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这个问题在槽拐角处更严重。.在高4H．SiC功率MOSFET特性研究与器件模拟漏压下造成栅氧化层迅速击穿，这样，最大工作电压限制在小于理想击穿电压的40％；（2）沿着槽侧壁反型沟道中的载流子迁移率很低，这样就导致高的特征导通电阻，使SiC低漂移区电阻的...
此外,介绍氧化薄膜及其界面处的缺陷电荷引起SiCMOS器件的击穿及各类击穿模型。.本文将基于E模型对栅氧化层的抗击穿特性及其可靠性进行研究。.二、为了开发出稳定且可重复的高温栅氧氧化工艺,本文进行了1200℃～1550℃下4H-SiCMOS电容的高温氧化实验,通过...
1.提出一种集成肖特基二极管的槽栅SiCMOSFET器件(TrenchMOSFETwithSBD,S-TMOS),该结构的特征在于槽栅侧壁的P型屏蔽层和元胞表面的肖特基接触。.当器件处于耐压状态时,槽栅侧壁的P型屏蔽层与N型外延层相互耗尽,一方面可以有效保护肖特基结不受高电场的影响,另一...
器件为金属镍(Ni)与4H—SiC形成的肖特基接触.JTE终端结构的碳化硅肖特基二极管器件结构截面图如图1所示,器件的碳化硅衬底掺杂浓度为.310一1980期张芳,等:JTE结构4H—SiC肖特基二极管的研究171构进行二维分析,优化引入的P区杂质浓度,结深,无终端和JTE...
用于功率集成电路应用的600伏、10安、4H-碳化硅横向单沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的演示和分析摘要:本文报道了一个具有大电流处理能力(10A)的600伏4H-碳化硅横向场效应晶体管的演示。
米格实验室由中科院、清华、北大多家实验室合作组建，为客户提供基础科研服务与技术解决方案。米格管理团队来自国内顶级研发机构及检测中心，专业、共享、创新，让我们一起缔造一个更加美好的科研生态。我们的服务具有全国最顶尖科研设备、中科院技术团队、7x24全时服务、30分钟内响应...
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1.提出一种集成肖特基二极管的槽栅SiCMOSFET器件(TrenchMOSFETwithSBD,S-TMOS),该结构的特征在于槽栅侧壁的P型屏蔽层和元胞表面的肖特基接触。.当器件处于耐压状态时,槽栅侧壁的P型屏蔽层与N型外延层相互耗尽,一方面可以有效保护肖特基结不受高电场的影响,另一...
器件为金属镍(Ni)与4H—SiC形成的肖特基接触.JTE终端结构的碳化硅肖特基二极管器件结构截面图如图1所示,器件的碳化硅衬底掺杂浓度为.310一1980期张芳,等:JTE结构4H—SiC肖特基二极管的研究171构进行二维分析,优化引入的P区杂质浓度,结深,无终端和JTE...
用于功率集成电路应用的600伏、10安、4H-碳化硅横向单沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的演示和分析摘要:本文报道了一个具有大电流处理能力(10A)的600伏4H-碳化硅横向场效应晶体管的演示。
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