纳米体硅CMOS工艺逻辑电路单粒子效应研究.【摘要】:空间辐射环境对宇航电子系统构成严峻的可靠性威胁。.纳米集成电路具有高性能、高集成度等优点,是未来宇航电子系统的必然选择。.辐射效应严重影响纳米集成电路的可靠性,尤其是单粒子效应,限制它...
CMOS绝热逻辑及其功率时钟电路的分析与研究,CMOS,绝热逻辑,IERL,触发器,功率时钟。分析了几种典型的CMOS绝热逻辑电路的工作原理及能耗组成,选定ECRL电路作为研究重点,与其它绝热电路相比,这种电路…
基于神经MOS管的多值逻辑电路设计和研究,多值逻辑,低功耗,CMOS电路,神经MOS晶体管,组合逻辑电路。近几十年来,基于二值逻辑理论的VLSI电路技术获得了惊人的发展。虽然按比例缩小理论在增强器件性能方面取得很大成功,但随着...
二、实践要求所完成的电路设计包括逻辑表达式,真值表,电路原理图及曲线图,版图,LVS报告,后曲线及分析。负载要求可驱动1pF电容,在测试中分别加载1fF,100fF,500fF,0.5pF,1pF,2pF电容,进行延时以及曲线slop等比较。
CMOS忆阻器混合逻辑门及其在数字电路设计中的应用.胡智鹏.【摘要】:忆阻器具有面积小、功耗低、可扩展性强等优点,其开关特性又使其具有逻辑功能;CMOS具有高可靠性、易控制性、便于工业大规模生产等优点。.忆阻器和CMOS具有良好的兼容性,结合二者优势的...
本科cmos加法电路的设计与研究.pdf,西南交通大学毕业设计(论文)CMOS加法电路的设计与研究年级:2005级学号:20052541姓名:李阳专业:电子科学与技术(微电子技术方向)指导老师:白天蕊二零零九年六月西南交通大学本科毕业...
上面介绍了PMOS和NMOS基本概念,接下来介绍CMOS构成的逻辑门电路。首先是CMOS非门电路,也叫反相器,结构图如下:CMOS非门电路VT1是PMOS管,VT2是NMOS管,电源输入端A分别与MOS管的G极连接,电路的输出端分别与MOS管的D极相连...
应召唤而生的MOS与CMOS逻辑电路其实几乎同继电器逻辑一样,如果我们把NMOS画成继电器那就是这样的:圆圈中的N表明源极S和漏极D都参杂成n型区。栅极处于正电位对应逻辑1(实际电路中使用的电压已经从5伏降到3.3伏或2.7伏或更低)。
来源:内容由半导体行业观察(ID:icbank)授权转载自【haikun01】,作者贾海昆,谢谢!本期ISSCC论文解读有幸邀请到中科院半导体所的祁楠教授。祁楠师兄博士毕业于清华大学微电子所,并随后在美国的高校、企业…
电路设计的毕业论文.docx,2019年电路设计的毕业论文【摘要】组合逻辑电路在实际设计环节中,常会遇到TTL集成电路与CMOS集成电路的电平转换,输入和输出接口等一些实际操作方面的问题,本文就这些实际问题进行分析并介绍相应的解决方法。
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二、实践要求所完成的电路设计包括逻辑表达式,真值表,电路原理图及曲线图,版图,LVS报告,后曲线及分析。负载要求可驱动1pF电容,在测试中分别加载1fF,100fF,500fF,0.5pF,1pF,2pF电容,进行延时以及曲线slop等比较。
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上面介绍了PMOS和NMOS基本概念,接下来介绍CMOS构成的逻辑门电路。首先是CMOS非门电路,也叫反相器,结构图如下:CMOS非门电路VT1是PMOS管,VT2是NMOS管,电源输入端A分别与MOS管的G极连接,电路的输出端分别与MOS管的D极相连...
应召唤而生的MOS与CMOS逻辑电路其实几乎同继电器逻辑一样,如果我们把NMOS画成继电器那就是这样的:圆圈中的N表明源极S和漏极D都参杂成n型区。栅极处于正电位对应逻辑1(实际电路中使用的电压已经从5伏降到3.3伏或2.7伏或更低)。
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电路设计的毕业论文.docx,2019年电路设计的毕业论文【摘要】组合逻辑电路在实际设计环节中,常会遇到TTL集成电路与CMOS集成电路的电平转换,输入和输出接口等一些实际操作方面的问题,本文就这些实际问题进行分析并介绍相应的解决方法。