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在光刻工艺发展的过程中，除了对线条定义的要求越来越严格，对图形缺陷的控制也越来越苛刻。.本文的研究方向主要对以下几种典型图形缺陷的机理进行研究，并对工艺参数角度进行试验和调整优化从而改善缺陷水平。.1．线条剥离的问题研究与解决在...
光刻确定了器件的关键尺寸。光刻过程中的错误可造成图形歪曲或套准不好，最终可转化为对器件的电特性产生影响。图形的错位也会导致类似的不良结果。光刻工艺中的另一个问题是缺陷。光刻是高科技版本的照相术，只不过是在难以置信的微小尺寸下完成。
NIKON光刻机的对准优化设计论文.doc,大漠天下原创作品,原创力文档版权提供，违者必究，PAGE\*MERGEFORMAT46PAGE\*MERGEFORMAT46PAGE\*MERGEFORMATPAGE\*MERGEFORMAT1本科毕业设计(论文)论文题目：关于...
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论文作者为美国马里兰大学胡良兵教授、莫一非教授，弗吉尼亚理工大学、加州大学郑小雨教授和加州大学圣地亚哥分校骆建教授团队等人（共同通讯作者），论文题目为“Ageneralmethodtosynthesizeandsinterbulkceramicsinseconds”。science：金属3D
纳米压印光刻技术原理与实验研究.华中科技大学硕士学位论文摘要本文介绍了纳米压印光刻技术的原理并进行了相关的实验研究，目的在于研究采用纳米压印光刻技术三维微结构的工艺，以促进此项技术更快的走向广泛的实际应用。.本文首先介绍了纳米...
湿法刻蚀工艺的应用研究论文.doc,本科毕业设计（论文）PAGE\*MERGEFORMATIIIPAGE\*MERGEFORMATIII本科毕业设计(论文)论文题目：湿法刻蚀工艺的研究摘要通过实习掌握制造集成电路芯片工艺的干+湿法去胶及湿法腐蚀工序的...
论文级别：硕士博士学科专业：分析化学论文题目：双层聚合物薄膜的有序褶皱行为作者签名：指导教师签名：作者联系地址（邮编）：作者联系电话：作者姓名论文分类号O631保密级别公开研究生学号2004332079学位类别理学硕士授予学位单位吉林
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光刻确定了器件的关键尺寸。光刻过程中的错误可造成图形歪曲或套准不好，最终可转化为对器件的电特性产生影响。图形的错位也会导致类似的不良结果。光刻工艺中的另一个问题是缺陷。光刻是高科技版本的照相术，只不过是在难以置信的微小尺寸下完成。
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论文作者为美国马里兰大学胡良兵教授、莫一非教授，弗吉尼亚理工大学、加州大学郑小雨教授和加州大学圣地亚哥分校骆建教授团队等人（共同通讯作者），论文题目为“Ageneralmethodtosynthesizeandsinterbulkceramicsinseconds”。science：金属3D
纳米压印光刻技术原理与实验研究.华中科技大学硕士学位论文摘要本文介绍了纳米压印光刻技术的原理并进行了相关的实验研究，目的在于研究采用纳米压印光刻技术三维微结构的工艺，以促进此项技术更快的走向广泛的实际应用。.本文首先介绍了纳米...
湿法刻蚀工艺的应用研究论文.doc,本科毕业设计（论文）PAGE\*MERGEFORMATIIIPAGE\*MERGEFORMATIII本科毕业设计(论文)论文题目：湿法刻蚀工艺的研究摘要通过实习掌握制造集成电路芯片工艺的干+湿法去胶及湿法腐蚀工序的...
论文级别：硕士博士学科专业：分析化学论文题目：双层聚合物薄膜的有序褶皱行为作者签名：指导教师签名：作者联系地址（邮编）：作者联系电话：作者姓名论文分类号O631保密级别公开研究生学号2004332079学位类别理学硕士授予学位单位吉林
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