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2001武汉市第九届自然科学优秀论文一等奖教学资源中文主页-教学研究-教学资源半导体物理讲义发布时间：2021-05-26点击次数：资源类型：课件地址：湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号邮政编码：430074访问量：|开通时间：--|最后更新...
武汉大学物理科学与技术学院-量子物质能量转换协同创新中心-新型能源材料器件与系统集成方向-能源材料与半导体器件团队基于国家计划重点项目和湖北省技术创新专项招聘有机无机杂化钙钛矿材料、钙钛矿太阳能电池和钙钛矿发光器件领域研究人员/博士后...
全国半导体物理学术会议是由中国物理学会半导体物理专业委员会主办的全国性会议，最早由已故世界著名物理学家、国家最高科学技术奖获奖者黄昆院士于1978年倡导召开，每两年举行一次（奇数年召开），与两年一次的国际半导体物理会议（偶数年召开）交错进行。
工业科学研究院寒假《半导体器件物理》与《跨尺度计算材料模拟》培训班.为实现优质教学资源共享，开阔学生视野，丰富知识层次，促进教学发展，我院于2019年1月14日——24日，邀请知名专家学者在我院开设《半导体器件物理》与《跨尺度计算材料模拟...
半导体传感器的原理技术论文.半导体传感器的原理、应用及发展作者摘要：本文主要评述半导体传感器例如磁敏，色敏，离子敏，气敏，湿敏的传感器的原理，在机械工程中的应用及目前的发展前景。.关键词：半导体传感器，磁敏、色敏、离子敏、气敏、湿...
半导体热电材料与器件技术研究团队实验室位于武汉理工大学西院逸夫楼。团队针对在下一代光通信、自供能智能可穿戴电子产品、物联网等战略性新兴产业领域具有重要和广泛应用的半导体热电材料与微器件开展了重点研究，研究方向主要包括半导体热电材料电热输运理论及新效应、半导体热电...
德国埃尔朗根-纽伦堡大学-半导体物理与器件-博士学位-博士研究生毕业1995.3~2000.10中科院上海冶金所研究生1992.9~1995.6武汉大学硕士学位-研究生(硕士)毕业
1984年7月毕业于华中科技大学半导体物理与器件专业，1989年5月获半导体物理与器件专业硕士学位，1999年11月获物理电子学博士学位。2000年晋升教授。1984年—1986年在武汉邮电科学研究院从事光通信及光电子器件研究工作。
1984年7月毕业于华中科技大学半导体物理与器件专业，1989年5月获半导体物理与器件专业硕士学位，1999年11月获物理电子学博士学位。2000年晋升教授，2001年受聘博士生导师。1984年—1986年在武汉邮电科学研究院从事光通信及光电子器件研究
王倜,武汉大学教师个人主页系统王倜,TiWangProfile主要从事超快激光光谱学方向研究，利用超快激光光谱学的时间分辨率优势，结合实现超高的空间分辨率，同时利用角分辨光电子能谱具有倒空间的分辨率，度研究新型半导体材料及复合体系中的载流子超快动力学过程，激发后的载流子输运...
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全国半导体物理学术会议是由中国物理学会半导体物理专业委员会主办的全国性会议，最早由已故世界著名物理学家、国家最高科学技术奖获奖者黄昆院士于1978年倡导召开，每两年举行一次（奇数年召开），与两年一次的国际半导体物理会议（偶数年召开）交错进行。
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德国埃尔朗根-纽伦堡大学-半导体物理与器件-博士学位-博士研究生毕业1995.3~2000.10中科院上海冶金所研究生1992.9~1995.6武汉大学硕士学位-研究生(硕士)毕业
1984年7月毕业于华中科技大学半导体物理与器件专业，1989年5月获半导体物理与器件专业硕士学位，1999年11月获物理电子学博士学位。2000年晋升教授。1984年—1986年在武汉邮电科学研究院从事光通信及光电子器件研究工作。
1984年7月毕业于华中科技大学半导体物理与器件专业，1989年5月获半导体物理与器件专业硕士学位，1999年11月获物理电子学博士学位。2000年晋升教授，2001年受聘博士生导师。1984年—1986年在武汉邮电科学研究院从事光通信及光电子器件研究
王倜,武汉大学教师个人主页系统王倜,TiWangProfile主要从事超快激光光谱学方向研究，利用超快激光光谱学的时间分辨率优势，结合实现超高的空间分辨率，同时利用角分辨光电子能谱具有倒空间的分辨率，度研究新型半导体材料及复合体系中的载流子超快动力学过程，激发后的载流子输运...
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