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大学国际知名超构材料专家Leonhardt对我们工作的评述原文：“微球捕获光子的效率非常高，可以在集成光子芯片上产生实际用途”原文：“他们的器件不但可以模拟1919年爱丁顿的天文观测，还可以模拟非常强引力场产生的剧烈效果”
光子芯片通常由硅制成，硅在地壳中含量丰富且具有良好的光学特性，但难以满足集成光子芯片所需的一切条件，因此出现了诸多新材料平台，如...
该论文介绍了一个基于张量核心的计算专用集成光子硬件加速器，通过将相变材料与光子结构结合，运算速度可达每秒数万亿次乘累加运算（每秒1012次MAC运算或每秒tera-MAC运算）。一、光学频率梳为光子…
薄膜材料相比于体晶体，具有尺度小，对光子效果好等优点，利用铌酸锂薄膜制作的回音壁微腔和光子晶体结构逐渐成为研究光子集成器件中的重要组成部分1.2铌酸锂的性质及其应用1.2.1铌酸锂的基本性质铌酸锂晶体是人造的不存在于自然界的铁电晶体
硅基光子无源集成器件以及混合集成平台研究.IntegrationPlatformAuthor’Ssignature：‘SUpervlsor7Ssignature：浙江入学研究生学位论文独创性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。.除了文中特别加以标注和致谢的地方外...
集成光子学领域一直在寻找新材料平台，该平台需要与硅基CMOS工艺兼容，同时应具备低损耗、高折射、高非线性系数、高功率耐受性等特性。当前多种材料被发展，如铌酸锂(LiNbO₃)、磷化铟(InP)、氮化硅(Si₃N₄)、碳化硅(SiC)等。表1对比了Si...
新型硅基集成光子器件的研究声明：本人论文均为可编辑的文本格式PDF，绝非垃圾的截图文档，请大家放心下载使用。摘要摘要不断呈现的各种业务需求、飞速发展的光通信技术以及逐步拓宽的应用领域大大促进了集成光子器件的研究与发展。
图1.无需温度控制的硅基光发射机芯片示意图晶圆键合是目前混合集成方案中被人们寄予期望最高的光源集成技术。采用晶圆键合技术，人们可将III-V族材料外延层集成至硅波导等硅光器件上方，由III-V族材料产生的光可通过倏逝波耦合的方式进入硅光子回路，完成片上光源与硅光子芯片的混合集…
三维光子晶体中集成器件的设计与模拟北京化工大学硕士研究生学位论文日期二O一五年五月二十八日学位论文数据集中图分类号043学科分类号140论文编号1001020150917密级公开学位授予单位代码10010学位授予单位名称北京,F匕R大学作者姓名邵川...
通信用光电子正从分离器件向集成化方向加速发展。传统通信用光器件主要基于III-V族半导体材料研制，近年来在尺寸、成本、功耗以及“与电芯片一体化”等方面面临挑战。硅基光电子集成技术（简称“硅光技术”）是光子集成的重要方向。
大学国际知名超构材料专家Leonhardt对我们工作的评述原文：“微球捕获光子的效率非常高，可以在集成光子芯片上产生实际用途”原文：“他们的器件不但可以模拟1919年爱丁顿的天文观测，还可以模拟非常强引力场产生的剧烈效果”
光子芯片通常由硅制成，硅在地壳中含量丰富且具有良好的光学特性，但难以满足集成光子芯片所需的一切条件，因此出现了诸多新材料平台，如...
该论文介绍了一个基于张量核心的计算专用集成光子硬件加速器，通过将相变材料与光子结构结合，运算速度可达每秒数万亿次乘累加运算（每秒1012次MAC运算或每秒tera-MAC运算）。一、光学频率梳为光子…
薄膜材料相比于体晶体，具有尺度小，对光子效果好等优点，利用铌酸锂薄膜制作的回音壁微腔和光子晶体结构逐渐成为研究光子集成器件中的重要组成部分1.2铌酸锂的性质及其应用1.2.1铌酸锂的基本性质铌酸锂晶体是人造的不存在于自然界的铁电晶体
硅基光子无源集成器件以及混合集成平台研究.IntegrationPlatformAuthor’Ssignature：‘SUpervlsor7Ssignature：浙江入学研究生学位论文独创性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。.除了文中特别加以标注和致谢的地方外...
集成光子学领域一直在寻找新材料平台，该平台需要与硅基CMOS工艺兼容，同时应具备低损耗、高折射、高非线性系数、高功率耐受性等特性。当前多种材料被发展，如铌酸锂(LiNbO₃)、磷化铟(InP)、氮化硅(Si₃N₄)、碳化硅(SiC)等。表1对比了Si...
新型硅基集成光子器件的研究声明：本人论文均为可编辑的文本格式PDF，绝非垃圾的截图文档，请大家放心下载使用。摘要摘要不断呈现的各种业务需求、飞速发展的光通信技术以及逐步拓宽的应用领域大大促进了集成光子器件的研究与发展。
图1.无需温度控制的硅基光发射机芯片示意图晶圆键合是目前混合集成方案中被人们寄予期望最高的光源集成技术。采用晶圆键合技术，人们可将III-V族材料外延层集成至硅波导等硅光器件上方，由III-V族材料产生的光可通过倏逝波耦合的方式进入硅光子回路，完成片上光源与硅光子芯片的混合集…
三维光子晶体中集成器件的设计与模拟北京化工大学硕士研究生学位论文日期二O一五年五月二十八日学位论文数据集中图分类号043学科分类号140论文编号1001020150917密级公开学位授予单位代码10010学位授予单位名称北京,F匕R大学作者姓名邵川...
通信用光电子正从分离器件向集成化方向加速发展。传统通信用光器件主要基于III-V族半导体材料研制，近年来在尺寸、成本、功耗以及“与电芯片一体化”等方面面临挑战。硅基光电子集成技术（简称“硅光技术”）是光子集成的重要方向。
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