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0.13um铜互连工艺的研究和改善.复旦大学硕士学位论文0.13um铜互连工艺的研究和改善姓名：奚民伟申请学位级别：硕士专业：电子与通信工程指导教师：张卫20070331论文独创性声明本论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果．论文中除了...
相信很多同学都有看过下面这本书，书中有关于0.13μm工艺的详细介绍但随着目前国内半导体行业的快速发展，新Fab已经很少应用书中相关的一些工艺，尤其是后段工艺在90nm节点以前，后段工艺中的金属互联以铝为主…
降低45nm后段工艺RC延时的策略.【摘要】：当集成电路的特征尺寸减小和集成的密度提高时，后段金属连线在芯片系统中所占的面积大小和成本价格占的比重也越大，按照半导体器件等比例大小缩小的原理，随着器件特征尺寸的缩小，芯片电流密度随之提高...
1李鸿翎;;复方樟柳碱注射液治疗后段缺血性视神经病变的疗效[A];中华医学会第十二届全国眼科学术大会论文汇编[C];2007年2韦曙霞;叶波;;B超在眼后段外伤中的诊断应用[A];2005年全国超声医学工程学术会议论文集[C];2005年3苏亮;刘作德;刘国年;;鼻内镜联合微波治疗鼻腔后段出血的体会[A];2006年浙江省耳...
集成电路(IntegratedCircuits)的快速发展，导致对互连线的材料要求更高，互连线的问题成为了集成电路的研究热点。尤其是当电路的特征尺寸越来越小的时候，互连线引起的各种效应是影响电路性能的重要因素。本文阐述了传统金属铝以及合金到现在主流的铜以及正在发展的新型材料——碳纳米管作为...
上一篇介绍了金属互联层双层大马士革工艺中先开槽（Trench）后开孔（Via）的工艺流程本次为大家介绍先开孔后开槽的工艺流程主要的工艺步骤分为薄膜沉积→孔的曝光&刻蚀→槽的曝光&刻蚀→铜电镀→CMP…
以上是对大马士革镶嵌工艺的简单介绍，简而言之，该工艺通过一定的方法在介质层中刻蚀出所需的图案，然后填充金属铜,即可得到铜互联线。.在半导体工艺流程中，大马士革镶嵌工艺是非常重要的一个步骤。.细想起来，也就是捡软柿子捏，无法直接对Cu刻...
2006-12-21半导体后道前道指的是什么啊12017-01-28半导体后道工艺是什么意思32011-03-13请问半导体后道工艺中molding是做什么的？472017-12-16半导体后道工艺中molding是什么？12012-05-11SMT是半导体的前道还是后道2012-05-28半导体设备分为前道和后道，又分为湿制程和干制…
哈尔滨工业大学铜合金自形成阻挡层及其性能改进研究由于具有较低的电阻率和较好的抗电致迁移能力,铜已经成为集成电路首选的互连材料。然而,铜和衬底材料很容易在低温下就发生互扩散而导致器件性能恶化,常采用插入扩散阻挡层来抑制铜和衬底的相互扩散。
因为自身带有有Cu空位缺陷吧.有道理.yuxi-seu.引用回帖:3楼:Originallypostedbywu1008at2013-02-2809:45:25.这跟ZnO为什么是n型，NiO为什么是p型一样，跟本征的缺陷有关.嗯，最近在看空位缺陷对半导体电子结构的影响。.不知道有没有可能一些因素比如压力和辐照使得...
0.13um铜互连工艺的研究和改善.复旦大学硕士学位论文0.13um铜互连工艺的研究和改善姓名：奚民伟申请学位级别：硕士专业：电子与通信工程指导教师：张卫20070331论文独创性声明本论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果．论文中除了...
相信很多同学都有看过下面这本书，书中有关于0.13μm工艺的详细介绍但随着目前国内半导体行业的快速发展，新Fab已经很少应用书中相关的一些工艺，尤其是后段工艺在90nm节点以前，后段工艺中的金属互联以铝为主…
降低45nm后段工艺RC延时的策略.【摘要】：当集成电路的特征尺寸减小和集成的密度提高时，后段金属连线在芯片系统中所占的面积大小和成本价格占的比重也越大，按照半导体器件等比例大小缩小的原理，随着器件特征尺寸的缩小，芯片电流密度随之提高...
1李鸿翎;;复方樟柳碱注射液治疗后段缺血性视神经病变的疗效[A];中华医学会第十二届全国眼科学术大会论文汇编[C];2007年2韦曙霞;叶波;;B超在眼后段外伤中的诊断应用[A];2005年全国超声医学工程学术会议论文集[C];2005年3苏亮;刘作德;刘国年;;鼻内镜联合微波治疗鼻腔后段出血的体会[A];2006年浙江省耳...
集成电路(IntegratedCircuits)的快速发展，导致对互连线的材料要求更高，互连线的问题成为了集成电路的研究热点。尤其是当电路的特征尺寸越来越小的时候，互连线引起的各种效应是影响电路性能的重要因素。本文阐述了传统金属铝以及合金到现在主流的铜以及正在发展的新型材料——碳纳米管作为...
上一篇介绍了金属互联层双层大马士革工艺中先开槽（Trench）后开孔（Via）的工艺流程本次为大家介绍先开孔后开槽的工艺流程主要的工艺步骤分为薄膜沉积→孔的曝光&刻蚀→槽的曝光&刻蚀→铜电镀→CMP…
以上是对大马士革镶嵌工艺的简单介绍，简而言之，该工艺通过一定的方法在介质层中刻蚀出所需的图案，然后填充金属铜,即可得到铜互联线。.在半导体工艺流程中，大马士革镶嵌工艺是非常重要的一个步骤。.细想起来，也就是捡软柿子捏，无法直接对Cu刻...
2006-12-21半导体后道前道指的是什么啊12017-01-28半导体后道工艺是什么意思32011-03-13请问半导体后道工艺中molding是做什么的？472017-12-16半导体后道工艺中molding是什么？12012-05-11SMT是半导体的前道还是后道2012-05-28半导体设备分为前道和后道，又分为湿制程和干制…
哈尔滨工业大学铜合金自形成阻挡层及其性能改进研究由于具有较低的电阻率和较好的抗电致迁移能力,铜已经成为集成电路首选的互连材料。然而,铜和衬底材料很容易在低温下就发生互扩散而导致器件性能恶化,常采用插入扩散阻挡层来抑制铜和衬底的相互扩散。
因为自身带有有Cu空位缺陷吧.有道理.yuxi-seu.引用回帖:3楼:Originallypostedbywu1008at2013-02-2809:45:25.这跟ZnO为什么是n型，NiO为什么是p型一样，跟本征的缺陷有关.嗯，最近在看空位缺陷对半导体电子结构的影响。.不知道有没有可能一些因素比如压力和辐照使得...
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