧化锡薄膜气敏器件具有灵敏度高、响应速度和恢复速度快、功耗低等特点，更重要的是容易集成。随着微电子技术的发展，传感器不断向智能化、微型化方向发展。［13］在建筑幕墙玻璃及透明视窗上的应用喷雾热解法制各的FTO薄膜能用于阳光节能玻璃，对可见光高透射，但对红外光高反射，其反射率大于70％。让阳光中可见光部分透过，而红外部分和远红外反射。阳光中的可见光部分对室内采光是必需的，但可将红外部分的热能辐射反射回去，能有效调节太阳光的入射和反射。利用FTO薄膜在可见光区的高透射性和对红外光的高反射性，可作为玻璃的防雾和防冰霜薄膜。 FTO透明导电玻璃的发展趋势随着LCD的商品化、彩色化、大型化和TFT的驱动或太阳能电池的能量转变效率的提高，人们对透明导电氧化物（TCO）薄膜的要求越来越严格，至少需要满足如下条件：(1)导电性能好，电阻率较低；(2)可见光内透光率较高：(3)镀膜温度更接近室温，能大面积均匀地镀膜；(4)膜层加工性能好，可以进行高精度低损伤腐蚀；(5)热稳定性及耐酸、碱性优良，硬度高；(6)表面形状良好，没有针孔；(7)价格较低，可实现大规模工业化生产。目前，TCO薄膜已普遍达到下列水平：膜厚为500 nm的情况下电阻率在10-4 Ω•cm数量级，在可见光区透光率达80％，载流子迁移率一般达到40cm2／(v•s)。虽然TCO薄膜的性能指标可以满足当前应用需要，但随着器件性能的不断提升，对TCO薄膜提出了更高的性能要求。一些学者提出了TCO薄膜发展的一个量化的前景指标：禁带宽度>3 eV，直流电阻率～5×10-5 Ω•cm，可见光段在自由电子作用下的吸收系数<2x103 cm-1，载流子迁移率>100 cm2／(v•s)。几十年来，人们一直在努力提高透明导电薄膜的透明性和导电性。SnO2：F（TFO）透明导电薄膜由于其兼备低电阻，高的可见光透过率，近红外高的反射率，优良的膜强度和化学稳定性等优点，越来越受到人们的青睐，必将在平板显示器件、建筑物玻璃和气敏传感器等众多领域中得到更广泛的应用。利用溅射法制备FTO透明导电玻璃它的生产工艺简单，操作方便，利于控制。成本较低，原料易得，但在制备过程中NH4F加热分解放出有污染的氮氧化物和氨烟，这对以后商业化生产造成了很大的制约。所以对原料的改进和污染的控制方面还有待开发。4 制备条件对膜结构及光电性能的影响长安大学材料科学与工程学院段理等做了磁控溅射制备银掺杂ZnO薄膜结构及光电性质研究实验，发表了文献［14］，并在文献14中得出了——的结论。制备条件对膜厚的影响文献中采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了银掺杂ZnO薄膜，当薄膜淀积时间从30rain延长到90min时，薄膜的厚度几乎按照线性关系从约270nm增加到820nm，即薄膜的淀积速率大致稳定在9nm／min左右，为匀速生长。溅射功率与膜厚呈线性增长，及沉淀速率与溅射功率大致呈线性关系。制备条件对膜结构的影响晶体质量随溅射功率的增大而降低，随溅射气压的增大而降低。制备条件对膜光电性质的影响在固定溅射总气压的条件下，增大氧分压可以增强薄膜的紫外发光强度，增大薄膜的载流子浓度。 退火对薄膜的影响退火能显著提高薄膜晶体质量，并增强薄膜的PL发光强度和导电能力，其原因是退火能使银离子完成对锌离子的替代从而形成受主。［15］5 退火后处理对膜结构与成分的影响光敏薄膜的光电、形貌性能与退火处理密切相关，退火处理优化了薄膜表面形貌、减小了光学能隙、增大了薄膜的导电率和载流子迁移率。光敏薄膜性能的优化，有利于增大聚合物太阳电池的填充因子、开路电压和短路电流，对于提高其能量转换效率、改善器件光伏性能具有非常重要的意义。