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【摘要】：研究了含N超薄栅氧化层的击穿特性.含N薄栅氧化层是先进行900℃干氧氧化5min,再把SiO2栅介质放入1000℃的N2O中退火20min而获得的,栅氧化层厚度为10nm.实验结果表明,在栅介质中引入适量的N可以明显地起到抑制栅介质击穿的作用.分析研究表明,N具有补偿SiO2中O3≡Si·和Si3...
微电子半导体集成电路专业术语英语整理.天山懒人2017-10-1215:57:5213202收藏66.分类专栏：专业英语.专业英语专栏收录该内容.1篇文章0订阅.订阅专栏.A.beabsorbin集中精力做某事.accesscontrollist访问控制表.
半导体的电导率在10-3～109欧厘米范围。在一般情况下，半导体电导率随温度的升高而增大，这与金属导体恰好相反。凡具有上述两种特征的材料都可归入半导体材料的范围。半导体材料（semiconductormaterial）是导电能力介于导体与绝缘体之间的物质。
半导体材料的研究综述文献综述毕业论文.doc,半导体材料的研究综述文献综述毕业论文半导体研究文献综述学院：材料科学与工程学院专业：材料化学班级：材料122姓名：刘田防学号：2012141009半导体材料的研究综述文献综述摘要：半导体材料的价值在于它的光学、电学特性可充分…
文-05MKH9；质优价廉，欢迎阅读！半导体公司实习报告一，半导体公司实习报告二，前言，实习目的，理论联系实际，通过实习全面了解通信网的基本原理和基本构成，通过现场参观，学习常见故障的分析和处理方法..
知乎干货文章推荐：在家使用中国知网免费下载论文的方法如何快速写好一篇毕业论文？论文查重如何做到查重率6%以下？[1]冯松,高勇.温度对3种IGBT结构通态特性的影响[J].电力电子技术,2016,50(06):97-100.[2]冯彬,…
摘要：以Si和GaAs为代表的传统半导体材料的高速发展推动了微电子,光电子技术的迅猛发展.然而受材料性能所限,用这些材料制成的器件大都只能在200℃以下的热环境下工作,且抗辐射,耐高击穿电压性能以及发射可见光波长范围都不能满足现代电子技术发展对高温,高频,高压以及抗辐射,能发射蓝光等...
半导体材料论文范文首选【学术论文网】免费为论文话题工作者提供半导体材料论文范文板借鉴,半导体材料论文范文格式参考...
半导体材料文献综述.doc,姓名：高东阳学号：1511090121学院：化工与材料学院专业：化学工程与工艺班级：B0901指导教师：张芳日期：2011年12月7日半导体材料的研究综述高东阳辽东学院B0901118003摘要：半导体材料的价值...
本文从提高器件击穿电压的目的出发，利用半导体工具SentuarusTCAD研究了如下内容：（1）比较分析了栅极场板提高器件击穿电压的原因，以及栅极场板对器件击穿时沟道内电场分布的改善作用。该器件的栅极场板结构的最大击穿电压为1100V。
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