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专题.物理研究所_物理所学位论文_物理所学位论文_学位论文.推荐引用方式.GB/T7714.薛其坤.GaAs(001)表面再构和Fullerenes在半导体Si(001)及金属Cu(111)面吸咐的扫描隧道显微镜研究[D].中国科学院物理研究所.1995.入库方式：OAI收割.来源：物理研究所.
表面再构对GaAs分子束外延薄膜生长的影响.由于GaAs(111)B材料具有强压电效应、高发光效率等材料特性,可以高性能器件,因此近年来吸引了器件应用和基础研究等方面工作者广泛的注意力。.但分子束外延(MBE)生长GaAs(111)B外延层是非常困难的,这是由于同质...
GaSb(100)的表面再构.贺仲卿侯晓远丁训民.【摘要】：用低能电子衍射(LEED),光电子能谱(XPS和UPS)研究GaSb(100)表面的各种再构:c(2×6),(1×3)和(2×3)。.所有这三种再构表面都以有失列的Sb原子结尾。.在Sb气氛中退火可使分子束外延(MBE)的、表面Sb原子形成二...
表面再构对GaAs分子束外延薄膜生长的影响.牛晨亮.【摘要】：由于GaAs(111)B材料具有强压电效应、高发光效率等材料特性,可以高性能器件,因此近年来吸引了器件应用和基础研究等方面工作者广泛的注意力。.但分子束外延(MBE)生长GaAs(111)B外延层是非常...
金属诱导半导体表面再构的普适电子计数模型半导体表面一个最普遍存在的现象是发生晶格再构，它导致了表有各种不同与体内的物理性质。正是由于表面再构在基础和应用研究方有的重要性，几十年来人们做了大量的工作。由于受到多方面因素的影响，确定表面再构是一项十分复杂的任务。
硅再构表面相变和两篇论文X553163076的博客11-30524校历第十四周计划（11.25-12.01）：硅再构表面相变和两篇论文上周对Si的再构表面相关基础知识做了一些基本的学习，导师给提出了几个建议。本次周报主要针对硅再构...
超构表面器件高效设计和大面积研究取得进展.超构表面（metasurface）作为一种人工二维材料，利用亚波长尺度的单元结构与入射电磁波的相互...
图1.hemifullerene分子在Cu(110)表面吸附，导致锯齿形台阶、增原子岛和双分子链的形成。锯齿形台阶的相邻片段、增原子岛边缘以及双分子链均平行于Cu(110)表面[-33-4]或[-334]方向。图2.hemifullerene分子吸附诱导Cu(110)表面发生手性再构的物理机制。
另外,再构表面晶胞平移基矢的研究表明,AlSb(001)-c(4×4)具有的较高对称性使其相对(4×3)再构不容易发生表面晶胞错动,尤其沿[110]方向能有效的抑制异质外延中90°位错网相对错动而形成60°位错。
6、什么是表面弛豫与表面再构？作用结果如何？表面弛豫作用：垂直表面方向以周期方式移动（体相层间距的10%）。结果：层间距，键角改变；最近临数目，转动对称性未变。表面再构：表面原子重新排列，新的平衡位置表现为沿表面产生了横移，二维周期性
专题.物理研究所_物理所学位论文_物理所学位论文_学位论文.推荐引用方式.GB/T7714.薛其坤.GaAs(001)表面再构和Fullerenes在半导体Si(001)及金属Cu(111)面吸咐的扫描隧道显微镜研究[D].中国科学院物理研究所.1995.入库方式：OAI收割.来源：物理研究所.
表面再构对GaAs分子束外延薄膜生长的影响.由于GaAs(111)B材料具有强压电效应、高发光效率等材料特性,可以高性能器件,因此近年来吸引了器件应用和基础研究等方面工作者广泛的注意力。.但分子束外延(MBE)生长GaAs(111)B外延层是非常困难的,这是由于同质...
GaSb(100)的表面再构.贺仲卿侯晓远丁训民.【摘要】：用低能电子衍射(LEED),光电子能谱(XPS和UPS)研究GaSb(100)表面的各种再构:c(2×6),(1×3)和(2×3)。.所有这三种再构表面都以有失列的Sb原子结尾。.在Sb气氛中退火可使分子束外延(MBE)的、表面Sb原子形成二...
表面再构对GaAs分子束外延薄膜生长的影响.牛晨亮.【摘要】：由于GaAs(111)B材料具有强压电效应、高发光效率等材料特性,可以高性能器件,因此近年来吸引了器件应用和基础研究等方面工作者广泛的注意力。.但分子束外延(MBE)生长GaAs(111)B外延层是非常...
金属诱导半导体表面再构的普适电子计数模型半导体表面一个最普遍存在的现象是发生晶格再构，它导致了表有各种不同与体内的物理性质。正是由于表面再构在基础和应用研究方有的重要性，几十年来人们做了大量的工作。由于受到多方面因素的影响，确定表面再构是一项十分复杂的任务。
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图1.hemifullerene分子在Cu(110)表面吸附，导致锯齿形台阶、增原子岛和双分子链的形成。锯齿形台阶的相邻片段、增原子岛边缘以及双分子链均平行于Cu(110)表面[-33-4]或[-334]方向。图2.hemifullerene分子吸附诱导Cu(110)表面发生手性再构的物理机制。
另外,再构表面晶胞平移基矢的研究表明,AlSb(001)-c(4×4)具有的较高对称性使其相对(4×3)再构不容易发生表面晶胞错动,尤其沿[110]方向能有效的抑制异质外延中90°位错网相对错动而形成60°位错。
6、什么是表面弛豫与表面再构？作用结果如何？表面弛豫作用：垂直表面方向以周期方式移动（体相层间距的10%）。结果：层间距，键角改变；最近临数目，转动对称性未变。表面再构：表面原子重新排列，新的平衡位置表现为沿表面产生了横移，二维周期性
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