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半导体存储器的发展和技术状况.罗浩平.【摘要】：综述了国外半导体存储器的发展状况、使用周期、投资规模及市场状况.着重介绍了以DRAM为代表的各代存储器的性能及主要技术,指出半导体存储器发展的主要趋势.下载App查看全文.下载全文更多同类文献.PDF...
非挥发性半导体存储器技术研究.王政.【摘要】：随着集成电路的集成密度和性能高速发展,其对半导体存储器的性能指标提出了更高的要求,对大容量、高性能、高密度和低功耗的半导体存储器的追求使得存储器电路设计面临艰巨的任务。.本论文以国内自主...
半导体存储器设计与实现基准电压源和比较器的设计与实现2.45GHzCMOS低噪声放大器设计与仿2.4GHzCMOS混频器的设计与OFDM基带信号处理器实验平台设计
半导体存储器特征参数提取技术对策[3]菜i』il一＝5l；jsjljcun3111aIl【Jj番Jaj：化力扎j的速度很慢。.如果使用memory_pl＋uning特性，Siliconsmart在进行特定的之前会对网表进行修剪，选择性地：｛暂RC反｝；jiyJ修剪后的网表中，时输入的是修剪之后简化的...
DRAM原理及工艺流程的研究.吴雨健.【摘要】：随着资讯科技的快速发展,对半导体记忆体技术的要求也在迅猛增长。.DRAM(动态随机存储器)由于其集成度高、价格便宜、体积小、耗电省等优点,使其得到了广泛的应用。.需求推动技术进步,近年来DRAM在存取速度的...
而三星电子目前就是3D存储集成技术的全球领先厂商。在一份新闻通稿中，论文作者之一的HamDon-hee表示：“我们所提出的研究愿景是很宏大的，如果朝着这个英雄般的目标前进，我们将会同时推进机器智能、神经科学和半导体技术的边界。
半导体材料的研究综述文献综述毕业论文.doc,半导体材料的研究综述文献综述毕业论文半导体研究文献综述学院：材料科学与工程学院专业：材料化学班级：材料122姓名：刘田防学号：2012141009半导体材料的研究综述文献综述摘要：半导体材料的价值在于它的光学、电学特性可充分…
半导体技术发展过程中的基本分析.摘要：随着科技的不断创新和发展,半导体技术也取得了显著的发展成果,特别是半导体晶体管得到了非常广泛的运用,已经有越来越多的人们投入到了半导体技术相关的工作中。自从半导体技术的出现到现在,它已经逐渐渗透...
来源：本文内容来自微信公众号半导体行业观察（ID：icbank）原创国际固态半导体电路会议（ISSCC）被人称为“集成电路界的奥林匹克”，在会议上发表的论文都是全球来自学术界以及工业界质量最高的创新性工作。与…
图4：各家存储半导体厂家的最新的3DNAND的比较。（图片出自：TomohikoKitajima,AppliedMaterials,“Materialsandprocesstechnologydriven3DNANDScalingbeyond200…
半导体存储器的发展和技术状况.罗浩平.【摘要】：综述了国外半导体存储器的发展状况、使用周期、投资规模及市场状况.着重介绍了以DRAM为代表的各代存储器的性能及主要技术,指出半导体存储器发展的主要趋势.下载App查看全文.下载全文更多同类文献.PDF...
非挥发性半导体存储器技术研究.王政.【摘要】：随着集成电路的集成密度和性能高速发展,其对半导体存储器的性能指标提出了更高的要求,对大容量、高性能、高密度和低功耗的半导体存储器的追求使得存储器电路设计面临艰巨的任务。.本论文以国内自主...
半导体存储器设计与实现基准电压源和比较器的设计与实现2.45GHzCMOS低噪声放大器设计与仿2.4GHzCMOS混频器的设计与OFDM基带信号处理器实验平台设计
半导体存储器特征参数提取技术对策[3]菜i』il一＝5l；jsjljcun3111aIl【Jj番Jaj：化力扎j的速度很慢。.如果使用memory_pl＋uning特性，Siliconsmart在进行特定的之前会对网表进行修剪，选择性地：｛暂RC反｝；jiyJ修剪后的网表中，时输入的是修剪之后简化的...
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而三星电子目前就是3D存储集成技术的全球领先厂商。在一份新闻通稿中，论文作者之一的HamDon-hee表示：“我们所提出的研究愿景是很宏大的，如果朝着这个英雄般的目标前进，我们将会同时推进机器智能、神经科学和半导体技术的边界。
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半导体技术发展过程中的基本分析.摘要：随着科技的不断创新和发展,半导体技术也取得了显著的发展成果,特别是半导体晶体管得到了非常广泛的运用,已经有越来越多的人们投入到了半导体技术相关的工作中。自从半导体技术的出现到现在,它已经逐渐渗透...
来源：本文内容来自微信公众号半导体行业观察（ID：icbank）原创国际固态半导体电路会议（ISSCC）被人称为“集成电路界的奥林匹克”，在会议上发表的论文都是全球来自学术界以及工业界质量最高的创新性工作。与…
图4：各家存储半导体厂家的最新的3DNAND的比较。（图片出自：TomohikoKitajima,AppliedMaterials,“Materialsandprocesstechnologydriven3DNANDScalingbeyond200…
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