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AlGaN/GaN异质结构材料与器件研究-AlGaN／GaN异质结构材料体系由于其应用在高温、高频、大功率等方面的优越性，受到越来越多关注，对该材料体系和器件的研究已成为微电子研究领域的前沿和热点。本论文对AlGaN／GaN异质结材料及器...
AlGaN/GaNHEMT器件的高温小信号模型分析[J].中国科技论文在线精品论文，2021，14（2）：253-260.【全文下载】【在线浏览】
AlGaN隧穿结的设计和特性优化.【摘要】：AlGaN半导体材料作为第三代宽禁带半导体的代表,具有直接带隙宽、原子键强、热导率高、化学稳定性好(几乎不被任何酸腐蚀)以及抗辐照能力强等物理性质,在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的...
AlGaN基深紫外半导体激光器有着巨大的应用市场,例如化学分析,医疗诊断设备,生物试剂检测系统,高密度数据存储,水净化和材料处理等方面。AlGaN拥有相对较宽的禁带宽度,通过调节AlGaN中Al组分的含量,可以使激光器辐射出深紫外波段（280nm）的...
AlGaN/GaN异质结场效应晶体管TCAD与建模WeiweiKuang这是一篇北卡罗莱纳州立大学研究生院的研究生毕业论文，是博士学位要求完成的一部分。.电气工程罗利北卡罗莱纳州立大学2008年3月审核人委员会主席RobertJ.Trew博士委员会副主席GriffL.Bilbro博士Doug...
硕士博士毕业论文—AlGaN/GaNHEMT器件可靠性研究摘要第1-7页Abstract第7-12页第一章绪论第12-26页1.1GaN基HEMT器件的研究背景及研究意义
本论文从GaN基功率器件的研究进展和面临的技术挑战出发，基于能带工程，首先研究了增强型器件用Ga面极性InGaN/AlGaN/GaN异质结构材料的设计原则，之后探究了N面极性GaN/AlGaN/GaNHEMT材料结构中二维空穴气（2DHG）和2DEG的浓度
AlGaN势垒层的相对介电常数正比于AlGaN势垒层的应变。当AlGaN势垒层的应变受到热退火处理而减小时,AlGaN势垒层的相对介电常数也随之减小当AlGaN势垒层完全驰豫时,AlGaN势垒层的相对介电常数会变为定值,不再受退火时间的影响。然而当样品在800。
在此背景下，本论文对AlGaN/GaNHEMT器件的温度特性进行较为深入的研究。希望通过该研究，改善GaN基HEMT器件的工作温度，提高器件在高压大功率条件下的性能。
论文|硅基GaN薄膜及紫外探测器的初步研究论文|GaN材料及MSM结构紫外光电探测器的研究与论文|AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的模型研究论文|AlGaN/GaNHEMT器件物理模型和关键工艺…
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AlGaN势垒层的相对介电常数正比于AlGaN势垒层的应变。当AlGaN势垒层的应变受到热退火处理而减小时,AlGaN势垒层的相对介电常数也随之减小当AlGaN势垒层完全驰豫时,AlGaN势垒层的相对介电常数会变为定值,不再受退火时间的影响。然而当样品在800。
在此背景下，本论文对AlGaN/GaNHEMT器件的温度特性进行较为深入的研究。希望通过该研究，改善GaN基HEMT器件的工作温度，提高器件在高压大功率条件下的性能。
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