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1、外光电效应不言而喻，就是物体在光的照射下光电子飞到物体外部的现象，光电效应的发现与最初的研究就是主要通过外光电效应来进行的。2.光电导效应光吸收使半导体中形成非平衡载流子(光生载流子)，载流子浓度的增大使其电导率增大，所引起的附加电导率称为光电导。
基于金属—半导体界面光电效应的多功能信息存储器研究.檀洪伟.【摘要】：结构简化,功能化和多样化是后摩尔时代电子信息技术发展的主要趋势。.光电多功能集成器件通过光和电对简单器件电阻的调控,实现信息处理功能集成化和多样化,有利于增加器件功能...
研究论文1CsPbBr3/PbS单晶薄膜异质结的外延生长及光电性能研究由高质量的单晶薄膜构筑的半导体异质结因具有独特的光学特性和突出的电学特性，大大拓展了半导体材料在现代微电子学和光电子学中的应用范围。
该论文研究揭示了低维光电导器件的光增益原理，并能指导人们设计出高性能的低维光探测器。研究获得了自然科学基金面上项目（61376001）和上海科委重大研究计划（16JC1400405）的支持。背…
中科院福建物构所结构化学国家重点实验室罗军华研究员团队无机光电功能晶体材料研究取得多项新进展，在JACS、Angew等期刊上发表多篇研究成果！.1、福建物构所高居里温度“光铁电半导体”获得进展.图：分子设计获得高居里温度“光铁电体”.光铁电体是光...
有机半导体器件的光电性质和磁场效应研究-和传统半导体相比,有机半导体更为多样化,简便,而且具有丰富的电学、光学和磁学特性,尤其是电子的自旋弛豫时间长更使它成为自旋物理的候选材料,有机半导...
该论文研究揭示了低维光电导器件的光增益原理，并能指导人们设计出高性能的低维光探测器。.研究获得了自然科学基金面上项目（61376001）和上海科委重大研究计划（16JC1400405）的支持。.通讯作者简介：.但亚平现任上海交通大学特别研究员，密西根学院副...
二维半导体材料及其场效应结构光电器件研究.黄海.【摘要】：随着石墨烯的发现,具有原子层厚度的二维材料因其丰富物理性质和广阔应用前景引起了广泛的研究兴趣。.石墨烯具有迁移率高、热导率高、强度大、电导率高和光吸收率低等一系列特点,可应用于...
论文揭示光电导器件的巨大光增益来自器件导电沟道的宽度调制效应，并进一步推导出具有一般通用性的显性光电导增益公式。该公式可定量预测并完美拟合实验数据，研究成果将颠覆经典光电导增…
研究发现，理想半导体光电导器件本身无增益，实验中观察到的巨大光增益来源于半导体内部的缺陷态或耗尽区的俘获效应。这一研究成果有望改写中外半导体物理课相关本章节（3~4页内容）。《美国化学学会光子学》学术期刊编辑与6位审稿人...
1、外光电效应不言而喻，就是物体在光的照射下光电子飞到物体外部的现象，光电效应的发现与最初的研究就是主要通过外光电效应来进行的。2.光电导效应光吸收使半导体中形成非平衡载流子(光生载流子)，载流子浓度的增大使其电导率增大，所引起的附加电导率称为光电导。
基于金属—半导体界面光电效应的多功能信息存储器研究.檀洪伟.【摘要】：结构简化,功能化和多样化是后摩尔时代电子信息技术发展的主要趋势。.光电多功能集成器件通过光和电对简单器件电阻的调控,实现信息处理功能集成化和多样化,有利于增加器件功能...
研究论文1CsPbBr3/PbS单晶薄膜异质结的外延生长及光电性能研究由高质量的单晶薄膜构筑的半导体异质结因具有独特的光学特性和突出的电学特性，大大拓展了半导体材料在现代微电子学和光电子学中的应用范围。
该论文研究揭示了低维光电导器件的光增益原理，并能指导人们设计出高性能的低维光探测器。研究获得了自然科学基金面上项目（61376001）和上海科委重大研究计划（16JC1400405）的支持。背…
中科院福建物构所结构化学国家重点实验室罗军华研究员团队无机光电功能晶体材料研究取得多项新进展，在JACS、Angew等期刊上发表多篇研究成果！.1、福建物构所高居里温度“光铁电半导体”获得进展.图：分子设计获得高居里温度“光铁电体”.光铁电体是光...
有机半导体器件的光电性质和磁场效应研究-和传统半导体相比,有机半导体更为多样化,简便,而且具有丰富的电学、光学和磁学特性,尤其是电子的自旋弛豫时间长更使它成为自旋物理的候选材料,有机半导...
该论文研究揭示了低维光电导器件的光增益原理，并能指导人们设计出高性能的低维光探测器。.研究获得了自然科学基金面上项目（61376001）和上海科委重大研究计划（16JC1400405）的支持。.通讯作者简介：.但亚平现任上海交通大学特别研究员，密西根学院副...
二维半导体材料及其场效应结构光电器件研究.黄海.【摘要】：随着石墨烯的发现,具有原子层厚度的二维材料因其丰富物理性质和广阔应用前景引起了广泛的研究兴趣。.石墨烯具有迁移率高、热导率高、强度大、电导率高和光吸收率低等一系列特点,可应用于...
论文揭示光电导器件的巨大光增益来自器件导电沟道的宽度调制效应，并进一步推导出具有一般通用性的显性光电导增益公式。该公式可定量预测并完美拟合实验数据，研究成果将颠覆经典光电导增…
研究发现，理想半导体光电导器件本身无增益，实验中观察到的巨大光增益来源于半导体内部的缺陷态或耗尽区的俘获效应。这一研究成果有望改写中外半导体物理课相关本章节（3~4页内容）。《美国化学学会光子学》学术期刊编辑与6位审稿人...
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