发表服务
毕业设计（论文）《半导体器件封装的可靠性研究》.doc,PAGE无锡工艺职业技术学院电子信息工程系毕业设计论文半导体器件封装的可靠性研究专业名称应用电子技术学生姓名学号指导教师毕业设计时间2012年2月20日~6月12日摘要半导体...
半导体器件制造工艺及设备论文栏目下面包含有约827篇半导体器件制造工艺及设备硕士学位论文和博士学位论文，或是相关的...
【毕业论文】MOSFET器件及其开关电源设计论文.doc,lMOSFET器件及其开关电源设计与制作摘要：MOSFTE器件从发明以来因其控制电路简单、开关频率快等各方面优点，受到电子设计者的青睐，在通信、控制、电源等领域得到广泛应用。本文针对...
设计（论文）题目：半导体封装技术分析与研究毕业设计（论文）任务书专业微电子技术班级微电081姓名一、课题名称：半导体封装技术分析与研究二、主要技术指标：1．封装的工艺流程；2．封装的技术分类；3．封装的形式、材料、设备；4．封装过程
硕士学位论文（工程硕士）高压VDMOS的设计与工艺DESIGNPROCESSSIMULATIONHIGHVOLTAGEVDMOS哈尔滨工业大学2010国内图书分类号：TN432学校代码：10213国际图书分类号：621.3.049.774密级：公开硕士学位论文（工程...
本科毕业论文(设计)题目：SilvacoTCAD基CMOS器件学院：物理科学学院专业：姓名：指导教师：2014青岛大学毕业论文(设计)任务书学生姓名:同组学生:指导教师:下发日期:2014MOS场效应晶体管的结构与性能模拟研摘要：本文主要介绍了...
毕业设计论文论文SilvacoTCAD基CMOS器件.doc,PAGE本科毕业论文(设计)题目：SilvacoTCAD基CMOS器件学院：物理科学学院专业：姓名：指导教师：2014年5月16日青岛大学毕业论文(设计)任务书院系:物理科学学院专业...
毕业设计（论文）说明书题目：基于单片机的半导体气体传感器算法电路设计系名信息工程系专业电子科学与技术学号6010202028学生姓名指导教师2014年5月15日天津大学仁爱学院2010届本科学生毕业论文（设计）PAGEPAGE1摘要随着工业的发展排放的废气也与日俱增，这些废…
摘要：随着半导体器件的飞速发展，第一、二代半导体材料在高温、辐射和高频率下工作特不能满足需求，而新型半导体材料SiC的出现改变了这一局面。本文主要阐述了碳化硅宽禁带半导体材料的结构性质及重要应用，并分析了碳化硅材料的主流方法，最后讨
文秘帮半导体论文范文,1980年前,我国半导体产业已经形成较完整的包括设备原料制造工艺等方面的科研和生产体系,主要分布于原电子部信息产业部中国科。半导体论文_物理_自然科学_专业资料半导…
毕业设计（论文）《半导体器件封装的可靠性研究》.doc,PAGE无锡工艺职业技术学院电子信息工程系毕业设计论文半导体器件封装的可靠性研究专业名称应用电子技术学生姓名学号指导教师毕业设计时间2012年2月20日~6月12日摘要半导体...
半导体器件制造工艺及设备论文栏目下面包含有约827篇半导体器件制造工艺及设备硕士学位论文和博士学位论文，或是相关的...
【毕业论文】MOSFET器件及其开关电源设计论文.doc,lMOSFET器件及其开关电源设计与制作摘要：MOSFTE器件从发明以来因其控制电路简单、开关频率快等各方面优点，受到电子设计者的青睐，在通信、控制、电源等领域得到广泛应用。本文针对...
设计（论文）题目：半导体封装技术分析与研究毕业设计（论文）任务书专业微电子技术班级微电081姓名一、课题名称：半导体封装技术分析与研究二、主要技术指标：1．封装的工艺流程；2．封装的技术分类；3．封装的形式、材料、设备；4．封装过程
硕士学位论文（工程硕士）高压VDMOS的设计与工艺DESIGNPROCESSSIMULATIONHIGHVOLTAGEVDMOS哈尔滨工业大学2010国内图书分类号：TN432学校代码：10213国际图书分类号：621.3.049.774密级：公开硕士学位论文（工程...
本科毕业论文(设计)题目：SilvacoTCAD基CMOS器件学院：物理科学学院专业：姓名：指导教师：2014青岛大学毕业论文(设计)任务书学生姓名:同组学生:指导教师:下发日期:2014MOS场效应晶体管的结构与性能模拟研摘要：本文主要介绍了...
毕业设计论文论文SilvacoTCAD基CMOS器件.doc,PAGE本科毕业论文(设计)题目：SilvacoTCAD基CMOS器件学院：物理科学学院专业：姓名：指导教师：2014年5月16日青岛大学毕业论文(设计)任务书院系:物理科学学院专业...
毕业设计（论文）说明书题目：基于单片机的半导体气体传感器算法电路设计系名信息工程系专业电子科学与技术学号6010202028学生姓名指导教师2014年5月15日天津大学仁爱学院2010届本科学生毕业论文（设计）PAGEPAGE1摘要随着工业的发展排放的废气也与日俱增，这些废…
摘要：随着半导体器件的飞速发展，第一、二代半导体材料在高温、辐射和高频率下工作特不能满足需求，而新型半导体材料SiC的出现改变了这一局面。本文主要阐述了碳化硅宽禁带半导体材料的结构性质及重要应用，并分析了碳化硅材料的主流方法，最后讨
文秘帮半导体论文范文,1980年前,我国半导体产业已经形成较完整的包括设备原料制造工艺等方面的科研和生产体系,主要分布于原电子部信息产业部中国科。半导体论文_物理_自然科学_专业资料半导…
发表服务