远程与继续教育学院专科毕业大作业点:东莞学习中心指导教师:张施娜专科毕业大作业诚信承诺书本人郑重承诺网络教育层次机电一体化技术专业的毕业论文《浅谈半导体材料应用及发展前景》的主要观点和思想系本人思考完成,并在此申明我愿承担与上述承诺相违背的事实所引起的一切...
引言:从第一个晶体管问世算起,半导体技术的发展已有多半个世纪了,现在它仍保持着强劲的发展态势,继续遵循Moore定律即芯片集成度18个月翻一番,每三年器件尺寸缩小0.7倍的速度发展。大尺寸、细线宽、高精度、高效率、低成本的IC生产,正在对半导体设备带来前所未有的挑战。
电工电子技术的发展分析论文摘要:本次研究主题侧重分析在信息化的时代背景下,电工电子技术的发展情况,希望能够通过切实有效的分析掌握电工电子技术的概念,并了解其工作运营的相关特征,在实际的工作过程当中观察发现的问题,并进行对策的研究和谈论,希望能够有效的提升电工电子...
半导体照明技术的发展与趋势文献报告.电子技术查新训练文献综述报告题目半导体照明技术的发展现状及趋势学班号级学生指导教师2012年f半导体照明技术的发展现状及趋势摘要:随着半导体照明技术的进步,对于半导体照明技术有了更高的要求...
前言半导体材料通过多年的发展,目前可以分为三代,即第一代半导体“元素半导体”,典型如硅基和锗基半导体,适用于数据的运算和存储;其中硅基半导体技术较为成熟,应用也较广;第二代是砷化镓、磷化铟为基础的的III-V族化合物半导体,在电和光的转化方面性能突出,在微波信号传输方面...
摘要:半导体技术的发展与进步是实现集成电路的关键,推动着电子产品的微型化以及高性能化发展。本文将对SiGe半导体在微电子技术发展中的应用进行探讨,研究其对于微电子行业的重要作用。关键词:SiGe半导体;微电子技术;场效应晶体管中图分类号:TN304文献标识码:A文章编…
1.3.2LED应用于照明的发展LED发展历史已经几十年,但在照明领域的应用还是新技术。自1998年白光LED研制成功以后,LED照明才真正进入了实施阶段。在各国半导体照明发展计划的大力激励下,各研究实体加倍努力,可应用于照明的高亮度LED的性能获得了
世界集成电路发展历史前言发现和研究半导体效应“触点式"晶体管的发明-1947年12月16日晶体管名字的由来结型晶体管的诞生-1948贝尔实验室授权晶体管技术-1952“集成电路”的发明制成首个金属氧化半导体(MOS)绝缘栅场效应晶体管-1960集成电路工业进入发展期“摩尔定律”预言未来集成电路的发展…
总序前言第1章半导体纳米线功能器件概述11.1引言11.2半导体纳米线的发展2参考文献5第2章半导体纳米线功能器件的发展现状92.1引言92.2半导体纳米线的物理特性102.2.1半导体纳米线的力学性能102.2.2半导体纳米线的电输运特性132.2.32.2
提供半导体论文——半导体电学杂质与玷污文档免费下载,摘要:半导体电学杂质与玷污####(*学院应用**班20****62)摘要:半导体是指一种导电性可受控制,范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看,半导体的重要是非常巨大的。
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电工电子技术的发展分析论文摘要:本次研究主题侧重分析在信息化的时代背景下,电工电子技术的发展情况,希望能够通过切实有效的分析掌握电工电子技术的概念,并了解其工作运营的相关特征,在实际的工作过程当中观察发现的问题,并进行对策的研究和谈论,希望能够有效的提升电工电子...
半导体照明技术的发展与趋势文献报告.电子技术查新训练文献综述报告题目半导体照明技术的发展现状及趋势学班号级学生指导教师2012年f半导体照明技术的发展现状及趋势摘要:随着半导体照明技术的进步,对于半导体照明技术有了更高的要求...
前言半导体材料通过多年的发展,目前可以分为三代,即第一代半导体“元素半导体”,典型如硅基和锗基半导体,适用于数据的运算和存储;其中硅基半导体技术较为成熟,应用也较广;第二代是砷化镓、磷化铟为基础的的III-V族化合物半导体,在电和光的转化方面性能突出,在微波信号传输方面...
摘要:半导体技术的发展与进步是实现集成电路的关键,推动着电子产品的微型化以及高性能化发展。本文将对SiGe半导体在微电子技术发展中的应用进行探讨,研究其对于微电子行业的重要作用。关键词:SiGe半导体;微电子技术;场效应晶体管中图分类号:TN304文献标识码:A文章编…
1.3.2LED应用于照明的发展LED发展历史已经几十年,但在照明领域的应用还是新技术。自1998年白光LED研制成功以后,LED照明才真正进入了实施阶段。在各国半导体照明发展计划的大力激励下,各研究实体加倍努力,可应用于照明的高亮度LED的性能获得了
世界集成电路发展历史前言发现和研究半导体效应“触点式"晶体管的发明-1947年12月16日晶体管名字的由来结型晶体管的诞生-1948贝尔实验室授权晶体管技术-1952“集成电路”的发明制成首个金属氧化半导体(MOS)绝缘栅场效应晶体管-1960集成电路工业进入发展期“摩尔定律”预言未来集成电路的发展…
总序前言第1章半导体纳米线功能器件概述11.1引言11.2半导体纳米线的发展2参考文献5第2章半导体纳米线功能器件的发展现状92.1引言92.2半导体纳米线的物理特性102.2.1半导体纳米线的力学性能102.2.2半导体纳米线的电输运特性132.2.32.2
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