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上海交通大学博士学位论文新型半导体材料的电输运特性研究姓名：潘葳申请学位级别：博士专业：凝聚态物理指导教师：沈文忠20070501上海交通大学博士毕业论文中文捅要新型半导体材料的电输运特性研究本文主要是利用不同外场条件下的直流和交流测量技术，借助于不同的理论分析手段...
完成论文目录.第135-137页.本篇论文共137页，点击这进入下载页面。.更多论文.新型半导体材料的电输运特性研究.碳纳米管的等效弹性参量和屈曲行为.产紫杉醇内生真菌的遗传转化及紫杉.利用番茄和大肠杆菌表达胸腺素α1的.蛋白质序列数据的分类预测研究.
北京交通大学博士学位论文聚合物半导体中激子离化及电荷输运特性的研究姓名：师全民申请学位级别：博士专业：光学指导教师：侯延冰20090601中文摘要中文摘要摘要：本论文研究了共轭聚合物MEH—PPV及其掺杂体系中的激子离化和载流子输运特性。
新型半导体材料的电输运特性研究.null.wwdf58.分享于2015-09-1311:20:10.0.新型半导体材料的电输运特性研究.文档格式：..pdf.文档页数：.133页.
金进生;沉积在熔融玻璃基底表面金薄膜的电输运特性[J];浙江大学学报(理学版);2003年04期2熊昌民,孙继荣,王登京,沈保根;厚度与应变效应对La_(0.67)Ca_(0.33)MnO_3薄膜电输运与居里温度的影响[J];物理学…
半导体的载流子输运特性—载流子扩散系数、少数载流子寿命和前表面复合速度是表征半导体品质及特性的重要参数，是控制微电子器件质量、性能和可靠性的关键参数。精确测量半导体的载流子输运参数也将为半导体产品生产提供可靠数据...
兰州大学博士学位论文半导体异质结二维电子气的磁输运特性研究姓名：朱博申请学位级别：博士专业：微电子学与固体电子学指导教师：张福甲;褚君浩20060501半导体异质结二维电子气的磁阻振荡是由电子的量子效应引起的，反映朗道能级态密度在费米面处...
分类号学号M201072729学校代码10487密级硕士学位论文薄倍增层APD噪声特性及半导体材料输运特性的研究学位申请人学科专业光学工程指导教师副教授答辩日期2013DissertationSubmittedPartialFulfillmentEngineeringStudy...
半导体的电子输运特性—载流子扩散系数、少数载流子寿命和前表面复合速度是表征半导体品质及特性的重要参数，是控制微电子器件质量、性能和可靠性的关键参数。所以，对这些参数的准确检测是半导体制造业中的一个重要课题。
氮化镓高压光电导材料输运特性的研究.【摘要】：氮化镓(GaN)材料的研究与应用是目前半导体研究的前沿和热点。.第三代宽禁带半导体材料氮化镓具有高电子漂移速度、临界击穿场强大、高热导率、介电常数小和良好的化学稳定性等突出优点,满足高电压、高...
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完成论文目录.第135-137页.本篇论文共137页，点击这进入下载页面。.更多论文.新型半导体材料的电输运特性研究.碳纳米管的等效弹性参量和屈曲行为.产紫杉醇内生真菌的遗传转化及紫杉.利用番茄和大肠杆菌表达胸腺素α1的.蛋白质序列数据的分类预测研究.
北京交通大学博士学位论文聚合物半导体中激子离化及电荷输运特性的研究姓名：师全民申请学位级别：博士专业：光学指导教师：侯延冰20090601中文摘要中文摘要摘要：本论文研究了共轭聚合物MEH—PPV及其掺杂体系中的激子离化和载流子输运特性。
新型半导体材料的电输运特性研究.null.wwdf58.分享于2015-09-1311:20:10.0.新型半导体材料的电输运特性研究.文档格式：..pdf.文档页数：.133页.
金进生;沉积在熔融玻璃基底表面金薄膜的电输运特性[J];浙江大学学报(理学版);2003年04期2熊昌民,孙继荣,王登京,沈保根;厚度与应变效应对La_(0.67)Ca_(0.33)MnO_3薄膜电输运与居里温度的影响[J];物理学…
半导体的载流子输运特性—载流子扩散系数、少数载流子寿命和前表面复合速度是表征半导体品质及特性的重要参数，是控制微电子器件质量、性能和可靠性的关键参数。精确测量半导体的载流子输运参数也将为半导体产品生产提供可靠数据...
兰州大学博士学位论文半导体异质结二维电子气的磁输运特性研究姓名：朱博申请学位级别：博士专业：微电子学与固体电子学指导教师：张福甲;褚君浩20060501半导体异质结二维电子气的磁阻振荡是由电子的量子效应引起的，反映朗道能级态密度在费米面处...
分类号学号M201072729学校代码10487密级硕士学位论文薄倍增层APD噪声特性及半导体材料输运特性的研究学位申请人学科专业光学工程指导教师副教授答辩日期2013DissertationSubmittedPartialFulfillmentEngineeringStudy...
半导体的电子输运特性—载流子扩散系数、少数载流子寿命和前表面复合速度是表征半导体品质及特性的重要参数，是控制微电子器件质量、性能和可靠性的关键参数。所以，对这些参数的准确检测是半导体制造业中的一个重要课题。
氮化镓高压光电导材料输运特性的研究.【摘要】：氮化镓(GaN)材料的研究与应用是目前半导体研究的前沿和热点。.第三代宽禁带半导体材料氮化镓具有高电子漂移速度、临界击穿场强大、高热导率、介电常数小和良好的化学稳定性等突出优点,满足高电压、高...
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