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基于能带结构理论的半导体光催化材料改性.pdf,第30卷第7期无机材料学报Vol.30No.72015年7月JournalofInorganicMaterialsJul.,2015文章编号:1000-324X(2015)07-0683-11DOI:10.15541/jim20140648基于能带结构理论的半导体光催化材料...
电阻率绝缘体半导体的能带结构与绝缘体的能带结构类似,但是禁带很窄（E0.1～2eV)。半导体1.本征半导体半导体n型半导体：四价的本征半导体Si、Ge等掺入少量五价的杂质(impurity)元素(如P、As等)就形成了电子型半导体，也称n型半导体。
半导体材料的研究综述文献综述毕业论文.doc,半导体材料的研究综述文献综述毕业论文半导体研究文献综述学院：材料科学与工程学院专业：材料化学班级：材料122姓名：刘田防学号：2012141009半导体材料的研究综述文献综述摘要：半导体材料的价值在于它的光学、电学特性可充分…
半导体物理教材上给出的可能是简化后的东西，实际上真是硅的能带结构是比较复杂的，从三维布里渊去来看，结构如下：硅的能带如下：3.重点关注电子在价带顶和导带底的行为如何用自由电子模型fit导带底和价带底的电子：kdotpmethod4.硅的态密度...
能带理论，则解释了绝缘体和半导体，特别是半导体的导电性。引入晶格对自由电子，以及自由电子相互之间的作用。把晶格对自由电子和自由电子相互之间的作用看作一个周期场，价电子在这样的周期场下运动，即单电子近似。
基于能带结构理论的半导体光催化材料改性.pdf,第30卷第7期无机材料学报Vol.30No.72015年7月JournalofInorganicMaterialsJul.,2015文章编号:1000-324X(2015)07-0683-11DOI:10.15541/jim20140648基于能带结构理论的半导体光催化材料...
电阻率绝缘体半导体的能带结构与绝缘体的能带结构类似,但是禁带很窄（E0.1～2eV)。半导体1.本征半导体半导体n型半导体：四价的本征半导体Si、Ge等掺入少量五价的杂质(impurity)元素(如P、As等)就形成了电子型半导体，也称n型半导体。
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