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专题论文1.硅基III-V三元纳米线的生长、表征与器件应用过去的几十年中，在电子、光电子和能量采集领域，可用于尖端技术的材料增长十分显著。在各种材料中，Ⅲ-V族半导体由于其优异的光学性能和高的载流子迁移率而受到广泛关注。然而...
半导体所硅基光子学研究取得重要突破-论文.T7，SILICONVALLEY一麓§【高新技术产业新闻】全球首台超低风速机组并网发电半导体所硅基光子学研究取得重要突破全球第一台1．5兆瓦、93米超大风轮机组4月30日在安徽...
提供半导体所硅基光子学研究取得重要突破-论文文档免费下载，摘要:T7,SILICONVALLEY一麓§【高新技术产业新闻】全球首台超低风速机组并网发电半导体所硅基光子学研究取得重要突破全球第一台1.5兆瓦、93米超大风轮机组4月30日在安徽来安风场...
中国在硅基芯片上的落后态势，有可能在未来的碳基芯片上得以改观。2020年5月22日，北京大学电子学系彭练矛院士和张志勇教授团队在《科学》杂志发表《用于高性能电子学的高密度半导体碳纳米管平行阵列》论文，介绍了该团队最新发展的多次提纯和维度限制自组装方法。
就硅基材料的器件和电路而言，它是型掺杂和PN结技术来二极管、晶体管和...论文发表。2.3固溶体半导体材料固溶体半导体材料是某些元素半导体或者化合物半导体相互溶解而形成的一种具有半导体性质的固态溶液材料，又称为混晶体...
中国在硅基芯片上的落后态势，有可能在未来的碳基芯片上得以改观。2020年5月22日，北京大学电子学系彭练矛院士和张志勇教授团队在《科学》杂志发表《用于高性能电子学的高密度半导体碳纳米管平行阵列》论文，介绍了该团队最新发展的多次提纯和维度限制自组装方法。
如果硅基走到了尽头，那么全球半导体产业必须找到新的材料“续命”。2009年，半导体技术发展路线图委员会(ITRS)将碳基纳米材料列入延续摩尔定律的未来集成电路技术选项，但是在其后的时间里，碳纳米材料的研究进展并没有给业界交出满意答卷。
前言半导体材料通过多年的发展，目前可以分为三代，即第一代半导体“元素半导体”，典型如硅基和锗基半导体，适用于数据的运算和存储；其中硅基半导体技术较为成熟，应用也较广；第二代是砷化镓、磷化铟为基础的的III-V族化合物半导体，在电和光的转化方面性能突出，在微波信号传输方面...
按照国际半导体技术发展路线图委员会（ITRS）预测，硅基半导体的性能将在2020年左右达到物理学极限。2020年，最先进的芯片制程节点推进5nm。5nm之后，全球半导体产业何去何从？哪怕不是2020年，硅基晶体管的尺寸极限终将到来，到那时芯片
硅基锗MSM光电探测器通常存在暗电流过大、器件的高速响应受限的缺点，所以能否进一步抑制暗电流、提高器件的响应速度是影响器件能否应用于光互连的非常关键的因素。本论文着重于硅基锗MSM光电探测器的性能优化与设计研究工作。
专题论文1.硅基III-V三元纳米线的生长、表征与器件应用过去的几十年中，在电子、光电子和能量采集领域，可用于尖端技术的材料增长十分显著。在各种材料中，Ⅲ-V族半导体由于其优异的光学性能和高的载流子迁移率而受到广泛关注。然而...
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就硅基材料的器件和电路而言，它是型掺杂和PN结技术来二极管、晶体管和...论文发表。2.3固溶体半导体材料固溶体半导体材料是某些元素半导体或者化合物半导体相互溶解而形成的一种具有半导体性质的固态溶液材料，又称为混晶体...
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如果硅基走到了尽头，那么全球半导体产业必须找到新的材料“续命”。2009年，半导体技术发展路线图委员会(ITRS)将碳基纳米材料列入延续摩尔定律的未来集成电路技术选项，但是在其后的时间里，碳纳米材料的研究进展并没有给业界交出满意答卷。
前言半导体材料通过多年的发展，目前可以分为三代，即第一代半导体“元素半导体”，典型如硅基和锗基半导体，适用于数据的运算和存储；其中硅基半导体技术较为成熟，应用也较广；第二代是砷化镓、磷化铟为基础的的III-V族化合物半导体，在电和光的转化方面性能突出，在微波信号传输方面...
按照国际半导体技术发展路线图委员会（ITRS）预测，硅基半导体的性能将在2020年左右达到物理学极限。2020年，最先进的芯片制程节点推进5nm。5nm之后，全球半导体产业何去何从？哪怕不是2020年，硅基晶体管的尺寸极限终将到来，到那时芯片
硅基锗MSM光电探测器通常存在暗电流过大、器件的高速响应受限的缺点，所以能否进一步抑制暗电流、提高器件的响应速度是影响器件能否应用于光互连的非常关键的因素。本论文着重于硅基锗MSM光电探测器的性能优化与设计研究工作。
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