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论文首先分析了12寸晶圆厂铜互连工艺流程，然后结合制造工艺研究了金属并行互连线间击穿原理及其造成器件功能失效的机制。金属并行互连线间击穿电压过小会导致器件性能过早下降甚至失效，泄漏电荷的存在和局部金属线间距过窄是造成击穿电压过小的主要原因。
IC中铜互连的热应力可靠性研究.侯通贤.【摘要】：当集成电路(IC)工艺特征尺寸到达65nm节点及以下时,铜金属成为集成电路主导的互连材料。.在Cu互连系统中,与热应力有关的应力诱生空洞(SIV)或者应力迁移(SM)为影响互连可靠性的主要问题。.本文基于Cu的随动...
IC中铜互连的热应力可靠性研究,铜互连,应力诱生空洞,有限元分析,热应力。当集成电路(IC)工艺特征尺寸到达65nm节点及以下时,铜金属成为集成电路主导的互连材料。在Cu互连系统中,与热应力有...
本论文将对65纳米量产过程中出现的工艺问题，诸如如何提高STIHDP填充能力、改善STIHDPOxide损伤、降低接触孔阻值以及铜互连引线问题进行研究。进入纳米时代，STI变得深且窄，填洞能力受到极大的挑战，除了受设备性能的要求，STI的深度和宽度也会影响填充效果。
65nm集成电路技术中PVD铝工艺及其优化.李其红.【摘要】：在IC制造中,几乎所有的半导体器件在其制造过程中都会用PVD工艺来淀积多层金属层,用来做连线或配线。.目前,用PVD工艺所淀积的铝(Al)金属层作为连线材料,仍然广泛用于DRAM和flash等存储器,以及0.13um逻辑...
0.13um铜互连工艺的研究和改善.复旦大学硕士学位论文0.13um铜互连工艺的研究和改善姓名：奚民伟申请学位级别：硕士专业：电子与通信工程指导教师：张卫20070331论文独创性声明本论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果．论文中除了...
硕士学位论文（专业学位）铜互连技术的扩散阻挡层工艺研究电子与通讯工程学校代码王奇峰指导教师：李炳宗教授李鹤鸣／王继明商工完成日期：2005年11月10日铜互连技术的扩敝阻挡层工艺研究王奇峰董盟大学研究生院摘要集成电路发展，要求不断提齑集成度和速度，茭途径为器件微夺型化。
新型铜互连方法——电化学机械抛光技术研究进展.许旺张楷亮杨保和.【摘要】：多孔低介电常数的介质引入硅半导体器件给传统的化学机械抛光(CMP)技术带来了巨大的挑战,低k介质的脆弱性难以承受传统CMP技术所施加的机械力。.一种结合了电化学和机械...
低κ介质与铜互连集成工艺.pdf,维普资讯纳米器件与技术noelectronicDevice＆Technology低k介质与铜互连集成工艺孙鸣，刘玉岭，刘博，贾英茜(河北工业大学微电子所，天津300130)摘要：阐明了低k介质与铜互连集成工艺取代传统铝工艺在集成...
优秀硕士论文库—《铜互连技术中接触孔钨填充工艺研究》摘要第1-5页Abstract第5-7页第一章绪论第7-24页1.1集成电路发展简史第7-9页
论文首先分析了12寸晶圆厂铜互连工艺流程，然后结合制造工艺研究了金属并行互连线间击穿原理及其造成器件功能失效的机制。金属并行互连线间击穿电压过小会导致器件性能过早下降甚至失效，泄漏电荷的存在和局部金属线间距过窄是造成击穿电压过小的主要原因。
IC中铜互连的热应力可靠性研究.侯通贤.【摘要】：当集成电路(IC)工艺特征尺寸到达65nm节点及以下时,铜金属成为集成电路主导的互连材料。.在Cu互连系统中,与热应力有关的应力诱生空洞(SIV)或者应力迁移(SM)为影响互连可靠性的主要问题。.本文基于Cu的随动...
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本论文将对65纳米量产过程中出现的工艺问题，诸如如何提高STIHDP填充能力、改善STIHDPOxide损伤、降低接触孔阻值以及铜互连引线问题进行研究。进入纳米时代，STI变得深且窄，填洞能力受到极大的挑战，除了受设备性能的要求，STI的深度和宽度也会影响填充效果。
65nm集成电路技术中PVD铝工艺及其优化.李其红.【摘要】：在IC制造中,几乎所有的半导体器件在其制造过程中都会用PVD工艺来淀积多层金属层,用来做连线或配线。.目前,用PVD工艺所淀积的铝(Al)金属层作为连线材料,仍然广泛用于DRAM和flash等存储器,以及0.13um逻辑...
0.13um铜互连工艺的研究和改善.复旦大学硕士学位论文0.13um铜互连工艺的研究和改善姓名：奚民伟申请学位级别：硕士专业：电子与通信工程指导教师：张卫20070331论文独创性声明本论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果．论文中除了...
硕士学位论文（专业学位）铜互连技术的扩散阻挡层工艺研究电子与通讯工程学校代码王奇峰指导教师：李炳宗教授李鹤鸣／王继明商工完成日期：2005年11月10日铜互连技术的扩敝阻挡层工艺研究王奇峰董盟大学研究生院摘要集成电路发展，要求不断提齑集成度和速度，茭途径为器件微夺型化。
新型铜互连方法——电化学机械抛光技术研究进展.许旺张楷亮杨保和.【摘要】：多孔低介电常数的介质引入硅半导体器件给传统的化学机械抛光(CMP)技术带来了巨大的挑战,低k介质的脆弱性难以承受传统CMP技术所施加的机械力。.一种结合了电化学和机械...
低κ介质与铜互连集成工艺.pdf,维普资讯纳米器件与技术noelectronicDevice＆Technology低k介质与铜互连集成工艺孙鸣，刘玉岭，刘博，贾英茜(河北工业大学微电子所，天津300130)摘要：阐明了低k介质与铜互连集成工艺取代传统铝工艺在集成...
优秀硕士论文库—《铜互连技术中接触孔钨填充工艺研究》摘要第1-5页Abstract第5-7页第一章绪论第7-24页1.1集成电路发展简史第7-9页
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