该论文在国际上首次归纳分析了对三维交叉堆叠型存储器读操作有影响的五种因素,提出了第一种与三维新型非易失存储器阵列特性相关的读出电路...
论文截图责编|吕浩然近日,清华大学量子信息中心段路明研究组首次实现具有225个存储单元的原子量子存储器,将原有量子存储器存储容量的国际记录(12个)提高了一个数量级。该成果的研究论文…
原标题:六大“未来式”存储器,谁将脱颖而出?.摘要:最近,一篇回顾该领域现状的论文对六种最有前景的技术进行了盘点和解读。.对神经形态计算的浓厚兴趣刺激人们研发出一系列全新的存储设备,这些设备可以复制生物神经元和突触功能。.最近,一篇...
论文的目的是在神经形态计算中找出比CPU、GPU、DRAM和NAND等传统设备更快、更节能的设备。.论文作者盘点和介绍的六种存储器件包括电阻式记忆存储器(ReRAM)、扩散式忆阻器、相变存储器(PCM)、非易失性磁性随机存储器(MRAM)、铁电场效应晶体管(FeFET)和...
西安电子科技大学硕士学位论文基于标准CMOS工艺的OTP存储器的设计与研究姓名:马飞申请学位级别:硕士专业:微电子学与固体电子学指导教师:刘红侠20090101摘要摘要在ASIC电路设计中,经常会需要一些低成本低密度的非易失性存储器件,但是工艺的复杂性阻碍了传统的非易失性存储…
分类号:TP274单位代码:10110基于eMMC阵列的高速固态存储器的研究与设计硕士研究生校外指导教师田海峰所在领域电子与通信工程2018图书分类号TP274密级620全日制工程硕士学位论文基于eMMC阵列的高速固态存储器的研究与设计校内...
中科院微电子所两论文入选VLSI,近日,在新型存储器及硬件安全芯片领域,中科院微电子所两论文入选VLSI,其中在新型存储器方面,刘明院士/吕杭炳...
存储器在整个半导体产业中占据极重要的地位。DRAM和NANDFlash在存储器领域的占比也已超过90%。今天我国要大力发展的存储器也主要集中在这两大类别。从全球DRAM、NAND的市场份额分配图看,这两类存储器被国际巨头垄断。
相变存储器(PCRAM)就是这样一种理想的存储器:它通过电流和磁场的开关,让存储材料在晶体和非晶体间切换。.由于改变的是材料的物理状态,所以即使断电,这种状态也不会消失,同时还可以实现很快的擦写速度。.早在2002年,宋志棠就开始关注这个方向...
在知乎上也引起了激烈的讨论:如何看待RecSys2019上的一篇文章认为现有DNN-based推荐算法带来的基本上都是伪提升?.作者总结了过去三年四大顶会(KDD、SIGIR、WWW和RecSys)推荐系统上18个最新算法,只有7个能重现效果。.而且在不同的测试数据集上它们与浅层...
该论文在国际上首次归纳分析了对三维交叉堆叠型存储器读操作有影响的五种因素,提出了第一种与三维新型非易失存储器阵列特性相关的读出电路...
论文截图责编|吕浩然近日,清华大学量子信息中心段路明研究组首次实现具有225个存储单元的原子量子存储器,将原有量子存储器存储容量的国际记录(12个)提高了一个数量级。该成果的研究论文…
原标题:六大“未来式”存储器,谁将脱颖而出?.摘要:最近,一篇回顾该领域现状的论文对六种最有前景的技术进行了盘点和解读。.对神经形态计算的浓厚兴趣刺激人们研发出一系列全新的存储设备,这些设备可以复制生物神经元和突触功能。.最近,一篇...
论文的目的是在神经形态计算中找出比CPU、GPU、DRAM和NAND等传统设备更快、更节能的设备。.论文作者盘点和介绍的六种存储器件包括电阻式记忆存储器(ReRAM)、扩散式忆阻器、相变存储器(PCM)、非易失性磁性随机存储器(MRAM)、铁电场效应晶体管(FeFET)和...
西安电子科技大学硕士学位论文基于标准CMOS工艺的OTP存储器的设计与研究姓名:马飞申请学位级别:硕士专业:微电子学与固体电子学指导教师:刘红侠20090101摘要摘要在ASIC电路设计中,经常会需要一些低成本低密度的非易失性存储器件,但是工艺的复杂性阻碍了传统的非易失性存储…
分类号:TP274单位代码:10110基于eMMC阵列的高速固态存储器的研究与设计硕士研究生校外指导教师田海峰所在领域电子与通信工程2018图书分类号TP274密级620全日制工程硕士学位论文基于eMMC阵列的高速固态存储器的研究与设计校内...
中科院微电子所两论文入选VLSI,近日,在新型存储器及硬件安全芯片领域,中科院微电子所两论文入选VLSI,其中在新型存储器方面,刘明院士/吕杭炳...
存储器在整个半导体产业中占据极重要的地位。DRAM和NANDFlash在存储器领域的占比也已超过90%。今天我国要大力发展的存储器也主要集中在这两大类别。从全球DRAM、NAND的市场份额分配图看,这两类存储器被国际巨头垄断。
相变存储器(PCRAM)就是这样一种理想的存储器:它通过电流和磁场的开关,让存储材料在晶体和非晶体间切换。.由于改变的是材料的物理状态,所以即使断电,这种状态也不会消失,同时还可以实现很快的擦写速度。.早在2002年,宋志棠就开始关注这个方向...
在知乎上也引起了激烈的讨论:如何看待RecSys2019上的一篇文章认为现有DNN-based推荐算法带来的基本上都是伪提升?.作者总结了过去三年四大顶会(KDD、SIGIR、WWW和RecSys)推荐系统上18个最新算法,只有7个能重现效果。.而且在不同的测试数据集上它们与浅层...