输入电压Vin大于保持电压上的输出电压Vout时,电压比较器才输出高电平,使LF398进入采样状态,亦如图2中二极管的导通状态。实验得到的输入输出波形如图6所示。LF398由美国国家半导体公司设计生产,推荐的采样带宽只有1MHz,性能远不如
电力半导体电子参数符号及说明.doc.1.VRWM——反向工作峰值电压在规定的使用条件下(工频、正弦、半波),对器件所允许施加的最大瞬时反向电压值,不包括所有不重复瞬态电压。.2.VRRM——反向重复峰值电压器件所允许施加的重复瞬态电压,但不包括...
【优秀毕业论文】峰值检测专用集成电路设计,专用集成电路,峰值保持电路,峰值检波电路,集成电路,集成电路设计,集成电路芯片,超大规模集成电路,模拟电路集成电路,数字集成电路
(毕业论文)峰值检波器电路的设计.doc,苏州市职业大学课程设计说明书名称峰值检波器电路的设计2012年6月4日至2012年6月8日共1周院系:电子信息工程系班级:姓名:学号:系主任教研室主任指导教师目录第一章绪论2第二章系统设计方案52.1工作原理图52.2元器件清单5第...
主要技术指标有:脉冲输出功率:1W脉冲峰值电流:2A阈值电流:100mA暨南大学硕士学位论文半导体激光器高速脉冲驱动电路的设计与实现峰值波长:1064nm大信号调制带宽:100MHz最大前置电压:2.2V2-2LUM1064M010半导体激光器的P-I特性曲线2.2高速
2.晶闸管的主要参数(1)断态重复峰值电压UDRM。指在门极开路而器件的结温为额定值时,允许重复加在器件上的正向峰值电压。若加在管子上的电压大于UDRM子可能会失控而自行导通。(2)反向重复峰值电压RRM。
半导体二极管正向电特性的检测(已处理),半导体二极管,二极管正向压降,二极管正向电压,肖特基二极管检测,二极管阵列检测器,二极管正向峰值电压,二极管特性,二极管温度特性,二极管特性曲线,肖特…
本论文就是在此背景下对GaN基电力电子器件的击穿机理展开了广泛而深入的研究。...漏场板可以缓解漏电极附近的电场峰值,通过采用漏场板反偏阻断电压从-67V提高到-653V。结果表明,肖特基漏与漏场板相结合可以有效地提高器件的反偏阻断能力。
LED半导体照明灯光设计毕业论文.doc,LED半导体照明灯光设计毕业论文目录1引言...理论和实践证明,光的峰值波长与发光区域的半导体材料禁带宽度Eg有关,即(nm),式中Eg的单位为电子伏特(eV),若能产生可见光(波长在380nm紫光~780nm...
硕上论文半导体桥火工品静电响应特性及其静电防护3半导体桥静电损伤特性研究王大为【41】在其论文中分别选择了LTNR和NHA作为研究对象,在其相同的装药条件以及静电放电条件相同的情况下,得到不管是LTNR还是NHA,在静电电压小于
输入电压Vin大于保持电压上的输出电压Vout时,电压比较器才输出高电平,使LF398进入采样状态,亦如图2中二极管的导通状态。实验得到的输入输出波形如图6所示。LF398由美国国家半导体公司设计生产,推荐的采样带宽只有1MHz,性能远不如
电力半导体电子参数符号及说明.doc.1.VRWM——反向工作峰值电压在规定的使用条件下(工频、正弦、半波),对器件所允许施加的最大瞬时反向电压值,不包括所有不重复瞬态电压。.2.VRRM——反向重复峰值电压器件所允许施加的重复瞬态电压,但不包括...
【优秀毕业论文】峰值检测专用集成电路设计,专用集成电路,峰值保持电路,峰值检波电路,集成电路,集成电路设计,集成电路芯片,超大规模集成电路,模拟电路集成电路,数字集成电路
(毕业论文)峰值检波器电路的设计.doc,苏州市职业大学课程设计说明书名称峰值检波器电路的设计2012年6月4日至2012年6月8日共1周院系:电子信息工程系班级:姓名:学号:系主任教研室主任指导教师目录第一章绪论2第二章系统设计方案52.1工作原理图52.2元器件清单5第...
主要技术指标有:脉冲输出功率:1W脉冲峰值电流:2A阈值电流:100mA暨南大学硕士学位论文半导体激光器高速脉冲驱动电路的设计与实现峰值波长:1064nm大信号调制带宽:100MHz最大前置电压:2.2V2-2LUM1064M010半导体激光器的P-I特性曲线2.2高速
2.晶闸管的主要参数(1)断态重复峰值电压UDRM。指在门极开路而器件的结温为额定值时,允许重复加在器件上的正向峰值电压。若加在管子上的电压大于UDRM子可能会失控而自行导通。(2)反向重复峰值电压RRM。
半导体二极管正向电特性的检测(已处理),半导体二极管,二极管正向压降,二极管正向电压,肖特基二极管检测,二极管阵列检测器,二极管正向峰值电压,二极管特性,二极管温度特性,二极管特性曲线,肖特…
本论文就是在此背景下对GaN基电力电子器件的击穿机理展开了广泛而深入的研究。...漏场板可以缓解漏电极附近的电场峰值,通过采用漏场板反偏阻断电压从-67V提高到-653V。结果表明,肖特基漏与漏场板相结合可以有效地提高器件的反偏阻断能力。
LED半导体照明灯光设计毕业论文.doc,LED半导体照明灯光设计毕业论文目录1引言...理论和实践证明,光的峰值波长与发光区域的半导体材料禁带宽度Eg有关,即(nm),式中Eg的单位为电子伏特(eV),若能产生可见光(波长在380nm紫光~780nm...
硕上论文半导体桥火工品静电响应特性及其静电防护3半导体桥静电损伤特性研究王大为【41】在其论文中分别选择了LTNR和NHA作为研究对象,在其相同的装药条件以及静电放电条件相同的情况下,得到不管是LTNR还是NHA,在静电电压小于