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ALD原子层沉积技术的应用.NANO-MASTERALD原子层沉积应用吴运祥2017年7月26日f概述ThemainindustrialapplicationofALDisinthemanufactureofsemiconductordevices,bothmemorydevicesandmicroprocessors.TFELdisplayshavebeenmanufacturedforover20yearsusingALDtechnology.Thereadheadsofharddisk...
1.6课题的意义及论文主要工作由于ALD沉积薄膜具有巨大的实用和商业价值，国内也有较多关于ALD工艺的研究[40-42]，但目前国内的ALD设备主要来源于购买国外的产品，而国内在设备自主开发方面有所欠缺。
ALD淀积温度对HfO2高k栅介质材料特性的影响.收稿日期:20110114网络出版时间:20111221基金项目:国家自然科学基金资助项目60976068教育部科技创新工程重大项目培育资金资助项目708083教育部博士点基金资助项作者简介:匡潜玮1983-男西安电子科技大学博士研究生...
《ALD原子层沉积综述》.ppt,ALD原子层沉积综述ALD原子层沉积综述及实验进展ALD发展过程简介ALD反应过程ALD的自限制性及其特点ALD的前驱体ALD技术的发展ALD技术的应用试验过程ALD发展过程简介原子层淀积(ALD)是一种基于表面气相...
在界面调控方法方面，ALD已经发展出包覆法、超薄修饰法、选择性ALD、模板辅助ALD和模板-牺牲层辅助ALD等多种策略，能够获得具有核壳、倒载金属、氧化物阱限域金属、多孔三明治、氧化物管多重限域、管套管式多界面和空间分离多界面等多种结构。
其核心便是：如何使粉末材料在ALD前驱体中保持良好的分散并完成高效的包覆。为此，学界给出了多种方案，由于粉末原子层沉积的基本原理与平面ALD大致相同，因此其主要差别在于粉末反应腔的设计，大致可分为：固定床，流化床，旋转式，振动式，空间隔离式等。
方国勇课题组在原子层沉积（ALD）理论研究方面取得系列研究进展.日期：2016-04-26阅读：756次.原子层沉积（AtomicLayerDeposition，ALD）因在原子尺度精确控制纳米材料中的应用而成为纳米技术的热点。.作为原子层沉积的重要研究方向之一，理论计算与模拟...
原子层沉积（ALD）：能源转换和存储器件上的纳米工程技术.2016年09月29日byMaterialsViewsEditorialDepartment.尽管化石在我们日常生活所需能源中仍然占据主导地位，但是可持续再生能源技术的开发和利用将对未来经济的发展起着至关重要的作用。.为了能够...
基于ALD生长的氧化铪薄膜器件的电学特性研究.张冠群.【摘要】：随着信息时代的到来,数据爆发性的增长要求非易失性存储器(Non-volatilememory,NVM)在开发更高的存储密度等方面快速提升。.但是随着摩尔定律极限的接近,器件尺寸的等比例缩小对器件性能产生了...
本论文基于原子层沉积技术以及当今主流高k材料,进行了新型高k材料,AlN的原子层沉积技术研究。本文主要是利用原子层沉积(AtomicLayerDeposition,ALD)在硅片上沉积AlN薄膜,并经过涂胶、光刻、显影、金属蒸镀等过程成电容,通过原子力显微镜AFM扫描其表面形貌,测试电容的电学特性参数曲线来...
ALD原子层沉积技术的应用.NANO-MASTERALD原子层沉积应用吴运祥2017年7月26日f概述ThemainindustrialapplicationofALDisinthemanufactureofsemiconductordevices,bothmemorydevicesandmicroprocessors.TFELdisplayshavebeenmanufacturedforover20yearsusingALDtechnology.Thereadheadsofharddisk...
1.6课题的意义及论文主要工作由于ALD沉积薄膜具有巨大的实用和商业价值，国内也有较多关于ALD工艺的研究[40-42]，但目前国内的ALD设备主要来源于购买国外的产品，而国内在设备自主开发方面有所欠缺。
ALD淀积温度对HfO2高k栅介质材料特性的影响.收稿日期:20110114网络出版时间:20111221基金项目:国家自然科学基金资助项目60976068教育部科技创新工程重大项目培育资金资助项目708083教育部博士点基金资助项作者简介:匡潜玮1983-男西安电子科技大学博士研究生...
《ALD原子层沉积综述》.ppt,ALD原子层沉积综述ALD原子层沉积综述及实验进展ALD发展过程简介ALD反应过程ALD的自限制性及其特点ALD的前驱体ALD技术的发展ALD技术的应用试验过程ALD发展过程简介原子层淀积(ALD)是一种基于表面气相...
在界面调控方法方面，ALD已经发展出包覆法、超薄修饰法、选择性ALD、模板辅助ALD和模板-牺牲层辅助ALD等多种策略，能够获得具有核壳、倒载金属、氧化物阱限域金属、多孔三明治、氧化物管多重限域、管套管式多界面和空间分离多界面等多种结构。
其核心便是：如何使粉末材料在ALD前驱体中保持良好的分散并完成高效的包覆。为此，学界给出了多种方案，由于粉末原子层沉积的基本原理与平面ALD大致相同，因此其主要差别在于粉末反应腔的设计，大致可分为：固定床，流化床，旋转式，振动式，空间隔离式等。
方国勇课题组在原子层沉积（ALD）理论研究方面取得系列研究进展.日期：2016-04-26阅读：756次.原子层沉积（AtomicLayerDeposition，ALD）因在原子尺度精确控制纳米材料中的应用而成为纳米技术的热点。.作为原子层沉积的重要研究方向之一，理论计算与模拟...
原子层沉积（ALD）：能源转换和存储器件上的纳米工程技术.2016年09月29日byMaterialsViewsEditorialDepartment.尽管化石在我们日常生活所需能源中仍然占据主导地位，但是可持续再生能源技术的开发和利用将对未来经济的发展起着至关重要的作用。.为了能够...
基于ALD生长的氧化铪薄膜器件的电学特性研究.张冠群.【摘要】：随着信息时代的到来,数据爆发性的增长要求非易失性存储器(Non-volatilememory,NVM)在开发更高的存储密度等方面快速提升。.但是随着摩尔定律极限的接近,器件尺寸的等比例缩小对器件性能产生了...
本论文基于原子层沉积技术以及当今主流高k材料,进行了新型高k材料,AlN的原子层沉积技术研究。本文主要是利用原子层沉积(AtomicLayerDeposition,ALD)在硅片上沉积AlN薄膜,并经过涂胶、光刻、显影、金属蒸镀等过程成电容,通过原子力显微镜AFM扫描其表面形貌,测试电容的电学特性参数曲线来...
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