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半导体催化的电子理论.文献类型：期刊论文.作者.ф.ф.沃里坎什捷因著;吕永安;陈荣;罗楚宝译.刊名.半导体催化的电子理论.出版日期.1963.页码.
影响光催化反应的关键因素如图1所示,对于光催化原理,目前人们普遍采用半导体能带理论来解释:当入射光能量等于或高于半导体材料的禁带宽度时,半导体材料的价带电子受激发跃迁至导带,同时在价带上产生相应的空穴,形成电子空穴对;光生电子、空穴在内部
本论文主要从理论上研究了几种典型铋基半导体材料,Bi2MoO6,Bi2WO6,BiVO4和BiNbO4等的电子性质及掺杂对体系稳定性、光吸收及光催化等性质的影响,总结了一些有价值的规律,解释了一些重要的实验现象,提出了一些提高材料光催化活性的新思路。论文分为
电子必须高于这一势垒的能量才能越过势垒流入金属。同理,金属与p型半导体相接触时,能带则向下弯曲。3.2半导体异质结异质结指两种不同的半导体相接触,形成的界面部分。根据半导体的类型,可以分为两种:p-n结和n-n结,催化原理基本一致。
【摘要】：在半导体光催化反应中,光激发产生电子和空穴的有效分离和迁移是提高光催化效率的关键问题。科学家们为解决光催化中电子和空穴的分离这一核心科学问题进行了不懈努力,如构筑异质结、p-n结、异相结和晶面间电荷分离等来实现。本论文主要围绕具有等同晶面和不等同晶面的半导体...
当用能#*+$,-.(/0(12345672:2;-=关于’()$电极上光解水的论文可以看作一个光催化量等于或大于半导体带隙能的光波辐射半导体光催化研究的开始，此后人们从各个领域对’()$光催化行为剂
基础与前沿研究院王志明教授团队博士后赵振环为该文第一作者，LarsC.Grabow教授﹑王志明教授和包吉明教授为论文联合通讯作者。这是电子科技大学首次作为第一单位在该期刊发表研究论文。《ACS催化》是ACS旗下催化领域顶级期刊，2016年影响因子为10
研究发现半导体光催化剂中单步两电子转移机理.8月31日，中科院大连化物所催化基础国家重点实验室及洁净能源国家实验室（筹）太阳能研究部李...
基于催化发光策略评价半导体材料禁带宽度.分析化学.作者：X-MOL2021-10-27.目前，半导体材料被广泛应用于发光二极管、太阳能电池、光探测器、光催化等领域。.而禁带宽度是半导体材料最关键的参数之一，与材料的光吸收边、发射波长、电导率等自身物理...
图3：n-型有机半导体的催化掺杂技术实现了包括有机热电器件（OrganicThermoelectrics）和有机薄膜晶体管（OrganicThin-FilmTransistors）在内的多种有机电子...
半导体催化的电子理论.文献类型：期刊论文.作者.ф.ф.沃里坎什捷因著;吕永安;陈荣;罗楚宝译.刊名.半导体催化的电子理论.出版日期.1963.页码.
影响光催化反应的关键因素如图1所示,对于光催化原理,目前人们普遍采用半导体能带理论来解释:当入射光能量等于或高于半导体材料的禁带宽度时,半导体材料的价带电子受激发跃迁至导带,同时在价带上产生相应的空穴,形成电子空穴对;光生电子、空穴在内部
本论文主要从理论上研究了几种典型铋基半导体材料,Bi2MoO6,Bi2WO6,BiVO4和BiNbO4等的电子性质及掺杂对体系稳定性、光吸收及光催化等性质的影响,总结了一些有价值的规律,解释了一些重要的实验现象,提出了一些提高材料光催化活性的新思路。论文分为
电子必须高于这一势垒的能量才能越过势垒流入金属。同理,金属与p型半导体相接触时,能带则向下弯曲。3.2半导体异质结异质结指两种不同的半导体相接触,形成的界面部分。根据半导体的类型,可以分为两种:p-n结和n-n结,催化原理基本一致。
【摘要】：在半导体光催化反应中,光激发产生电子和空穴的有效分离和迁移是提高光催化效率的关键问题。科学家们为解决光催化中电子和空穴的分离这一核心科学问题进行了不懈努力,如构筑异质结、p-n结、异相结和晶面间电荷分离等来实现。本论文主要围绕具有等同晶面和不等同晶面的半导体...
当用能#*+$,-.(/0(12345672:2;-=关于’()$电极上光解水的论文可以看作一个光催化量等于或大于半导体带隙能的光波辐射半导体光催化研究的开始，此后人们从各个领域对’()$光催化行为剂
基础与前沿研究院王志明教授团队博士后赵振环为该文第一作者，LarsC.Grabow教授﹑王志明教授和包吉明教授为论文联合通讯作者。这是电子科技大学首次作为第一单位在该期刊发表研究论文。《ACS催化》是ACS旗下催化领域顶级期刊，2016年影响因子为10
研究发现半导体光催化剂中单步两电子转移机理.8月31日，中科院大连化物所催化基础国家重点实验室及洁净能源国家实验室（筹）太阳能研究部李...
基于催化发光策略评价半导体材料禁带宽度.分析化学.作者：X-MOL2021-10-27.目前，半导体材料被广泛应用于发光二极管、太阳能电池、光探测器、光催化等领域。.而禁带宽度是半导体材料最关键的参数之一，与材料的光吸收边、发射波长、电导率等自身物理...
图3：n-型有机半导体的催化掺杂技术实现了包括有机热电器件（OrganicThermoelectrics）和有机薄膜晶体管（OrganicThin-FilmTransistors）在内的多种有机电子...
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