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高性能碳纳米管光电器件和光电集成——科技论文.作者：周博文来源：《科技风》日期：2015-04-24人气：587.复制链接分享好友.一、引言.随着集成度和特征尺寸不断的发展，集成电路逐渐成为信息社会发展的基础，而且由于集成度的不断增加，光电器件的...
论文致力于基于MMI的新型光器件的研究,主要研究MMI在模式转换领域的应用,主要研究内容及创新工作如下:1.理论研究和分析了基于硅基定向耦合器的模式转换器。其基本原理是利用波导宽度不同,支持的模式不同,模式的有效折射率也不同。通过合理...
光电信息科学与工程导论论文.docx,论文Lastrevisionon21December2020a光电信息科学与工程专业导论论%X学院：光电信息学院专业：光电信息科学与工程4史名:扬杨学号:光电信息科学与工程导论论文内容摘要：光信息科学和技术是光学...
电子科技大学【综述】面向光通信应用的新型LED材料和器件的发展.近日，基础与前沿研究院巫江教授团队在《NatureElectronics》上发表题为“Emerginglight-emittingdiodesfornext-generationdatacommunications”的综述论文。.博士后任翱博和剑桥大学博士生王昊为该论文第一...
MRM光器件本身呈电容性负载，便于深亚微米CMOS工艺下与数字电路的集成，是最有可能实现光电单片集成的方案之一。然而长期以来，国内惯性思维认为该方案波长稳定问题难以跨越，距离实用化遥遥无期，也不愿投入过多精力开展研究；而已开展的研究多集中于单独微环光器件的优化，与电路集…
博士毕业论文—《二维MoS2光电性能调控及器件基础研究》致谢第1-5页摘要第5-7页Abstract第7-13页1引言第13-15页2绪论第15-49页2.1二维纳米材料概述
ELECTRONICSCIENCECHINA硕士学位论文MASTERTHESIS（电子科技大学图标）论文题目基于PSpice的量子点光电器件的建模与学科专业光学工程201221050122作者姓名指导教师王卓然教授分类号密级UDC基于PSpice的量子点光电...
利用在硅衬底上直接生长锑化铟薄膜出InSb/Si异质结光电探测器件，并测试了其光电性能。在可见光波段，使用635nm的激光器，当入射光功率为450W功率时，器件的暗电流为8.710-10光电流为2.5410-6A，对应的开关比为2.910。器件的响应速度
使用850nm的红外LED作为光源时,器件的响应率可以达到600mA/W,比探测率达到1.7×10~7Jones。4.探索了柔性衬底上钙钛矿薄膜光电二极管的工作性能为了将钙钛矿探测器件应用于柔性以及可穿戴领域中,本论文基于CH_3NH_3PbI_3薄膜在薄膜电极上制作了
一种新型的单波长同轴单纤双向光电器件,单纤双向,单波长,同轴,成本,光电器件。一种新型的同轴单纤双向光电器件,接收、发射均工作于1310nm波段,采用分光技术使接收、发射光信号同时与单模光纤耦合。在...
高性能碳纳米管光电器件和光电集成——科技论文.作者：周博文来源：《科技风》日期：2015-04-24人气：587.复制链接分享好友.一、引言.随着集成度和特征尺寸不断的发展，集成电路逐渐成为信息社会发展的基础，而且由于集成度的不断增加，光电器件的...
论文致力于基于MMI的新型光器件的研究,主要研究MMI在模式转换领域的应用,主要研究内容及创新工作如下:1.理论研究和分析了基于硅基定向耦合器的模式转换器。其基本原理是利用波导宽度不同,支持的模式不同,模式的有效折射率也不同。通过合理...
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利用在硅衬底上直接生长锑化铟薄膜出InSb/Si异质结光电探测器件，并测试了其光电性能。在可见光波段，使用635nm的激光器，当入射光功率为450W功率时，器件的暗电流为8.710-10光电流为2.5410-6A，对应的开关比为2.910。器件的响应速度
使用850nm的红外LED作为光源时,器件的响应率可以达到600mA/W,比探测率达到1.7×10~7Jones。4.探索了柔性衬底上钙钛矿薄膜光电二极管的工作性能为了将钙钛矿探测器件应用于柔性以及可穿戴领域中,本论文基于CH_3NH_3PbI_3薄膜在薄膜电极上制作了
一种新型的单波长同轴单纤双向光电器件,单纤双向,单波长,同轴,成本,光电器件。一种新型的同轴单纤双向光电器件,接收、发射均工作于1310nm波段,采用分光技术使接收、发射光信号同时与单模光纤耦合。在...
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