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硅基pn结电容的研究及分析.硅基PN结电容的研究及分析万里兮（中国科学院微电子研究所系统封装实验室北京100029）摘要：以硅为基体材料，PN结为基本结构制作的无源器件具有一种电容的特性，进一步利用深硅刻蚀技术，通过在硅基材料上刻蚀深图形以增大...
PN结的物理特性—实验报告-半导体PN结的物理特性实验报告姓名：陈晨一、引言半导体PN结是电子技术中许多元件的物质基础具有广泛应用，因此半导体PN结的伏安特性是半导体物理...
半导体PN结的物理特性实验目的与要求1、学会用运算放大器组成电流-电压变换器的方法测量弱电流。2、研究PN结的正向电流与电压之间的关系。3、学习通过实验数据处理求得经验公式的方法。
pn结和金属半导体结.ppt,金属－半导体结在半导体表面淀积一层金属形成紧密的接触，称为金属－半导体结（接触）。1、肖特基势垒（SBD）如果VF随时间变化，Qp也应随时间变化。注意Qp于x,它是时间的隐性函数。稳态时Qp每经过τp时间就会...
AdvancedScience:“用光储能”：光催化助力p-n结超级电容器电容和能量密度的提升.超级电容器以其功率密度高、放电速率快、循环寿命长、不发热等优点逐渐成为了锂离子电池的替代品。.然而，超级电容器的能量密度常常较低，这无疑限制了其实际应用。.近...
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