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西北工业大学硕士学位论文有机硅改性丙烯酸树脂的研究姓名：杨玉玮申请学位级别：硕士专业：应用化学指导教师：张爱波20070301两北T业人学硕十学位论文摘要有机硅聚合物具有优异的耐候性、耐玷污性和耐高低温性，高度的疏水性，良好的透气性等被广泛应用。
兰州理工大学硕士学位论文铝硅合金低温加硅技术的研究及变质处理姓名：陈建申请学位级别：硕士专业：材料学指导教师：刘天佐20080428硕士学位论文2l世纪是重视资源与能源的世纪，铝在地壳中资源丰富、比强度高、又可以回收利用，日益引起人们的重视。
2019年是化学领域非常特殊的一年。2019年是两个重要的纪念日：InternationalUnionofPureandAppliedChemistry(IUPAC)成立100周年，以及门捷列夫首次发表元素周期表150周年。IUPAC是一个全球性的组织，为科学…
来源：文章转载自期刊《微纳电子与智能制造》，作者：黄北举，张赞，张赞允，张欢，程传同，陈弘达，谢谢。摘要硅基光电子具有与CMOS工艺兼容，借助成熟的微电子工艺平台可以实现大规模批量生产，具有低成本…
半导体公司发现自己处境艰难。数十年来，硅的常规创新使该行业一直保持盈利和不断取得令人印象深刻的性能改进。最近，企业越来越难以从硅中获取更多价值。这种困境让企业一直在思索用什么材料来取代硅以及何时取代…
世界上第一只晶体管，诞生于贝尔实验室。这时候肖克利才从法国出差归来，回归到此项目中，让他看起来像个领导。1956年，他们三人一起获得了诺贝尔物理学奖，这件事情意义非常，要知道，诺贝尔物理学奖由瑞典皇家科学院负责评选，他们的口味更倾向于纯粹的科学研究而非技术开发。
耐高温、苯基硅树脂的的研究,苯基硅树脂,苯基含氢硅树脂,苯基乙烯基硅树脂,耐高温有机硅树脂,硅树脂,mq硅树脂,三苯基溴化膦,苯基二甲氧基硅烷,二苯基乙二酮的
世界集成电路发展历史前言发现和研究半导体效应“触点式"晶体管的发明-1947年12月16日晶体管名字的由来结型晶体管的诞生-1948贝尔实验室授权晶体管技术-1952“集成电路”的发明制成首个金属氧化半导体(MOS)绝缘栅场效应晶体管-1960集成电路工业进入发展期“摩尔定律”预言未来集成电路的发展…
改变参数，可以的得到更低泵浦光功率阈值的斯托克斯光。多级环形腔硅基拉曼激光器[16]在2008年，荣海生团队和英特尔公司合作研发出了多级环形腔硅基拉曼激光器，并进行了一些简单的光谱测量及实际应用。这可以看作是对于单级硅基拉曼激光器的一次
硅片的亲疏水处理方法[前言]当今社会已经进入了电子信息时代，微处理芯片的发明彻底改变了世界，微电子、信息技术的水平已经被视为一个国家现代化水平高低的重要标志。硅经过提纯成单晶硅片，就是生产集成电路芯片的片基。亲水性和…
西北工业大学硕士学位论文有机硅改性丙烯酸树脂的研究姓名：杨玉玮申请学位级别：硕士专业：应用化学指导教师：张爱波20070301两北T业人学硕十学位论文摘要有机硅聚合物具有优异的耐候性、耐玷污性和耐高低温性，高度的疏水性，良好的透气性等被广泛应用。
兰州理工大学硕士学位论文铝硅合金低温加硅技术的研究及变质处理姓名：陈建申请学位级别：硕士专业：材料学指导教师：刘天佐20080428硕士学位论文2l世纪是重视资源与能源的世纪，铝在地壳中资源丰富、比强度高、又可以回收利用，日益引起人们的重视。
2019年是化学领域非常特殊的一年。2019年是两个重要的纪念日：InternationalUnionofPureandAppliedChemistry(IUPAC)成立100周年，以及门捷列夫首次发表元素周期表150周年。IUPAC是一个全球性的组织，为科学…
来源：文章转载自期刊《微纳电子与智能制造》，作者：黄北举，张赞，张赞允，张欢，程传同，陈弘达，谢谢。摘要硅基光电子具有与CMOS工艺兼容，借助成熟的微电子工艺平台可以实现大规模批量生产，具有低成本…
半导体公司发现自己处境艰难。数十年来，硅的常规创新使该行业一直保持盈利和不断取得令人印象深刻的性能改进。最近，企业越来越难以从硅中获取更多价值。这种困境让企业一直在思索用什么材料来取代硅以及何时取代…
世界上第一只晶体管，诞生于贝尔实验室。这时候肖克利才从法国出差归来，回归到此项目中，让他看起来像个领导。1956年，他们三人一起获得了诺贝尔物理学奖，这件事情意义非常，要知道，诺贝尔物理学奖由瑞典皇家科学院负责评选，他们的口味更倾向于纯粹的科学研究而非技术开发。
耐高温、苯基硅树脂的的研究,苯基硅树脂,苯基含氢硅树脂,苯基乙烯基硅树脂,耐高温有机硅树脂,硅树脂,mq硅树脂,三苯基溴化膦,苯基二甲氧基硅烷,二苯基乙二酮的
世界集成电路发展历史前言发现和研究半导体效应“触点式"晶体管的发明-1947年12月16日晶体管名字的由来结型晶体管的诞生-1948贝尔实验室授权晶体管技术-1952“集成电路”的发明制成首个金属氧化半导体(MOS)绝缘栅场效应晶体管-1960集成电路工业进入发展期“摩尔定律”预言未来集成电路的发展…
改变参数，可以的得到更低泵浦光功率阈值的斯托克斯光。多级环形腔硅基拉曼激光器[16]在2008年，荣海生团队和英特尔公司合作研发出了多级环形腔硅基拉曼激光器，并进行了一些简单的光谱测量及实际应用。这可以看作是对于单级硅基拉曼激光器的一次
硅片的亲疏水处理方法[前言]当今社会已经进入了电子信息时代，微处理芯片的发明彻底改变了世界，微电子、信息技术的水平已经被视为一个国家现代化水平高低的重要标志。硅经过提纯成单晶硅片，就是生产集成电路芯片的片基。亲水性和…
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