［16］分别对较低氧分压反应磁控溅射制备的 薄膜进行氧化性气氛和惰性气氛退火。通过XRD和SEM 分析，发现氧化性气氛退火薄膜为表面多孔的金红石结构 ，而惰性气氛退火薄膜表面较为致密，结构分析不仅观察到金红石结构的 ，还发现了四方结构的 。XPS表面分析进一步表明，氧化性气氛退火后，薄膜成分单一，未氧化的 完全氧化成稳定的 ，而且具有稳定结构的 薄膜表面吸附水很少。相对而言，惰性气氛退火后，薄膜表面 、 和 共存，表面化学吸附氧和吸附水较明显，薄膜的稳定性降低。［17］6 FTO导电玻璃制备相关参数根据范志新等所提出的理论表达式： 带入相关数据可得到，SnO2:F（FTO）的最佳掺杂含量为［18］通过对比总结，参考大量数据，选择溅射功率：100W，溅射压力：5Pa，溅射时间：，溅射靶距：38mm［13、19］做产品。进行相关参数的选择与优化。7 参考文献1、张志海， 热解法制备氟掺杂二氧化锡导电薄膜及其性能研究 合肥工业大学2、汪振东， 玻璃基TiO<,2>-SiO<,2>/SnO<,2>：F薄膜的喷雾热分解法制备和表征 武汉理工大学3、郝喜红， 喷雾热解法制备掺杂二氧化锡导电薄膜 西安建筑科技大学4、张明福等， 透明导电氧化物薄膜研究的新进展 压电与声光5、方俊 杨万莉， n型透明导电氧化物薄膜的研究新进展 陶瓷6、苗莉等， SnO2:F导电薄膜的制备方法和性能表征 材料导报7、Yadav A A，Masumdar E U，Moholkar A V，et a1．Effect of quantity of spraying solution on the properties of spray deposited fluorine doped tin oxide thin films[J]．Physiea B：Condensed Matter，2009，404(12—13)：1874 - 1877．8、Moholkar A V，Pawar S M，Rajpure K Y，et 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广西师范大学学报（自然科学版）

(一）摘要摘要是毕业设计（论文）主要信息的简要陈述，具有独立性和完整性。摘要内容包括本论文研究目的、方法、结果、结论四部分。千万不要讲一些人们已经做过的工作。要开门见山地讲本文的主要工作。摘要分中文摘要和外文摘要，中文摘要在前，一般300字左右，外文摘要另起一页，内容应与中文摘要对应。（二）正文毕业论文正文部分包括前言、主体和结论。前言作为开场白，应以简短的篇幅，说明毕业论文选题的目的和意义、国内外文献综述、研究的内容及预期目标，要求突出重点，实事求是。主体是毕业论文的核心部分，占主要篇幅。毕业论文正文字数一般要求在15000字以上。有创新的论文，字数不受限制。文中插入的图表要符合国家标准，经过精心设计后用计算机绘制，尽量避免扫描图表。结论是整个毕业论文的最后总结，完整、准确、简洁地指出以下内容：（1）毕业论文得到的结果所揭示的原理及其普遍规律；（2）研究中有无发现例外或本文尚难以解释和解决的问题；（3）与同类研究工作的异同；（4）进一步深入研究本课题的建议。（三）参考文献毕业设计（论文）要求有10篇以上的中外文参考文献，其中至少有一篇与设计（论文）内容相关的外文文献。毕业设计（论文）引用的文献应以近期发表的与毕业设计（论文）直接有关的文献为主。凡引用本人或他人已公开或未公开发表文献中的学术思想、观点或研究方法、设计方案等，不论借鉴、评论、综述，还是用做立论依据，都应编入参考文献目录。各条文献按在论文中的文献引用序号顺序排列。