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半导体硅片清洗工艺的发展研究毕业论文方法,研究,论文,毕业论文,硅片清洗,发展,清洗硅片,半导体工艺,半导体,研究半导体硅片清洗工艺的发展研究【摘要】随着大规模集成电路的发展，集成度的不断提高，线宽的不断减小，对硅片的质量要求也越来越高，特别是对硅抛光片的表面质量要求越来...
收稿日期1999-07-12硅片清洗原理与方法综述刘传军赵权刘春香杨洪星电子四十六所,天津300220摘要对硅片清洗的基本理论、常用工艺方法和技术进行了详细的论述,同时对一些常用的清洗方案进行了浅析,并对硅片清洗的重要性和发展前景作了简单论述。
硅片边缘等离子清洗技术及其工艺优化.pdf,删删㈣㈣㈣㈣硅片边缘等离子清洗技术及其工艺优化摘要随着超大规模电路(ULSI)的快速发展，薄膜堆叠层数远超以往。复杂的薄膜结构及较大的薄膜厚度使得薄膜在芯片工艺中在硅片边缘较易产生分层。
清洗工作是在不破坏晶圆表面特性及电特性的前提下，有效地使用化学溶液清除残留在晶圆上之微尘、金属离子及有机物之杂质。在实际生产中，集成电路制造清洗工艺过程，也是以清洗硅片表面的污染和杂质为主要目的，当然也要考虑其它的一些因素。
毕业论文《硅片清洗工艺的原理和现状》2013年10月07日1半导体硅片清洗工艺的发展研究【摘要】随着大规模集成电路的发展,集成度的不断提高,线宽的不断减小,对硅片的质量要求也越来越高,特...
1.本发明属于硅片清洗领域，具体涉及一种单片式硅片使用有机酸的清洗方法。背景技术：2.随着半导体行业对硅衬底片的要求日益严格，为了保证最终元器件的高性能、高稳定性和高质量性，需要最终的硅衬底表有极高清洁度。3.硅片的一般生产流程为：单晶生长→切断→外径滚磨削...
1.本实用新型涉及硅片清洗装置技术领域，尤其是涉及一种硅片清洗设备。背景技术：2.半导体器件生产中硅片须经严格清洗，微量污染也会导致器件失效。清洗的目的在于清除表面污染杂质，包括有机物和无机物。这些杂质有的以原子状态或离子状态，有的以薄膜形式或颗粒形式存在于硅片表面。
清洗硅片是纯手工操作，很薄的硅片工人师傅必须一片片清洗。清洗必须使用纯净水，而且清洗后的水会经过污水处理系统后循环利用。这样既保证了正常生产，又不会给环境造成污染。4、电池生产
201110230941.0,单晶硅片的清洗工艺,本发明涉及一种单晶硅片的清洗工艺,包括如下步骤:(1)预冲洗:将单晶硅片依次在四槽脱胶机的四个槽中进行清洗;(2)脱胶:将预冲洗后的硅片进行人工脱胶;(3)超声波清洗:将脱胶后的硅片浸入六槽式超声波清洗机中清洗...
基于硅片研磨后清洗工艺的方法和原理,通过分析硅片在过程中污染物的种类和硅片表面的吸附性质,出由氢氧化钾、烷基苯磺酸盐、聚氧乙烯烷基醚为原材料构成的清洗剂。分析了清洗剂原材料溶于水后的吸附状态,确定三种原材料的质量比为10∶2∶2。
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收稿日期1999-07-12硅片清洗原理与方法综述刘传军赵权刘春香杨洪星电子四十六所,天津300220摘要对硅片清洗的基本理论、常用工艺方法和技术进行了详细的论述,同时对一些常用的清洗方案进行了浅析,并对硅片清洗的重要性和发展前景作了简单论述。
硅片边缘等离子清洗技术及其工艺优化.pdf,删删㈣㈣㈣㈣硅片边缘等离子清洗技术及其工艺优化摘要随着超大规模电路(ULSI)的快速发展，薄膜堆叠层数远超以往。复杂的薄膜结构及较大的薄膜厚度使得薄膜在芯片工艺中在硅片边缘较易产生分层。
清洗工作是在不破坏晶圆表面特性及电特性的前提下，有效地使用化学溶液清除残留在晶圆上之微尘、金属离子及有机物之杂质。在实际生产中，集成电路制造清洗工艺过程，也是以清洗硅片表面的污染和杂质为主要目的，当然也要考虑其它的一些因素。
毕业论文《硅片清洗工艺的原理和现状》2013年10月07日1半导体硅片清洗工艺的发展研究【摘要】随着大规模集成电路的发展,集成度的不断提高,线宽的不断减小,对硅片的质量要求也越来越高,特...
1.本发明属于硅片清洗领域，具体涉及一种单片式硅片使用有机酸的清洗方法。背景技术：2.随着半导体行业对硅衬底片的要求日益严格，为了保证最终元器件的高性能、高稳定性和高质量性，需要最终的硅衬底表有极高清洁度。3.硅片的一般生产流程为：单晶生长→切断→外径滚磨削...
1.本实用新型涉及硅片清洗装置技术领域，尤其是涉及一种硅片清洗设备。背景技术：2.半导体器件生产中硅片须经严格清洗，微量污染也会导致器件失效。清洗的目的在于清除表面污染杂质，包括有机物和无机物。这些杂质有的以原子状态或离子状态，有的以薄膜形式或颗粒形式存在于硅片表面。
清洗硅片是纯手工操作，很薄的硅片工人师傅必须一片片清洗。清洗必须使用纯净水，而且清洗后的水会经过污水处理系统后循环利用。这样既保证了正常生产，又不会给环境造成污染。4、电池生产
201110230941.0,单晶硅片的清洗工艺,本发明涉及一种单晶硅片的清洗工艺,包括如下步骤:(1)预冲洗:将单晶硅片依次在四槽脱胶机的四个槽中进行清洗;(2)脱胶:将预冲洗后的硅片进行人工脱胶;(3)超声波清洗:将脱胶后的硅片浸入六槽式超声波清洗机中清洗...
基于硅片研磨后清洗工艺的方法和原理,通过分析硅片在过程中污染物的种类和硅片表面的吸附性质,出由氢氧化钾、烷基苯磺酸盐、聚氧乙烯烷基醚为原材料构成的清洗剂。分析了清洗剂原材料溶于水后的吸附状态,确定三种原材料的质量比为10∶2∶2。
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