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ASML公司光学光刻技术最新进展2002年9月微细技术M1CROFABRICA＇I、IoNT’ECHNoLOGYNo3Sep．2002文章编号：1003—8213（2002）03－0008—04ASML公司光学光刻技术最新进展张强，胡松，姚汉民，刘业异（中国科学院光电技术研究所，成都610209）摘要：荷…
基于DMD无掩模数字光刻技术的研究进展[J].激光与光电子学进展,2022,59(09):1激光与光电子学进展,2022,59(09):0922001,网络出版:2021-07-21
吴衍青研究员介绍了上海同步辐射光源（简称上海光源）以软X射线干涉光刻技术（简称XIL技术）为核心的极端制造技术的最新进展。.在微纳制造领域，XIL是一种于主流极端制造技术的独特并行制造技术。.它专注于制造严格周期的图案。.此外，还可以有效...
在光刻机设备的开发中，除了不断开发更短光源、增大数值孔径之外，人们还会采用多种分辨率增强技术，通过降低工艺因子k1增大工艺因子k2的方法改善光刻机的分辨率和焦深，在光源波长难以取得突破性进展的情况下进一步提升光刻机性能。
今年7月，在中国科学院官网上发布了一则研究进展，中科院苏州所联合国家纳米中心在《纳米快报》（NanoLetters）上发表了题为《超分辨率激光光刻技术5纳米间隙电极和阵列》（5nmNanogapElectrodesandArraysbyaSuper-resolutionLaserLithography）的研究论文，介绍了该团队研发的新型5纳米超高精度...
理化所无掩模光学投影超衍射纳米光刻技术研究取得新进展稿件来源：仿生智能界面科学中心发布时间：2021-05-26数十年来，光刻作为一种有效的图形转移技术，在实现功能性微纳米尺度结构方面一直扮演着重要角色，基于掩模的光刻技术在微…
极紫外光刻技术被认为是下一代最有潜力的光刻技术，对推动集成电路发展具有重要作用。极紫外光源是极紫外光刻技术的源头，其技术水平直接制约了光刻技术的发展。气体放电等离子体极紫外光源结构简单，转换效率高，适合大规模工业应用，具备良好的应用前景。
中科院激光光刻研究获进展，探索不用EUV的5nm.7月1日，中科院官网发布消息称，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员张子旸与国家纳米中心研究员刘前合作，在《纳米快报》（NanoLetters）上发表了题为“5nmNanogapElectrodesandArraysbyaSuper-resolution...
近日，微电子所集成电路先导工艺研发中心在极紫外光刻基板缺陷补偿方面取得新进展。与采用波长193nm的深紫外（DUV）光刻使用的掩模不同，极紫外（EUV）光刻的掩模采用反射式设计，其结构由大约由40层Mo和Si组成的多层膜构成。
ASML公司光学光刻技术最新进展2002年9月微细技术M1CROFABRICA＇I、IoNT’ECHNoLOGYNo3Sep．2002文章编号：1003—8213（2002）03－0008—04ASML公司光学光刻技术最新进展张强，胡松，姚汉民，刘业异（中国科学院光电技术研究所，成都610209）摘要：荷…
基于DMD无掩模数字光刻技术的研究进展[J].激光与光电子学进展,2022,59(09):1激光与光电子学进展,2022,59(09):0922001,网络出版:2021-07-21
吴衍青研究员介绍了上海同步辐射光源（简称上海光源）以软X射线干涉光刻技术（简称XIL技术）为核心的极端制造技术的最新进展。.在微纳制造领域，XIL是一种于主流极端制造技术的独特并行制造技术。.它专注于制造严格周期的图案。.此外，还可以有效...
在光刻机设备的开发中，除了不断开发更短光源、增大数值孔径之外，人们还会采用多种分辨率增强技术，通过降低工艺因子k1增大工艺因子k2的方法改善光刻机的分辨率和焦深，在光源波长难以取得突破性进展的情况下进一步提升光刻机性能。
今年7月，在中国科学院官网上发布了一则研究进展，中科院苏州所联合国家纳米中心在《纳米快报》（NanoLetters）上发表了题为《超分辨率激光光刻技术5纳米间隙电极和阵列》（5nmNanogapElectrodesandArraysbyaSuper-resolutionLaserLithography）的研究论文，介绍了该团队研发的新型5纳米超高精度...
理化所无掩模光学投影超衍射纳米光刻技术研究取得新进展稿件来源：仿生智能界面科学中心发布时间：2021-05-26数十年来，光刻作为一种有效的图形转移技术，在实现功能性微纳米尺度结构方面一直扮演着重要角色，基于掩模的光刻技术在微…
极紫外光刻技术被认为是下一代最有潜力的光刻技术，对推动集成电路发展具有重要作用。极紫外光源是极紫外光刻技术的源头，其技术水平直接制约了光刻技术的发展。气体放电等离子体极紫外光源结构简单，转换效率高，适合大规模工业应用，具备良好的应用前景。
中科院激光光刻研究获进展，探索不用EUV的5nm.7月1日，中科院官网发布消息称，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员张子旸与国家纳米中心研究员刘前合作，在《纳米快报》（NanoLetters）上发表了题为“5nmNanogapElectrodesandArraysbyaSuper-resolution...
近日，微电子所集成电路先导工艺研发中心在极紫外光刻基板缺陷补偿方面取得新进展。与采用波长193nm的深紫外（DUV）光刻使用的掩模不同，极紫外（EUV）光刻的掩模采用反射式设计，其结构由大约由40层Mo和Si组成的多层膜构成。
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