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关键词光电效应；饱和光电流；光电效率；光强3362013年全国高等学校物理基础课程教育学术研讨会论文集10008006002000ll～．1LLL【400450500550波长／nm图1汞灯的发光光谱图…
光电效应中饱和光电流与入射光频率的关系研究.李曙光.【摘要】：指出了关于饱和光电流随入射光频率变化的几种不正确的认识,给出了光强一饱和光电流随入射光频率变化的正确规律并作了解释。.下载App查看全文.下载全文更多同类文献.PDF全文下载...
饱和光电流随入射光频率的变化是几个因素共同作用的结果不能简单地得出它是随入射光频率的增大而增大、减小或不变的结论.是由于没有注意到物理规律成立的条件或者只强调引起饱和光电流变化的其中一个因素,而忽略了多种因素的共同作用.那么,关于...
研究结果表明，光强一，饱和光电流既与光子数有关又与光电效率有关，其中光电效率占据主要地位．.关键词光电效应；饱和光电流；光电效率；光强3362013年全国高等学校物理基础课程教育学术研讨会论文集1000800600一囊・。.o200l～．1L咖...
可见，对一定的频率，存在一电压U0，当UAKU0时，电流为零，U0被称为截止电压，它与阴极材料的构成有关。（2）当UAKU0后，I迅速增加，然后趋于饱和，饱和光电流IM的大小与入射光的强度P成正比。（3）对于不同频率的光，其截止电压的值不同，如
在电流一节中我们推导过电流的微观表达式I=nqv（n为单位长度内电荷数，v为电荷定向移动速率）。受此影响，单纯看到速度增大，电流增大。其实决定电流大小的因素不仅有v，还有n。2、增大电压为什么不改变饱和光电流
形成光电流，光电效应有以下实验规律；1)在光强P一，随着U的增大，光电流逐渐增大到饱和，饱和电流与入射光强成正比。2)在光电管两端加反向电压是，光电流变小，在理想状态下，光电流减小到零时说明电子无法打到A,此时eUo=1/2mv^2。
光电流测试I-T曲线测试原理已经有11人回复半导体折射率与禁带宽度的关系已经有18人回复急切求助！IPCE的值与光电流密度之间估算的问题已经有6人回复电化学工作站测Ti2O纳米棒阵列光电流…
我想测样品（商用P25）的光电流密度，用的CHI660e电化学工作站，0.5M硫酸钠溶液做电解液，对电极是Pt，参比电极是饱和甘共电极，样品粘在FTO玻璃上作为工作电极，测试中光源用的泊菲莱的Xe灯，现在我遇到的第一个问题是：光电流密度测试是...
在书上看到光电子发射是由于一束能量超过材料光学带隙的光照在材料导致电子从材料中逸出，由此产生一些困惑：1，只要能量大于获等于材料光学禁带的光就能使价带中的电子逸出，那么是否能量越大的光照射材料，溢出的电子数量越多？2，如果这样的话，红外探测器岂不是对紫外光也有反应？
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形成光电流，光电效应有以下实验规律；1)在光强P一，随着U的增大，光电流逐渐增大到饱和，饱和电流与入射光强成正比。2)在光电管两端加反向电压是，光电流变小，在理想状态下，光电流减小到零时说明电子无法打到A,此时eUo=1/2mv^2。
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