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分类：教育论文网→工业技术论文→无线电电子学、电信技术论文→半导体技术论文→半导体二极管论文→二极管：按结构和性能分论文半导体器件的建模、与分析:大功率LED器件与半导体压阻…
本文首先阐述了器件建模的现状和重要性，概述了目前常见的半导体器件建模方法，包括物理模型、等效电路模型与数值模型，说明了各种方法的特点。.本文的重点是探讨一种非传统的建模方法—基于知识的模糊逻辑方法。.模糊逻辑具备与神经网络相似的万能...
宽禁带半导体器件的开关过程建模与分析.【摘要】：以SiC和GaN为代表的宽禁带半导体器件相比于传统Si器件,具有高击穿电压、高饱和漂移速度、高工作频率以及高工作结温等优点,可以大幅改善电力电子系统的性能。.本文以SiCMOSFET为研究对象,研究电路中寄生...
基于宽禁带半导体氮化镓的高温电子器件建模沈鸿媛，杨杰，苑振宇，叶柠，陈云娜*（东北大学信息科学与工程学院，沈阳110819）摘要：第三代半导体材料氮化镓（GaN）具有更大的禁带宽度及更好的耐高温性能，逐渐成为半导体器件研究的热点。
半导体器件论文数值模拟论文物理参数模型论文宽禁带半导体材料论文异质结论文版权申明：目录由用户easy521magn**提供，51papers仅收录目录，作者需要删除这篇论文目录请…
【摘要】：半导体器件的特性已经成为半导体器件设计与半导体器件研究的重要手段，而且必将更加有力地推动半导体行业的发展。半导体器件特性基于准确的载流子输运方程和物理模型，使人们对半导体器件的研究更加准确、高效和方便。第三代半导体材料的出现使半导体器件的设计出现...
为了满足电力电子装置高频、高效和高功率密度的需求,宽禁带半导体器件越来越多地应用在电力电子系统中。为了更好地研究宽禁带半导体器件的电气特性,在应用中更好地发挥其性能优势,并且为电力电子系统的分析和设计提供分析手段,亟待对宽禁带半导体器件建立相应的仿
SiC功率器件建模技术研究.【摘要】：随着第三代宽禁带半导体材料的深入研究和发展,碳化硅的各项优良性能得以发掘。.碳化硅功率器件,主要包括SiCJBS,SiCMOSFET等,相较于传统硅基器件具有更高的耐压等级,更高的工作温度以及更快的开关频率和更小的功率损耗...
您当前正在查看的论文是：论文编号：XW2786773点此查看论文目录论文题目：半导体器件的建模、与分析:大功率LED器件与半导体压阻器件的研究论文分类：工业技术论文→无线电电子学、电信技术论文→半导体技术论文→半导体二极管论文→二极管：按结构和性能分论文
半导体器件的电磁热一体化建模.【摘要】：大量试验研究证明，温度发生变化的同时，半导体器件的本构参数矩阵也会发生变化，从而改变电路原有的电磁场分布特性。.电路和器件的小型化和集成化以及半导体器件的广泛运用，导致电路中的能耗密度进一步...
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本文首先阐述了器件建模的现状和重要性，概述了目前常见的半导体器件建模方法，包括物理模型、等效电路模型与数值模型，说明了各种方法的特点。.本文的重点是探讨一种非传统的建模方法—基于知识的模糊逻辑方法。.模糊逻辑具备与神经网络相似的万能...
宽禁带半导体器件的开关过程建模与分析.【摘要】：以SiC和GaN为代表的宽禁带半导体器件相比于传统Si器件,具有高击穿电压、高饱和漂移速度、高工作频率以及高工作结温等优点,可以大幅改善电力电子系统的性能。.本文以SiCMOSFET为研究对象,研究电路中寄生...
基于宽禁带半导体氮化镓的高温电子器件建模沈鸿媛，杨杰，苑振宇，叶柠，陈云娜*（东北大学信息科学与工程学院，沈阳110819）摘要：第三代半导体材料氮化镓（GaN）具有更大的禁带宽度及更好的耐高温性能，逐渐成为半导体器件研究的热点。
半导体器件论文数值模拟论文物理参数模型论文宽禁带半导体材料论文异质结论文版权申明：目录由用户easy521magn**提供，51papers仅收录目录，作者需要删除这篇论文目录请…
【摘要】：半导体器件的特性已经成为半导体器件设计与半导体器件研究的重要手段，而且必将更加有力地推动半导体行业的发展。半导体器件特性基于准确的载流子输运方程和物理模型，使人们对半导体器件的研究更加准确、高效和方便。第三代半导体材料的出现使半导体器件的设计出现...
为了满足电力电子装置高频、高效和高功率密度的需求,宽禁带半导体器件越来越多地应用在电力电子系统中。为了更好地研究宽禁带半导体器件的电气特性,在应用中更好地发挥其性能优势,并且为电力电子系统的分析和设计提供分析手段,亟待对宽禁带半导体器件建立相应的仿
SiC功率器件建模技术研究.【摘要】：随着第三代宽禁带半导体材料的深入研究和发展,碳化硅的各项优良性能得以发掘。.碳化硅功率器件,主要包括SiCJBS,SiCMOSFET等,相较于传统硅基器件具有更高的耐压等级,更高的工作温度以及更快的开关频率和更小的功率损耗...
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半导体器件的电磁热一体化建模.【摘要】：大量试验研究证明，温度发生变化的同时，半导体器件的本构参数矩阵也会发生变化，从而改变电路原有的电磁场分布特性。.电路和器件的小型化和集成化以及半导体器件的广泛运用，导致电路中的能耗密度进一步...
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