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天津大学硕士学位论文半导体发光二极管中的负电容现象姓名：朱传云申请学位级别：硕士专业：材料物理与化学指导教师：王存达20030101中文摘要随着发光二极管已经越来越广泛地应用于光通讯、显示、照明和指示等领域，对其特性的研究也显得越来越重要。
本论文通过设计一系列有机半导体二极管存储器件，深入研究了器件的性能并就其各自的存储机制进行了探讨，为有机半导体二极管的理论发展提供一定的技术铺垫。.（1）我们改进了氧化石墨烯的方法，出了质量较高的氧化石墨烯，并利用其...
半导体二极管特性的研究物理实验报告实验11半导体二极管伏安特性的研究实验3半导体二极管伏安特性的研究世界上的物质种类繁多，但就其导电性能来说，大体上可分为导体、绝缘体和半导体三…
在本论文中，通过求解漂移扩散方程计算了两种有机半导体器件的电流电压特性。另外，推导了一个有机二极管的交流阻抗谱。1.以当前关于经典爱恩斯坦关系应用的实验为基础，用非简并的空穴密度解漂移扩散方程，来研究机半导体层中的电流电压（J-V）特性。
摘要半导体二极管的电特性表征一直是一个非常重要的课题，但有关其正向交流特性的一般分析却很少见之于报导。迄今为止，已在很多半导体器件中观察到负电容现象，但是几乎所有报导中都未正确地区别表观电容和结电容，且采用不同方法测量的电容数据相去甚远，更难以同作者们提出的理论...
半导体二极管及其应用电路PPT.pptx,半导体二极管及其应用电路;;半导体的导电机理不同于其它物质,因此它具有不同于其它物质的特点。例如:;本征半导体;本征半导体:完全纯净的、结构完整的半导体晶体。;硅与锗的共价键结构;共价键中的两个电子被紧紧在共价键中,称为电子,常温下电子...
高压4H-SiC结势垒肖特基二极管的研究.宽禁带半导体碳化硅以其优越的性能成为功率电子器件的理想材料且得到了广泛的研究。.4H-SiCJBS(JunctionBarrierSchottkyDiode)二极管结合了PiN二极管和肖特基势垒二极管SBD(SchottkyBarrierDiode)两者的优势，具有小开启电压、低...
基于化合物半导体的雪崩光电二极管的研究.【摘要】：本文通过建立化合物半导体雪崩光电二极管(APD)的模型,深入研究了基于不同半导体材料的APD特性,并对器件进行了与优化。.使用Silvaco半导体器件软件,通过对实际器件进行建模,对分离吸收层...
半导体激光二极管列阵的光束整形,半导体激光器,光束质量控制,光束整形,正交圆柱面一双曲柱面平面透镜,椭圆柱面平面透镜。1962年,第一台半导体激光器诞生了,但是它的发光特性并不好,通过二十年的努力半导体激光器得到很好的发展。由于它的众多优...
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半导体二极管特性的研究物理实验报告实验11半导体二极管伏安特性的研究实验3半导体二极管伏安特性的研究世界上的物质种类繁多，但就其导电性能来说，大体上可分为导体、绝缘体和半导体三…
在本论文中，通过求解漂移扩散方程计算了两种有机半导体器件的电流电压特性。另外，推导了一个有机二极管的交流阻抗谱。1.以当前关于经典爱恩斯坦关系应用的实验为基础，用非简并的空穴密度解漂移扩散方程，来研究机半导体层中的电流电压（J-V）特性。
摘要半导体二极管的电特性表征一直是一个非常重要的课题，但有关其正向交流特性的一般分析却很少见之于报导。迄今为止，已在很多半导体器件中观察到负电容现象，但是几乎所有报导中都未正确地区别表观电容和结电容，且采用不同方法测量的电容数据相去甚远，更难以同作者们提出的理论...
半导体二极管及其应用电路PPT.pptx,半导体二极管及其应用电路;;半导体的导电机理不同于其它物质,因此它具有不同于其它物质的特点。例如:;本征半导体;本征半导体:完全纯净的、结构完整的半导体晶体。;硅与锗的共价键结构;共价键中的两个电子被紧紧在共价键中,称为电子,常温下电子...
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